【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光半导体装置的制造方法以及光半导体装置
[0001]本专利技术涉及光半导体装置的制造方法以及光半导体装置。
技术介绍
[0002]光半导体芯片大致分为发光元件和受光元件。其中,作为使用发光元件的光半导体装置,可列举出发光二极管、半导体激光器等。发光元件根据发出的光的波长,用于各种传感器中使用的红外光、作为照明或电子设备的显示光源等使用的可见光或者杀菌或树脂固化等中使用的紫外光等各种用途。无论是哪种光半导体芯片,都要求在各种使用环境下能够长期维持性能的结构。例如,为了实现高可靠性的长期维持,将光半导体芯片收容在封装基板(也称为载体)中的光半导体装置具备如下结构:利用使与光半导体芯片的波长相匹配的光充分透过的透明的窗材(以下记载为透光性窗材)来进行密封,且将光半导体芯片收容在没有外部气体流入的封闭空间(以下,记载为封闭空间)内。而且,形成这种封闭空间的密封方法,一般采用使用AuSn或AgSn等焊料接合材,将设置有发光元件的封装基板等容器与透光性窗材料接合而进行密封的技术。作为光半导体元件的密封技术,例如可列举出以下的专利文献1那 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光半导体装置的制造方法,其具有:安装工序,在由陶瓷构成的封装基板上设置光半导体芯片,保管工序,在第1干燥气氛下保管所述安装工序后的封装基板,载置工序,将所述保管工序后的所述封装基板上的光半导体芯片的周围设为第2干燥气氛下,将透光性窗材借助接合材载置在所述封装基板的接合部,密封工序,在氧浓度1vol%以下的低氧浓度气氛中利用所述接合材将所述接合部和所述透光性窗材接合,从而将所述光半导体芯片封入到由所述封装基板和所述透光性窗材形成的封闭空间内,将所述密封工序后的所述封闭空间的水分浓度设为1000ppm以下、将氧浓度设为3vol%以下。2.根据权利要求1所述的光半导体装置的制造方法,其中,所述第1干燥气氛的水分浓度为1000ppm以下,所述第2干燥气氛的水分浓度为1000ppm以下,且氧浓度为4vol%以下。3.根据权利要求1或2所...
【专利技术属性】
技术研发人员:丸山司,新木隆司,宫地岳广,
申请(专利权)人:同和电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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