一种透射电镜样品载网制造技术

本公开提供一种透射电镜样品载网。本公开的透射电镜样品载网包括：基底，以及位于所述基底一侧向外延伸的至少一个附着部，所述附着部用于附着透射电镜样品；所述附着部的至少一侧边呈阶梯状。该方案的优点在于：可以大量制作透射电镜样品附着于载网附着部上；使用FIB进行半导体研发分析的产能增加；对于FIB和TEM分析，降低了分析周期，提高了研发效率。提高了研发效率。提高了研发效率。

【技术实现步骤摘要】
一种透射电镜样品载网


[0001]本公开涉及半导体
，具体涉及一种透射电镜样品载网。

技术介绍

[0002]随着超大规模集成电路的特征尺寸不断缩小，电子元器件的可靠性问题越来越受到重视，相应的器件失效分析、半导体工艺测试分析需求也越来越迫切。
[0003]半导体工艺测试分析过程中，会采用FIB(聚焦离子束，Focused Ion beam)技术进行TEM(透射电子显微镜，Transmission electron microscope)样品制备，如TEM平面样品、TEM截面样品。然后进行TEM分析，完成半导体工艺测试分析工作。TEM样品的制作步骤如图1所示。
[0004]如图1所示，载网是样品提取(lift
‑
out)工艺中不可缺少的工具，如钼网(Mo grid)、铜网(Cu grid)。样品提取(lift
‑
out)工艺，是直接在欲观察的区域将样品切割下来后，再用微操控器(目前常用的是纳米操作仪)将样品(厚度可以为几十纳米)放在载网上。具体的步骤可以包括：找到感兴趣的区域，在感兴趣的区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种透射电镜样品载网，其特征在于，包括：基底，以及位于所述基底一侧向外延伸的至少一个附着部，所述附着部用于附着透射电镜样品；所述附着部的至少一侧边呈阶梯状。2.根据权利要求1所述的透射电镜样品载网，其特征在于，所述附着部为两边对称的阶梯状结构。3.根据权利要求2所述的透射电镜样品载网，其特征在于，所述附着部与基底接触的底边长为1000微米，另外一侧的顶边长为360微米。4.根据权利要求2或3所述的透射电镜样品载网，其特征在于，所述附着部对称的两侧边呈阶梯状，且包括4个台阶。5.根据权利要求4所述的透射电镜样品载网，其特征在于，每个所述台阶的尺寸为宽80微米、长100微米、...

【专利技术属性】
技术研发人员：李德元，余嘉晗，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：