正弦波逆变器升压直流电路制造技术

一种正弦波逆变器升压直流电路，包括欠压保护电路、PWM占空比驱动电路、逆变升压电路和全桥整流电路，PWM占空比驱动电路与欠压保护电路电连接，逆变升压电路与PWM占空比驱动电路电连接，全桥整流电路与逆变升压电路电连接；逆变升压电路包括纳米非晶变压器T1，场效应管Q3、Q6，电阻R4、R6、R3、R8，二极管D7、D11，电容C15、E4、E2；本实用新型专利技术内部的逆变升压电路通过采用纳米非晶变压器作为核心变压器件后，由于纳米非晶变压器具有高饱和磁感、低高频损耗、高初始磁导和稳定性好的优点，这样一来，能够提高升压直流电路工作时的可靠性和稳定性，从而能够提高正弦波逆变器的性能。

【技术实现步骤摘要】
正弦波逆变器升压直流电路
本技术涉及正弦波逆变器
，更具体地说，是一种正弦波逆变器升压直流电路。
技术介绍
正弦波逆变器是用于将直流电转换成交流电的装置，目前市面上的正弦波逆变器中的升压直流电路中采用的是工频变压器或高频变压器，而工频变压器主要存在体积大和转换效率低的缺点，高频变压器则存在容易磁饱和和稳定性不高的缺点，这样一来，会严重影响正弦波逆变器的性能。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是，提供一种正弦波逆变器升压直流电路，其内部的逆变升压电路通过采用纳米非晶变压器作为核心变压器件后，由于纳米非晶变压器具有高饱和磁感、低高频损耗、高初始磁导和稳定性好的优点，这样一来，能够提高升压直流电路工作时的可靠性和稳定性，从而能够提高正弦波逆变器的性能。本技术的技术解决方案是，提供一种具有以下结构的正弦波逆变器升压直流电路，包括欠压保护电路、PWM占空比驱动电路、逆变升压电路和全桥整流电路，PWM占空比驱动电路与欠压保护电路电连接，逆变升压电路与PWM占空比驱动电路电连接，全桥整流电路与逆变升压电路电连接；逆变升压电路包括纳米非晶变压器T1，场效应管Q3、Q6，电阻R4、R6、R3、R8，二极管D7、D11，电容C15、E4、E2，场效应管Q3的门极串联电阻R3后接地，场效应管Q3的门极与电阻R4的一端电连接，场效应管Q6的门极串联电阻R8后接地，场效应管Q6的门极与电阻R6的一端电连接，场效应管Q3的漏级和场效应管Q6的源极均接地，场效应管Q3的源极与纳米非晶变压器T1的初级的其中一端电连接，场效应管Q6的漏级与纳米非晶变压器T1的初级的另一端电连接，纳米非晶变压器T1的初级的中心抽头与电源端DC12电连接，电容E2的正极与电源端DC12电连接，电容E2的负极接地，二极管D7的正极和二极管D11的正极分别与纳米非晶变压器T1的初级的其中一端和纳米非晶变压器T1的初级的另一端电连接。本技术的正弦波逆变器升压直流电路，其中，欠压保护电路包括开关电源脉宽调制芯片U1，电阻R7、R9、R10、R11、R13、R12、R15、R16、R17、R18、R19，三极管N1、P1，二极管D10、D3，电容C1、C3、C4、C6，开关电源脉宽调制芯片U1的16脚串联电阻R7后与电压基准端VREF电连接，开关电源脉宽调制芯片U1的16脚串联电阻R10后接地，开关电源脉宽调制芯片U1的15脚串联电阻R9后与电压基准端VREF电连接，开关电源脉宽调制芯片U1的15脚串联电阻R11后接地，电容C1与电阻R11并联，开关电源脉宽调制芯片U1的14脚、13脚和2脚均与电压基准端VREF电连接，开关电源脉宽调制芯片U1的12脚、11脚和8脚均与电源端+12V电连接，开关电源脉宽调制芯片U1的7脚接地，开关电源脉宽调制芯片U1的6脚串联电阻R12后接地，开关电源脉宽调制芯片U1的5脚串联电容C3后接地，开关电源脉宽调制芯片U1的4脚串联电阻R13后接地，电容C4与电阻R13并联，开关电源脉宽调制芯片U1的4脚与三极管N1的发射极和三极管P1的集电极电连接，三极管N1的集电极和三极管P1的发射极均与电压基准端VREF电连接，电阻R15的一端与电压基准端VREF电连接，电阻R15的另一端与二极管D10的正极和电容C6的一端电连接，电容C6的另一端与三极管N1的基极和二极管D3的负极电连接，二极管D3的正极接地，电阻R16与二极管D3并联，二极管D10的负极串联电阻R17后接地，电阻R18的一端与二极管D10的负极电连接，电阻R18的另一端与三极管P1的基极和电阻R19的一端电连接，电阻R19的另一端与电压基准端VREF电连接，二极管D10的负极引出用于与单片机的控制级电连接的接线端P4。