半导体封装结构和半导体封装结构的制备方法技术

技术编号:33352783 阅读:25 留言:0更新日期:2022-05-08 10:02
本发明专利技术的实施例提供了一种半导体封装结构和半导体封装结构的制备方法,涉及半导体封装技术领域,该半导体封装结构包括基板、第一芯片、第二芯片、散热柱、第一塑封体和焊球,散热柱设置在基板的一侧表面并位于第一芯片和第二芯片之间,基板的一侧表面设置有金属层,散热柱的底部与金属层连接,并用于对基板进行散热。通过在第一芯片和第二芯片之间设置有散热柱,散热柱设置在基板的金属层上,能够起到良好的散热效果。相较于现有技术,本发明专利技术提供的半导体封装结构,能够实现对基板良好的散热效果,进而提升整个器件的散热能力,保证器件性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构和半导体封装结构的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
,具体而言,涉及一种半导体封装结构和半导体封装结构的制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的快速发展,双面封装产品结构或多芯片封装产品结构,主要是在基板的正反面或单侧形成封装结构,由于在基板上形成半导体封装结构中存在多种封装材料,并且均需要对多个芯片进行封装,导致基板和芯片的散热能力差,影响器件的性能。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的包括,例如,提供了一种半导体封装结构和半导体封装结构的制备方法,其能够提升器件的散热能力。
[0004]本专利技术的实施例可以这样实现:
[0005]第一方面,本专利技术提供一种半导体封装结构,包括:
[0006]基板;
[0007]间隔贴装在所述基板一侧表面的第一芯片和第二芯片;
[0008]设置在所述基板一侧表面,并位于所述第一芯片和所述第二芯片之间的散热柱;
[0009]设置在所述基板的一侧表面,并至少包覆在所述第一芯片和所述第二芯片外的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:基板;间隔贴装在所述基板一侧表面的第一芯片和第二芯片;设置在所述基板一侧表面,并位于所述第一芯片和所述第二芯片之间的散热柱;设置在所述基板的一侧表面,并至少包覆在所述第一芯片和所述第二芯片外的第一塑封体;以及,设置在所述基板的另一侧表面的焊球;其中,所述第一芯片和所述第二芯片均与所述基板电连接,所述基板的一侧表面设置有金属层,所述散热柱的底部与所述金属层连接,并用于对基板进行散热,所述焊球与基板电连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构还包括:贴装在所述基板另一侧表面的第三芯片;以及,设置在所述基板的另一侧表面,并包覆在所述第三芯片外的第二塑封体;其中,所述焊球位于所述第二塑封体的至少两侧。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一塑封体还包覆在所述散热柱外。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构,其特征在于,所述散热柱上设置有多个散热槽,且每个所述散热槽由所述散热柱的表面贯穿至所述金属层的表面。5.根据权利要求4所述的半导体封装结构,其特征在于,所述金属层的表面还设置有多个第一凹槽,多个所述第一凹槽位于所述散热柱的底部,并对应地与多个所述散热槽连通。6.根据权利要求3所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一芯片和所述第二芯片厚度相同,且所述第一塑封体远离所述基板的一侧表面与所述第一芯片之间的距离H1大于所述第一塑封体远离所述基板的一侧表面与所述散热柱之间的距离H2。7.根据权利要求6所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一塑封体远离所述基板的一侧表面与所述第一芯片之间的距离H1为所述第一塑封体远离所述基板的一侧表面与所述散热柱之间的距离H2的两倍。8.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述基板内设置有布线层,所述基板的另一侧表面设置有与所述布线层电连接的金属焊盘,所述焊球设置在所述金属焊盘上。9.根据权利要求8所述的半导体封装结构,其特征在于,所述金属焊盘的表面还设置有第二凹槽,所述焊球覆盖在所述第二凹槽上。10.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一塑封体上形成有贯通至所述基板的让位开口槽,所述让位开口槽与所述散热柱对应,以使所述散热柱暴露在所述第一塑封体外。11.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:马秀清王森民
申请(专利权)人:甬矽电子宁波股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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