修正弦波逆变器升压直流电路制造技术

一种修正弦波逆变器升压直流电路，包括欠压保护电路、PWM占空比驱动电路、逆变升压电路、辅助电源电路和全桥整流电路，PWM占空比驱动电路与欠压保护电路电连接，逆变升压电路和辅助电源电路均与PWM占空比驱动电路电连接，全桥整流电路与逆变升压电路和辅助电源电路电连接；逆变升压电路包括纳米非晶变压器ET1，场效应管Q3、Q6，电容E3、E4、C5，电阻R1、R2、R18，二极管D3，熔断器FUSE1；本实用新型专利技术内部的逆变升压电路通过采用纳米非晶变压器作为核心变压器件后，由于纳米非晶变压器具有高饱和磁感、低高频损耗、高初始磁导和稳定性好的优点，这样一来，能够提高升压直流电路工作时的可靠性和稳定性，从而能够提高修正弦波逆变器的性能。

【技术实现步骤摘要】
修正弦波逆变器升压直流电路
本技术涉及修正弦波逆变器
，更具体地说，是一种修正弦波逆变器升压直流电路。
技术介绍
修正弦波逆变器是用于将直流电转换成交流电的装置，目前市面上的修正弦波逆变器中的升压直流电路中采用的是工频变压器或高频变压器，而工频变压器主要存在体积大和转换效率低的缺点，高频变压器则存在容易磁饱和和稳定性不高的缺点，这样一来，会严重影响修正弦波逆变器的性能。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是，提供一种修正弦波逆变器升压直流电路，其内部的逆变升压电路通过采用纳米非晶变压器作为核心变压器件后，由于纳米非晶变压器具有高饱和磁感、低高频损耗、高初始磁导和稳定性好的优点，这样一来，能够提高升压直流电路工作时的可靠性和稳定性，从而能够提高修正弦波逆变器的性能。本技术的技术解决方案是，提供一种具有以下结构的修正弦波逆变器升压直流电路，包括欠压保护电路、PWM占空比驱动电路、逆变升压电路、辅助电源电路和全桥整流电路，PWM占空比驱动电路与欠压保护电路电连接，逆变升压电路和辅助电源电路均与PWM占空比驱动电路电连接，全桥整流电路与逆变升压电路和辅助电源电路电连接；逆变升压电路包括纳米非晶变压器ET1，场效应管Q3、Q6，电容E3、E4、C5，电阻R1、R2、R18，二极管D3，熔断器FUSE1，场效应管Q3的门极与电阻R1的一端电连接，场效应管Q3的漏级接地，场效应管Q3的源极与纳米非晶变压器ET1的初级的其中一端电连接，场效应管Q6的门极与电阻R18的一端电连接，场效应管Q6的漏级接地，场效应管Q6的源极与纳米非晶变压器ET1的初级的另一端电连接，电阻R2的一端与场效应管Q3的源极电连接，电阻R2的另一端串联电容C5后与场效应管Q6的源极电连接，电容E3的正极串联熔断器FUSE1后与蓄电池的正极BAT+电连接，电容E3的负极接地，电容E4的正极与电容E3的正极电连接，电容E4的负极接地，二极管D3的负极与电容E3的正极电连接，二极管D3的正极接地，纳米非晶变压器ET1的初级的中心抽头与电容E3的正极电连接。本技术的修正弦波逆变器升压直流电路，其中，辅助电源电路包括变压器ST1，场效应管Q7、Q8，电容E6、E7、C6，电阻R19、R20、R21，二极管D8，熔断器FUSE2，场效应管Q7的门极与电阻R19的一端电连接，场效应管Q7的漏级接地，场效应管Q7的源极与变压器ST1的初级的其中一端电连接，场效应管Q8的门极与电阻R21的一端电连接，场效应管Q8的漏级接地，场效应管Q8的源极与变压器ST1的初级的另一端电连接，电阻R20的一端与场效应管Q7的源极电连接，电阻R20的另一端串联电容C6后与场效应管Q8的源极电连接，电容E6的正极串联熔断器FUSE2后与蓄电池的正极BAT+电连接，电容E6的负极接地，电容E7的正极与电容E6的正极电连接，电容E7的负极接地，二极管D8的负极与电容E6的正极电连接，二极管D8的正极接地，变压器ST1的初级的中心抽头与电容E6的正极电连接。本技术的修正弦波逆变器升压直流电路，其中，全桥整流电路包括二极管D1、D2、D4、D5、D6、D7、D9、D10，电容E1、E2，电阻R3、R5、R8，发光二极管LED1，二极管D1的正极和二极管D4的负极均与纳米非晶变压器ET1的次级的其中一端电连接，二极管D2的正极和二极管D5的负极均与纳米非晶变压器ET1的次级的另一端电连接，二极管D4的正极和二极管D5的正极均与蓄电池的正极BAT+电连接，二极管D1的负极和二极管D2的负极均与电容E1的正极电连接，电容E1的负极接地，二极管D6的正极和二极管D9的负极均与变压器ST1的次级的其中一端电连接，二极管D7的正极和二极管D10的负极均与变压器ST1的次级的另一端电连接，二极管D9的正极和二极管D10的正极均与蓄电池的正极BAT+电连接，二极管D6的负极和二极管D7的负极均与电容E1的正极电连接，电容E2的正极与电容E1的正极电连接，电容E2的负极接地，发光二极管LED1的负极接地，发光二极管LED1的正极串联电阻R3后与电容E1的正极电连接，电阻R5的一端与电容E3的正极电连接，电阻R5的另一端串联电阻R8后接地，电阻R5的另一端引出接线端HV1，电容E1的正极引出接线端HV300V。