本技术的正弦波逆变器升压直流电路，其中，PWM占空比驱动电路包括三极管Q1、Q2、Q4、Q5，三极管Q1的基极和三极管Q4的基极均与开关电源脉宽调制芯片U1的10脚电连接，三极管Q2的基极和三极管Q5的基极均与开关电源脉宽调制芯片U1的9脚电连接，三极管Q1的集电极和三极管Q2的集电极均与电源端VCC电连接，三极管Q4的集电极和三极管Q5的集电极均接地，电阻R4的另一端与三极管Q2的发射极和三极管Q5的发射极电连接，电阻R6的另一端与三极管Q1的发射极和三极管Q4的发射极电连接。本技术的正弦波逆变器升压直流电路，其中，全桥整流电路包括二极管D1、D2、D4、D5、D6、D8、D9、D12，电容E1、E3、C5，电阻R5、R2、R1，三端稳压芯片V1，二极管D2的正极和二极管D4的负极均与纳米非晶变压器T1的第一个次级的其中一端电连接，二极管D1的正极和二极管D5的负极均与纳米非晶变压器T1的第一个次级的另一端电连接，二极管D1的负极和二极管D2的负极均与电容E1的正极电连接，二极管D4的正极和二极管D5的正极均接地，电容E1的正极引出接线端HV，电容E1的负极接地，电阻R2与电容E1并联，电阻R1的一端与电容E1的正极电连接，电阻R1的另一端串联电容C5后接地；二极管D8的正极和二极管D9的负极均与纳米非晶变压器T1的第二个次级的其中一端电连接，二极管D6的正极和二极管D12的负极均与纳米非晶变压器T1的第二个次级的另一端电连接，二极管D6的负极和二极管D8的负极均与电阻R5的一端电连接，电阻R5的另一端与三端稳压芯片V1的1脚电连接，二极管D9的正极和二极管D12的正极均接地，电容E3的正极与三端稳压芯片V1的1脚电连接，电容E3的负极接地，三端稳压芯片V1的2脚接地，三端稳压芯片V1的3脚引出电源端+15V。采用以上结构后，与现有技术相比，本技术内部的逆变升压电路通过采用纳米非晶变压器作为核心变压器件后，由于纳米非晶变压器具有高饱和磁感、低高频损耗、高初始磁导和稳定性好的优点，这样一来，能够提高升压直流电路工作时的可靠性和稳定性，从而能够提高正弦波逆变器的性能。附图说明图1是本技术的电路原理框图；图2是PWM占空比驱动电路、逆变升压电路和全桥整流电路电连接后的电路原理图；图3是欠压保护电路的电路原理图。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细说明：如图1-3所示，在本具体实施方式中，本技术的正弦波逆变器升压直流电路，包括欠压保护电路1、PWM占空比驱动电路2、逆变升压电路3和全桥整流电路4，PWM占空比驱动电路2与欠压保护电路1电连接，逆变升压电路3与PWM占空比驱动电路2电连接，全桥整流电路4与逆变升压电路3电连接；逆变升压电路3包括纳米非晶变压器T1，场效应管Q3、Q6，电阻R4、R6、R3、R8，二极管D7、D11，电容C15、E4、E2，场效应管Q3的门极串联电阻R3后接地，场效应管Q3的门极与电阻R4的一端电连接，场效应管Q6的门极串联电阻R8后接地，场效应管Q6的门极与电阻R6的一端电连接，场效应管Q3的漏级和场效应管Q6的源极均接地，场效应管Q3的源极与纳米非晶变压器T1的初级的其中一端电连接，场效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种正弦波逆变器升压直流电路，其特征在于：包括欠压保护电路(1)、PWM占空比驱动电路(2)、逆变升压电路(3)和全桥整流电路(4)，所述PWM占空比驱动电路(2)与欠压保护电路(1)电连接，所述逆变升压电路(3)与PWM占空比驱动电路(2)电连接，所述全桥整流电路(4)与逆变升压电路(3)电连接；所述逆变升压电路(3)包括纳米非晶变压器T1，场效应管Q3、Q6，电阻R4、R6、R3、R8，二极管D7、D11，电容C15、E4、E2，所述场效应管Q3的门极串联电阻R3后接地，所述场效应管Q3的门极与电阻R4的一端电连接，所述场效应管Q6的门极串联电阻R8后接地，所述场效应管Q6的门极与电阻R6的一端电连接，所述场效应管Q3的漏级和场效应管Q6的源极均接地，所述场效应管Q3的源极与纳米非晶变压器T1的初级的其中一端电连接，所述场效应管Q6的漏级与纳米非晶变压器T1的初级的另一端电连接，所述纳米非晶变压器T1的初级的中心抽头与电源端DC12电连接，所述电容E2的正极与电源端DC12电连接，所述电容E2的负极接地，所述二极管D7的正极和二极管D11的正极分别与纳米非晶变压器T1的初级的其中一端和纳米非晶变压器T1的初级的另一端电连接。/n...

