一种晶元覆膜CSP封装结构制造技术

本申请提供一种晶元覆膜CSP封装结构，包括LED芯片、金属层、荧光胶层和封装胶层，LED芯片底部设有电极，在LED芯片顶部设置荧光胶层，在电极周侧间隔设置有金属层，封装胶层将LED芯片和金属层进行封装，本申请通过设置金属层可充当LED芯片电极的扩展焊盘，增大了CSP的可焊接面积，可以有效地改善现有CSP封装结构有效焊接面积较小问题，提升CSP的焊接附着力和CSP后端产品的可靠性及生产良率，同时在LED芯片顶部先设置荧光胶层，再通过封装胶层进行封装，通过二次覆膜可有效地提升CSP的光效，节能省电，使得发光效率更高。使得发光效率更高。使得发光效率更高。

【技术实现步骤摘要】
一种晶元覆膜CSP封装结构


[0001]本申请属LED封装
，尤其涉及一种晶元覆膜CSP封装结构。

技术介绍

[0002]现有CSP结构比较明显的缺点是焊盘较小，CSP的有效焊接面积较小、附着力较小，导致后端产品的可靠性及生产良率较低。少数使用支架和固晶焊料的CSP结构，虽然有效焊接面积较大，但由于其使用固晶焊料将LED芯片的电极和支架进行电连接，比较明显的缺点是后段的工艺温度不能接近或超过固晶焊料的温度，否则会产生固晶焊料二次熔融的问题。此外，上述两种结构同时存在发光效率低的问题。因此，亟需对现有CSP结构进行进一步改进。

