一种晶体生长设备及晶体生长方法技术

本发明专利技术公开了一种晶体生长设备及晶体生长方法，该晶体生长设备包括机架，机架上设置有生长炉，生长炉的内部形成有用于营造晶体生长环境的加热区，生长炉上开设有出料口，机架上滑移设置有坩埚，坩埚呈长管状，且坩埚呈倾斜或水平设置，坩埚的开口朝向生长炉且与出料口插接滑移配合，且坩埚的滑移方向与自身长度方向平行，机架上设置有用于驱动坩埚滑移的驱动组件。该晶体生长方法包括以下步骤：将生长超长晶体的原料混合后倒入坩埚中；移动导料板，将坩埚移入加热区内；加热区将原料融化成液体，然后利用导料板将坩埚慢慢移出加热区，液体冷却凝固，形成晶体。本申请有助于改善超大晶体在生长过程中坩埚变形及漏液的情况。大晶体在生长过程中坩埚变形及漏液的情况。大晶体在生长过程中坩埚变形及漏液的情况。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长设备及晶体生长方法


[0001]本专利技术涉及晶体生长技术的领域，尤其是涉及一种晶体生长设备及晶体生长方法。

技术介绍

[0002]晶体生长是指将晶体原料经过物理手段融化，然后再进行重组提拉，形成所需晶体的过程。
[0003]现有技术中采用纵向提拉法进行超长晶体生长作业，首先将原料放入坩埚内，然后将坩埚放置进生长炉内，生长炉对原料进行加热，使其变成液态，而后进行晶体生长作业，由于生长的是超长晶体，相较普通晶体，所需的原料较多，当其变成液态时，液体重量全部压在坩埚底部，导致底部压强过大，易导致坩埚变形及漏液风险，存在改进之处。

技术实现思路

[0004]为了改善超大晶体在生长过程中，坩埚底部压力过大难以承受，导致坩埚变形即漏液的情况，本申请提供一种晶体生长设备及晶体生长方法。
[0005]本专利技术提供的一种晶体生长设备采用如下的技术方案：一种晶体生长设备，包括机架，所述机架上设置有生长炉，所述生长炉的内部形成有用于营造晶体生长环境的加热区，所述生长炉上开设有出料口，所述机架上滑移设置有坩埚，所述坩埚呈本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长设备，其特征在于：包括机架(1)，所述机架(1)上设置有生长炉(2)，所述生长炉(2)的内部形成有用于营造晶体生长环境的加热区，所述生长炉(2)上开设有出料口(21)，所述机架(1)上滑移设置有坩埚(3)，所述坩埚(3)呈长管状，且所述坩埚(3)呈倾斜或水平设置，所述坩埚(3)的开口朝向生长炉(2)且与出料口(21)插接滑移配合，且所述坩埚(3)的滑移方向与自身长度方向平行，所述机架(1)上设置有用于驱动坩埚(3)滑移的驱动组件(4)。2.根据权利要求1所述的一种晶体生长设备，其特征在于：所述机架(1)上倾斜设置有出料轨道(5)，所述出料轨道(5)的倾斜方向与坩埚(3)的倾斜方向平行，且所述出料轨道(5)的较高侧与出料口(21)相连通，所述出料轨道(5)内滑移设置有导料板(6)，所述坩埚(3)固定在导料板(6)上，所述驱动组件(4)驱动导料板(6)滑移。3.根据权利要求2所述的一种晶体生长设备，其特征在于：所述驱动组件(4)包括：丝杠(41)，呈倾斜设置，倾斜方向与出料轨道(5)的倾斜方向平行，与机架(1)转动连接；蜗轮蜗杆机构(42)，与丝杠(41)同轴固定；驱动件(43)，设置在机架(1)上，与蜗轮蜗杆机构(42)中的蜗杆传动连接，所述丝杠(41)上螺纹连接有螺母座(411)，所述导料板(6)与螺母座(411)固定连接。4.根据权利要求3所述的一种晶体生长设备，其特征在于：所述机架(1)上倾斜设置有导向杆(12)，所述导向杆(12)的倾斜方向与丝杠(41)的倾斜方向平行，所述螺母座(411)上开设有导向槽(81)，所述导向杆(12)与导向槽(81)插接滑移配合。5.根据权利要求3所述的一种晶体生长设备，其特征在于：所述驱动件(43)设置为手轮，所述机架(1)上转动连接有第一齿轮(11)，所述蜗轮蜗杆机构(42)中蜗杆的端部同轴固定有第二齿轮(421)，所述第一齿轮(11)和第二齿轮...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建春，
申请(专利权)人：上海翌波光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：