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本发明公开了一种晶体生长设备及晶体生长方法，该晶体生长设备包括机架，机架上设置有生长炉，生长炉的内部形成有用于营造晶体生长环境的加热区，生长炉上开设有出料口，机架上滑移设置有坩埚，坩埚呈长管状，且坩埚呈倾斜或水平设置，坩埚的开口朝向生长炉且...
该专利属于上海翌波光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海翌波光电科技有限公司授权不得商用。

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