充电器同步整流电路制造技术

本实用新型专利技术公开了充电器同步整流电路，涉及同步整流电路技术领域，包括同步整流驱动控制器U202，所述驱动控制器U202的型号采用SRK2001；所述驱动控制器U202的SVS1端口电性连接于MOS管U420的基极；所述驱动控制器U202的SVS2端口电性连接于MOS管U419的基极；本实用提供充电器同步整流电路，通过采用型号SRK2001的驱动控制器U202，相较于传统的同步整流技术，SRK2001采用精密的真正零关断比较器，可设置最小的导通和关断时间，其自同步、极短关断延迟时间、强大的驱动能力、自适应门极驱动等特性可将整流损耗降至最低，使其在任何负载条件下都能保持最高能效。用于开关电源充电器设计中以实现更高能效。电器设计中以实现更高能效。电器设计中以实现更高能效。

【技术实现步骤摘要】
充电器同步整流电路


[0001]本技术涉及同步整流电路
，具体为充电器同步整流电路。

技术介绍

[0002]同步整流旨在通过用低导通电阻的MOSFET代替常规的肖特基二极管进行整流来减小损耗，提升能效；以12V应用为例，使用肖特基二极管整流将产生0.7V的导通压降，传统的技术损耗高效率低，而同步MOSFET的导通压降低于0.1V，从而实现更高能效。SRK2001是高性能的次级同步整流驱动控制器，能有效地控制和驱动用作次级端整流的MOSFET，我们利用这个驱动控制器用于充电器当中，以提高产品的可靠性同时实现更高效效率更高。
[0003]当前市场上的同步整流控制器存在部分局限性：(1)功能单一，应用场合有限：只适用于某一拓扑而不涵盖大多数拓扑，如只适用于反激(Flyback)或LLC而不适用于正激(Forward)；只适用于某一工作模式而不涵盖大多数模式，如只适用于非连续导通模式(DCM)、准谐振(QR)，而不适用于连续导通模式(CCM)；(2)由于延迟导通和提前关断整流管的时间过长，且导通和关断门限无法编辑，因而无法最大限度提升能效，因此我们需要提出充电器同步整流电路。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供充电器同步整流电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]充电器同步整流电路，包括同步整流驱动控制器U202，所述驱动控制器U202的型号采用SRK2001；所述驱动控制器U202的SVS1端口电性连接于MOS管U420的基极；所述驱动控制器U202的SVS2端口电性连接于MOS管U419的基极；
[0007]所述驱动控制器U202的DVS1端口通过电阻R273电性连接于MOS管U420的集电极，所述驱动控制器U202的DVS2端口通过电阻R281电性连接于MOS管U419的集电极；所述驱动控制器U202的GD1接口通过并联的电阻R275与电阻R276电性连接于MOS管U420的发射极，所述驱动控制器U202的GD2接口通过并联的电阻R278与电阻R29电性连接于MOS管U419的发射极。
[0008]优选的，所述驱动控制器U202还包括VCC端口、EN端口、GND端口与PROG端口；GND端口通过电容C310与电容C215电性连接于13.5V的供电端，所述GND端口直接电性连接于13.5V的供电端。
[0009]优选的，所述驱动控制器U202的SVS1端口与MOS管U420的发射极之间电性连接有电阻R274，所述驱动控制器U202的SVS2端口与MOS管U419的发射极之间电性连接有电阻R280。
[0010]优选的，所述电阻R276靠近GD1接口的一端还电性连接有二极管D875，所述电阻R278靠近GD2接口的一端还电性连接有二极管D876。
[0011]优选的，所述MOS管U420与MOS管U419的基极均电性连接于GND3端口。
[0012]优选的，所述MOS管U420与MOS管U419的集电极连接于电容C400与电容C217，所述电容C400与电容C217连接于14V的供电端。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0014]本实用提供充电器同步整流电路，通过采用型号SRK2001的驱动控制器U202，充电器次级整流部分，传统的技术以12V应用为例，使用肖特基二极管整流将产生0.7V的导通压降，传统的技术损耗高效率低，针对以上位问题为提高产品效率及稳定性，我们将使用自适应同步整流技术，而同步MOSFET的导通压降低于0.1V，从而实现更高能效。SRK2001是高性能的次级同步整流驱动控制器，能有效地控制和驱动用作次级端整流的MOSFETSRK2001采用精密的真正零关断比较器，可设置最小的导通和关断时间，其自同步、极短关断延迟时间、强大的驱动能力、自适应门极驱动等特性可将整流损耗降至最低，使其在任何负载条件下都能保持最高能效。用于开关电源充电器设计中以实现更高能效。