【技术特征摘要】
1.一种正弦波逆变器升压直流电路，其特征在于：包括欠压保护电路(1)、PWM占空比驱动电路(2)、逆变升压电路(3)和全桥整流电路(4)，所述PWM占空比驱动电路(2)与欠压保护电路(1)电连接，所述逆变升压电路(3)与PWM占空比驱动电路(2)电连接，所述全桥整流电路(4)与逆变升压电路(3)电连接；所述逆变升压电路(3)包括纳米非晶变压器T1，场效应管Q3、Q6，电阻R4、R6、R3、R8，二极管D7、D11，电容C15、E4、E2，所述场效应管Q3的门极串联电阻R3后接地，所述场效应管Q3的门极与电阻R4的一端电连接，所述场效应管Q6的门极串联电阻R8后接地，所述场效应管Q6的门极与电阻R6的一端电连接，所述场效应管Q3的漏级和场效应管Q6的源极均接地，所述场效应管Q3的源极与纳米非晶变压器T1的初级的其中一端电连接，所述场效应管Q6的漏级与纳米非晶变压器T1的初级的另一端电连接，所述纳米非晶变压器T1的初级的中心抽头与电源端DC12电连接，所述电容E2的正极与电源端DC12电连接，所述电容E2的负极接地，所述二极管D7的正极和二极管D11的正极分别与纳米非晶变压器T1的初级的其中一端和纳米非晶变压器T1的初级的另一端电连接。


2.根据权利要求1所述的正弦波逆变器升压直流电路，其特征在于：所述欠压保护电路(1)包括开关电源脉宽调制芯片U1，电阻R7、R9、R10、R11、R13、R12、R15、R16、R17、R18、R19，三极管N1、P1，二极管D10、D3，电容C1、C3、C4、C6，所述开关电源脉宽调制芯片U1的16脚串联电阻R7后与电压基准端VREF电连接，所述开关电源脉宽调制芯片U1的16脚串联电阻R10后接地，所述开关电源脉宽调制芯片U1的15脚串联电阻R9后与电压基准端VREF电连接，所述开关电源脉宽调制芯片U1的15脚串联电阻R11后接地，所述电容C1与电阻R11并联，所述开关电源脉宽调制芯片U1的14脚、13脚和2脚均与电压基准端VREF电连接，所述开关电源脉宽调制芯片U1的12脚、11脚和8脚均与电源端+12V电连接，所述开关电源脉宽调制芯片U1的7脚接地，所述开关电源脉宽调制芯片U1的6脚串联电阻R12后接地，所述开关电源脉宽调制芯片U1的5脚串联电容C3后接地，所述开关电源脉宽调制芯片U1的4脚串联电阻R13后接地，所述电容C4与电阻R13并联，所述开关电源脉宽调制芯片U1的4脚与三极管N1的发射极和三极管P1的集电极电连接，所述三极管N1的集电极和三极管P1的发射极均与电压基准端VREF电连接，所述电阻R15的一端与电压基准端V...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘智君，陈献晓，
申请(专利权)人：嘉兴索罗威新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33