【技术实现步骤摘要】
变流单元和用于浸涂工件的浸涂设备及由供电电源和浸涂设备组成的组合
[0001]本技术涉及一种变流单元,其尤其可以应用在用于浸涂工件的浸涂设备中。浸涂设备尤其包括:浸浴槽,为了浸涂工件,工件能被带入该浸浴槽中;用于提供浸涂电流的变流系统,该浸涂电流为了浸涂工件能被引导通过该浸浴槽;和一个或多个电极,该电极能布置在浸浴槽中并且与变流系统电连接。
技术介绍
[0002]例如从DE10 2004 061 791 A1或WO 2013/087455 A1中已知浸涂设备。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提供一种变流单元,其结构简单并且能实现高效的变流。
[0004]该目的根据本技术通过具有下述特征的变流单元得以实现。
[0005]“流”在本说明书中理解为电流。
[0006]术语“能连接”和“连接”在本说明书中既理解为直接的电连接也理解为间接的电连接。在间接的连接中可以规定,在两个彼此连接或能连接的元件或构件之间布置其他元件或构件。
[0007]有利的可以是,变流单元包括:
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种变流单元(124),其中所述变流单元(124)包括:用于将所述变流单元(124)连接至供电电源(108)的输入端(130);用于将所述变流单元(124)连接至一个或多个负载的输出端(146);功率开关(134);用于将所述输入端(130)与所述输出端(146)电气隔离的隔离变压器(138),其中所述功率开关(134)在输入侧与所述输入端(130)连接并且在输出侧与所述隔离变压器(138)连接,其中所述隔离变压器(138)在输入侧与所述功率开关(134)连接并且在输出侧与所述输出端(146)连接,其中所述功率开关(134)包括碳化硅功率开关(162)。2.根据权利要求1所述的变流单元(124),其特征在于,所述输出端(146)用于将所述变流单元(124)连接一个或多个电极(110)。3.根据权利要求1或2所述的变流单元(124),其特征在于,所述碳化硅功率开关(162)包括一个或多个碳化硅MISFET单元和/或一个或多个碳化硅IGBT单元、或者由一个或多个碳化硅MISFET单元和/或一个或多个碳化硅IGBT单元形成。4.根据权利要求1或2所述的变流单元(124),其特征在于,所述变流单元(124)包括控制装置(148)和用于将所述控制装置(148)以信息技术的方式连接至上级控制系统(164)的接口(150)。5.根据权利要求4所述的变流单元(124),其特征在于,所述接口(150)是用于集成到现场总线系统中的接口(150)。6.根据权利要求5所述的变流单元(124),其特征在于,所述接口(150)是Profinet接口。7.根据权利要求1或2所述的变流单元(124),其特征在于,所述变流单元(124)包括与所述供电电源(108)分离和/或相对于所述供电电源(108)独立的辅助电源(166),借助所述辅助电源能够向所述变流单元(124)的控制装置(148)和/或所述变流单元(124)的接口(150)以相对于所述供电电源(108)独立的方式供给电能。8.根据权利要求1或2项所述的变流单元(124),其特征在于,在所述输入端(130)和所述功率开关(134)之间布置有输入端滤波器(133)和/或整流装置(132)和/或平滑装置。9.根据权利要求8所述的变流单元(124),其特征在于,所述整流装置(132)是或包括主动整流控制部(168)。10.根据权利要求8所述的变流单元(124),其特征在于,所述整流装置(132)是或包括主动前端。11.根据权利要求9所述的变流单元(124),其特征在于,所述主动整流控制部(168)包括多个用于对由...
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