[0015]本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0016]图1为本技术同步整流电路的电路结构示意图。
具体实施方式
[0017]在不同附图中以相同标号来标示相同或类似组件；另外请了解文中诸如“第一”、“第二”、“第三”、“上”、“下”、“前”、“后”、“内”、“外”、“端”、“部”、“段”、“宽度”、“厚度”、“区”等等及类似用语仅便于看图者参考图中构造以及仅用于帮助描述本技术而已，并非是对本技术的限定。
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]请参阅图1，本技术提供的实施例：
[0020]充电器同步整流电路，包括同步整流驱动控制器U202，所述驱动控制器U202的型号采用SRK2001；所述驱动控制器U202的SVS1端口电性连接于MOS管U420的基极；所述驱动控制器U202的SVS2端口电性连接于MOS管U419的基极；
[0021]所述驱动控制器U202的DVS1端口通过电阻R273电性连接于MOS管U420的集电极，所述驱动控制器U202的DVS2端口通过电阻R281电性连接于MOS管U419的集电极；所述驱动控制器U202的GD1接口通过并联的电阻R275与电阻R276电性连接于MOS管U420的发射极，所述驱动控制器U202的GD2接口通过并联的电阻R278与电阻R29电性连接于MOS管U419的发射极。
[0022]所述驱动控制器U202还包括VCC端口、EN端口、GND端口与PROG端口；GND端口通过电容C310与电容C215电性连接于13.5V的供电端，所述GND端口直接电性连接于13.5V的供
电端；所述驱动控制器U202的SVS1端口与MOS管U420的发射极之间电性连接有电阻R274，所述驱动控制器U202的SVS2端口与MOS管U419的发射极之间电性连接有电阻R280。
[0023]所述电阻R276靠近GD1接口的一端还电性连接有二极管D875，所述电阻R278靠近GD2接口的一端还电性连接有二极管D876；所述MOS管U420与MOS管U419的基极均电性连接于GND3端口；所述MOS管U420与MOS管U419的集电极连接于电容C400与电容C217，所述电容C400与电容C217连接于14V的供电端。
[0024]充电器次级整流部分，传统的技术以12V应用为例，使用肖特基二极管整流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.充电器同步整流电路，包括同步整流驱动控制器U202，其特征在于：所述驱动控制器U202的型号采用SRK2001；所述驱动控制器U202的SVS1端口电性连接于MOS管U420的基极；所述驱动控制器U202的SVS2端口电性连接于MOS管U419的基极；所述驱动控制器U202的DVS1端口通过电阻R273电性连接于MOS管U420的集电极，所述驱动控制器U202的DVS2端口通过电阻R281电性连接于MOS管U419的集电极；所述驱动控制器U202的GD1接口通过并联的电阻R275与电阻R276电性连接于MOS管U420的发射极，所述驱动控制器U202的GD2接口通过并联的电阻R278与电阻R29电性连接于MOS管U419的发射极。2.根据权利要求1所述的充电器同步整流电路，其特征在于：所述驱动控制器U202还包括VCC端口、EN端口、GND端口与PROG端口；GND端口通过电容C310与电容C215电性连...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘智君，陈献晓，
申请(专利权)人：嘉兴索罗威新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：