技术实现思路

[0003]本申请为了解决上述技术问题，提供了一种晶元覆膜CSP封装结构。
[0004]本申请采用如下方案，一种晶元覆膜CSP封装结构，包括：
[0005]LED芯片，其底部设有电极，顶部设有荧光胶层；
[0006]金属层，其间隔设于所述电极周侧；
[0007]封装胶层，其封装所述LED芯片和所述金属层，并使所述电极底部表面和所述金属层底部表面裸露。
[0008]如上所述的一种晶元覆膜CSP封装结构，所述荧光胶层包括胶体和混合于所述胶体内的荧光粉，所述荧光粉的发射波长为600nm
‑
780nm。
[0009]如上所述的一种晶元覆膜CSP封装结构，所述荧光粉为红色荧光粉。
[0010]如上所述的一种晶元覆膜CSP封装结构，所述荧光胶层厚度为5微米至500微米。
[0011]如上所述的一种晶元覆膜CSP封装结构，所述封装胶层包括胶体和混合于所述胶体内的荧光粉，所述荧光粉的发射波长为380nm
‑
780nm。
[0012]如上所述的一种晶元覆膜CSP封装结构，所述电极底部表面和所述金属层底部表面处于同一水平线上。
[0013]如上所述的一种晶元覆膜CSP封装结构，所述电极与所述金属层之间的间距大于0.5微米、小于80微米，所述金属层与所述电极之间的间距由所述封装胶层填充。
[0014]如上所述的一种晶元覆膜CSP封装结构，所述的金属层包含一层或多层金属基材，所述的金属基材材质为单材质材料或合金材料，所述单材质材料为金、银、铜、铁、铝或锡，所述金属基材的厚度为1微米至100微米。
[0015]如上所述的一种晶元覆膜CSP封装结构，所述金属基材的底部表面设有焊接薄膜层，所述焊接薄膜层的材料为金、银、铜或锡，所述焊接薄膜层的厚度为0.001微米至5微米；
[0016]所述金属基材与所述封装胶层的接触面设有反射薄膜层，所述反射薄膜层的材料为金、银、铝或铬，所述反射薄膜层的厚度为0.001微米至5微米。
[0017]如上所述的一种晶元覆膜CSP封装结构，所述电极包括间隔设置的第一电极和第
二电极；
[0018]所述金属层包括间隔设置的第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层间隔设于所述第一电极周侧，所述第二金属层间隔设于所述第二电极周侧。
[0019]与现有技术相比，本申请的有益效果如下：
[0020]本申请提供一种晶元覆膜CSP封装结构，包括LED芯片、金属层、荧光胶层和封装胶层，LED芯片底部设有电极，在LED芯片顶部设置荧光胶层，在电极周侧间隔设置有金属层，封装胶层将LED芯片和金属层进行封装，本申请通过设置金属层可充当LED芯片电极的扩展焊盘，增大了CSP的可焊接面积，可以有效地改善现有CSP封装结构有效焊接面积较小问题，提升CSP的焊接附着力和CSP后端产品的可靠性及生产良率，同时在LED芯片顶部先设置荧光胶层，再通过封装胶层进行封装，通过二次覆膜可有效地提升CSP的光效，节能省电，使得发光效率更高，同时本申请的CSP封装结构没有固晶焊料，可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题，解放后端产品的温度局限，适用于多次回流焊的复杂工艺。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0022]图1是本申请实施例中一种晶元覆膜CSP封装结构的结构示意图。
[0023]图2是本申请实施例中一种晶元覆膜CSP封装结构的立体结构示意图。
[0024]图3是本申请实施例中一种晶元覆膜CSP封装结构的截面示意图。
[0025]图4是本申请实施例中一种晶元覆膜CSP封装结构仰视角的结构示意图。
[0026]图5是本申请实施例中金属层的结构示意图。
具体实施方式
[0027]如图1
‑
5所示，一种晶元覆膜CSP封装结构，包括LED芯片1、金属层2、荧光胶层3和封装胶层4，LED芯片1底部设有电极10、顶部设有荧光胶层3，金属层2间隔设于所述电极10周侧，封装胶层4封装所述LED芯片1和所述金属层2，并使所述电极10底部表面和所述金属层2底部表面裸露。
[0028]本申请提供一种晶元覆膜CSP封装结构，包括LED芯片、金属层、荧光胶层和封装胶层，LED芯片底部设有电极，在LED芯片顶部设置荧光胶层，在电极周侧间隔设置有金属层，封装胶层将LED芯片和金属层进行封装，本申请通过设置金属层可充当LED芯片电极的扩展焊盘，增大了CSP的可焊接面积，可以有效地改善现有CSP封装结构有效焊接面积较小问题，提升CSP的焊接附着力和CSP后端产品的可靠性及生产良率，同时在LED芯片顶部先设置荧光胶层，再通过封装胶层进行封装，通过二次覆膜可有效地提升CSP的光效，节能省电，使得发光效率更高，同时本申请的CSP封装结构没有固晶焊料，可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题，解放后端产品的温度局限，适用于多次回流焊的复杂工艺。
[0029]如上所述的一种晶元覆膜CSP封装结构，所述荧光胶层3包括胶体和混合于所述胶体内的荧光粉，所述荧光粉为发射波长600nm
‑
780nm的红色荧光粉。所述的胶体一般为硅
胶、改性硅树脂、环氧树脂等热固性透明材料，优选的材料为硅胶。所述荧光粉的发射波长为600～780nm。所述的荧光粉一般为掺杂的铝酸盐、掺杂的硅酸盐、掺杂的氮化物、掺杂的氟化物、掺杂的硫化物等一种或多种材料。所述的荧光粉一般在荧光胶内的重量占比为0％至90％，优选的比例为20％至75％。
[0030]如上所述的一种晶元覆膜CSP封装结构，所述荧光胶层3厚度为5微米至500微米，本申请的LED芯片制作时，先制作含电极和发光层的晶元片，再在晶元片上设置只含红粉的荧光胶，最后切割成含第一层的荧光胶的单颗芯片，本申请在LED芯片顶部设置荧光胶层使得发光效率更高。
[0031]如上所述的一种晶元覆膜CSP封装结构，所述封装胶层4包括胶体和混合于所述胶体内的荧光粉，所述荧光粉的发射波长为380nm
‑
780nm。所述的胶体一般为硅胶、改性硅树脂、环氧树脂等热固性透明材料，优选的材料为硅胶。所述的荧光粉一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶元覆膜CSP封装结构，其特征在于，包括：LED芯片(1)，其底部设有电极(10)，顶部设有荧光胶层(3)；金属层(2)，其间隔设于所述电极(10)周侧；封装胶层(4)，其封装所述LED芯片(1)和所述金属层(2)，并使所述电极(10)底部表面和所述金属层(2)底部表面裸露。2.根据权利要求1所述的一种晶元覆膜CSP封装结构，其特征在于：所述荧光胶层(3)包括胶体和混合于所述胶体内的荧光粉，所述荧光粉的发射波长为600nm
‑
780nm。3.根据权利要求2所述的一种晶元覆膜CSP封装结构，其特征在于：所述荧光粉为红色荧光粉。4.根据权利要求1或2所述的一种晶元覆膜CSP封装结构，其特征在于：所述荧光胶层(3)厚度为5微米至500微米。5.根据权利要求1所述的一种晶元覆膜CSP封装结构，其特征在于：所述封装胶层(4)包括胶体和混合于所述胶体内的荧光粉，所述荧光粉的发射波长为380nm
‑
780nm。6.根据权利要求1所述的一种晶元覆膜CSP封装结构，其特征在于：所述电极(10)底部表面和所述金属层(2)底部表面处于同一水平线上。7.根据权利要求1所述的一种晶元覆膜CSP封装结构，其特征在于：所述电极(10)与所述金属层(2)...

【专利技术属性】
技术研发人员：皮保清，王洪贯，罗德伟，石红丽，
申请(专利权)人：中山市木林森电子有限公司，
类型：新型
国别省市：