本技术的修正弦波逆变器升压直流电路，其中，PWM占空比驱动电路包括三极管Q1、Q2、Q4、Q5，电阻R4、R6，三极管Q1的集电极和三极管Q2的集电极均与电源端VCC电连接，三极管Q4的集电极和三极管Q5的集电极均接地，电阻R4的一端与三极管Q2的发射极和三极管Q5的发射极电连接，电阻R6的一端与三极管Q1的发射极和三极管Q4的发射极电连接，电阻R1的另一端和电阻R19的另一端均与电阻R4的另一端电连接，电阻R19的另一端和电阻R21的另一端均与电阻R6的另一端电连接。本技术的修正弦波逆变器升压直流电路，其中，欠压保护电路包括开关电源脉宽调制芯片IC1，光耦U1，电容C1、C2、C4、C3、E5，电阻R11、R7、R9、R15、R16、R17、R10、R13、R12、R14，光耦U1的受控端的其中一端与电源端VCC电连接，光耦U1的受控端的另一端串联电阻R9后接地，光耦U1的受控端的另一端串联电阻R7后与开关电源脉宽调制芯片IC1的1脚电连接，开关电源脉宽调制芯片IC1的2脚串联电阻R11后与电压基准端VREF电连接，电容C1与电阻R11并联，开关电源脉宽调制芯片IC1的2脚串联电容C2后与开关电源脉宽调制芯片IC1的3脚电连接，开关电源脉宽调制芯片IC1的3脚串联电阻R15后接地，开关电源脉宽调制芯片IC1的4脚串联电阻R16后与电压基准端VREF电连接，开关电源脉宽调制芯片IC1的4脚引出用于与单片机的控制端电连接的接线端P4，开关电源脉宽调制芯片IC1的5脚串联电容C4后接地，开关电源脉宽调制芯片IC1的6脚串联电阻R17后接地，开关电源脉宽调制芯片IC1的7脚接地，开关电源脉宽调制芯片IC1的8脚、11脚和12脚均与电源端+12V电连接，三极管Q2的基极和三极管Q5的基极均与开关电源脉宽调制芯片IC1的9脚电连接，三极管Q1的基极和三极管Q4的基极均与开关电源脉宽调制芯片IC1的10脚电连接，电容E5的正极与电源端+12V电连接，电容E5的负极接地，开关电源脉宽调制芯片IC1的13脚和14脚均与电压基准端VREF电连接，开关电源脉宽调制芯片IC1的15脚串联电阻R14后接地，电容C3与电阻R14并联，开关电源脉宽调制芯片IC1的15脚串联电阻R12后与电源端+12V电连接，开关电源脉宽调制芯片IC1的16脚串联电阻R13后接地，开关电源脉宽调制芯片IC1的16脚串联电阻R10后与电压基准端VREF电连接。采用以上结构后，与现有技术相比，本技术内部的逆变升压电路通过采用纳米非晶变压器作为核心变压器件后，由于纳米非晶变压器具有高饱和磁感、低高频损耗、高初始磁导和稳定性好的优点，这样一来，能够提高升压直流电路工作时的可靠性和稳定性，从而能够提高修本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种修正弦波逆变器升压直流电路，其特征在于：包括欠压保护电路(1)、PWM占空比驱动电路(2)、逆变升压电路(3)、辅助电源电路(4)和全桥整流电路(5)，所述PWM占空比驱动电路(2)与欠压保护电路(1)电连接，所述逆变升压电路(3)和辅助电源电路(4)均与PWM占空比驱动电路(2)电连接，所述全桥整流电路(5)与逆变升压电路(3)和辅助电源电路(4)电连接；所述逆变升压电路(3)包括纳米非晶变压器ET1，场效应管Q3、Q6，电容E3、E4、C5，电阻R1、R2、R18，二极管D3，熔断器FUSE1，所述场效应管Q3的门极与电阻R1的一端电连接，所述场效应管Q3的漏级接地，所述场效应管Q3的源极与纳米非晶变压器ET1的初级的其中一端电连接，所述场效应管Q6的门极与电阻R18的一端电连接，所述场效应管Q6的漏级接地，所述场效应管Q6的源极与纳米非晶变压器ET1的初级的另一端电连接，所述电阻R2的一端与场效应管Q3的源极电连接，所述电阻R2的另一端串联电容C5后与场效应管Q6的源极电连接，所述电容E3的正极串联熔断器FUSE1后与蓄电池的正极BAT+电连接，所述电容E3的负极接地，所述电容E4的正极与电容E3的正极电连接，所述电容E4的负极接地，所述二极管D3的负极与电容E3的正极电连接，所述二极管D3的正极接地，所述纳米非晶变压器ET1的初级的中心抽头与电容E3的正极电连接。/n...

