一种无调平过程的可扩展植入物微系统异构集成方法技术方案

本发明专利技术公开了一种无调平过程的可扩展植入物微系统异构集成方法，现有生物植入式设备面临多功能、微型化集成需求，传统异构集成工艺中使用硅衬底以匹配集成电路光刻工艺，并采用深硅刻蚀等技术形成深芯片槽以防止芯片，并且对芯片减薄过程的精度有较大要求，通常采用底部填充料以进行芯片与硅衬底调平，并且薄的芯片极易碎裂；限制了异构集成植入式微系统的大规模批量制造；本发明专利技术通过采用PDMS材料作为载体包覆所需集成的器件，使得无需调平工艺即可形成可用于后道工艺RDL布线的集成多种器件的载体衬底；并通过使用导电胶连接封装芯片，实现了多种架构芯片以及SMD器件的微系统异构集成；提升了植入式设备异构集成批量制造能力。力。力。

【技术实现步骤摘要】
一种无调平过程的可扩展植入物微系统异构集成方法


[0001]本专利技术涉及植入式集成工艺领域，特别是涉及一种无调平过程的可扩展植入物微系统异构集成方法。

技术介绍

[0002]植入微系统设备用于连接并监测人体生理活动信号，如心跳、汗液等活动特征，对人体生理活动进行实时监控，及时对发现异常状态并进行处理。植入微系统在医疗可植入设备等方面有着广泛的应用前景。
[0003]现有的植入式生理监测微系统主要使用聚酰亚胺基底的柔性衬底基于印刷电路板组装(PCBA)工艺进行集成已实现微型化与柔性化，然而现有的PCBA植入式监测系统通常存在尺寸大、功耗高的缺点，其中体积最小的也在15
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12mm3，限制了其在大脑等体积严重受限区域的植入。
[0004]近年来，采用片上系统(SoC)集成方案的全植入微系统取得了重大进展，实现了小型化、高通道数、全植入与多模态集成。然而，由于植入集成电路的面积限制，使得单片集成电路无法集成大面积的电容，限制了电刺激的功率。对功率的限制严重制约了全植入脑机接口系统在神经科学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无调平过程的可扩展植入物微系统异构集成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将裸芯片与表面安装器件嵌入聚二甲基硅氧烷载体；步骤2：构建传统后道工艺中多层重布线层；步骤3：在多层重布线层表面完成封装芯片与表面安装器件贴装，并对芯片引脚进行防护，获得集成微系统。2.根据权利要求1所述的一种无调平过程的可扩展植入物微系统异构集成方法，其特征在于，所述步骤1中将裸芯片与表面安装器件嵌入聚二甲基硅氧烷载体的过程包括：步骤11：在载体基板上进行精确放置裸芯片与表面安装器件；其中载体基板包括玻璃、硅材料；步骤12：使用二甲基硅氧烷流体进行倾涂，并进行固化；步骤13：固化后的二甲基硅氧烷载体与玻璃或硅基板进行剥离。3.根据权利要求2所述的一种无调平过程的可扩展植入物微系统异构集成方法，其特征在于，所述步骤11中完成载体基板上的裸芯片与表面安装器件的放置，包括如下步骤：步骤111：通过离子清洗，完成载体基板表面的清洁；步骤112：在载体基板上通过旋转涂敷的方式涂敷光刻胶，光刻胶用于粘贴裸芯片与表面安装器件；步骤113：通过激光校准方法实现裸芯片与表面安装器件的精确放置。4.根据权利要求3所述的一种无调平过程的可扩展植入物微系统异构集成方法，其特征在于，所述步骤111中离子清洗为采用离子水进行清洗，并采用氮气进行干燥。5.根据权利要求3所述的一种无调平过程的可扩展植入物微系统异构集成方法，其特征在于，所述步骤112中旋转涂敷为采用3000rpm转速，旋转50s；旋转停止后在设定温度为90℃的环境下固化10min。6.根据权利要求2所述的一种无调平过程的可扩展植入物微系统异构集成方法，其特征在于，所述步骤12中倾涂聚二甲基硅氧烷流体的时候，要求聚二甲基硅氧烷包覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪慧，王浩传，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：