【技术特征摘要】
1.一种修正弦波逆变器升压直流电路，其特征在于：包括欠压保护电路(1)、PWM占空比驱动电路(2)、逆变升压电路(3)、辅助电源电路(4)和全桥整流电路(5)，所述PWM占空比驱动电路(2)与欠压保护电路(1)电连接，所述逆变升压电路(3)和辅助电源电路(4)均与PWM占空比驱动电路(2)电连接，所述全桥整流电路(5)与逆变升压电路(3)和辅助电源电路(4)电连接；所述逆变升压电路(3)包括纳米非晶变压器ET1，场效应管Q3、Q6，电容E3、E4、C5，电阻R1、R2、R18，二极管D3，熔断器FUSE1，所述场效应管Q3的门极与电阻R1的一端电连接，所述场效应管Q3的漏级接地，所述场效应管Q3的源极与纳米非晶变压器ET1的初级的其中一端电连接，所述场效应管Q6的门极与电阻R18的一端电连接，所述场效应管Q6的漏级接地，所述场效应管Q6的源极与纳米非晶变压器ET1的初级的另一端电连接，所述电阻R2的一端与场效应管Q3的源极电连接，所述电阻R2的另一端串联电容C5后与场效应管Q6的源极电连接，所述电容E3的正极串联熔断器FUSE1后与蓄电池的正极BAT+电连接，所述电容E3的负极接地，所述电容E4的正极与电容E3的正极电连接，所述电容E4的负极接地，所述二极管D3的负极与电容E3的正极电连接，所述二极管D3的正极接地，所述纳米非晶变压器ET1的初级的中心抽头与电容E3的正极电连接。


2.根据权利要求1所述的修正弦波逆变器升压直流电路，其特征在于：所述辅助电源电路(4)包括变压器ST1，场效应管Q7、Q8，电容E6、E7、C6，电阻R19、R20、R21，二极管D8，熔断器FUSE2，所述场效应管Q7的门极与电阻R19的一端电连接，所述场效应管Q7的漏级接地，所述场效应管Q7的源极与变压器ST1的初级的其中一端电连接，所述场效应管Q8的门极与电阻R21的一端电连接，所述场效应管Q8的漏级接地，所述场效应管Q8的源极与变压器ST1的初级的另一端电连接，所述电阻R20的一端与场效应管Q7的源极电连接，所述电阻R20的另一端串联电容C6后与场效应管Q8的源极电连接，所述电容E6的正极串联熔断器FUSE2后与蓄电池的正极BAT+电连接，所述电容E6的负极接地，所述电容E7的正极与电容E6的正极电连接，所述电容E7的负极接地，所述二极管D8的负极与电容E6的正极电连接，所述二极管D8的正极接地，所述变压器ST1的初级的中心抽头与电容E6的正极电连接。


3.根据权利要求2所述的修正弦波逆变器升压直流电路，其特征在于：所述全桥整流电路(5)包括二极管D1、D2、D4、D5、D6、D7、D9、D10，电容E1、E2，电阻R3、R5、R8，发光二极管LED1，所述二极管D1的正极和二极管D4的负极均与纳米非晶变压器ET1的次级的其中一端电连接，所述二极管D2的正极和二极管D5的负极均与纳米非晶变压器ET1的次级的另一端电连接，所述二极管D4的正极和二极管D5的正极均与蓄电池的正极BAT+电连接，所述二极管D1的负极和二极管D2的负极均与电容E1的正极电连接，所述电容E1的负极接地，所述二极管D6的正极和二极管D9的负极均与变压器ST1的次级的其中一端电连接，所述二极管D7的正极和二极管D10的负极均与...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘智君，陈献晓，
申请(专利权)人：嘉兴索罗威新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33