一种高集成的单陶瓷基板双面散热封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种高集成的单陶瓷基板双面散热封装结构，包括陶瓷基板、上桥臂的SiC肖特基二极管、上桥臂的SiC MOSFET、下桥臂的SiC肖特基二极管、下桥臂的SiC MOSFET、第一金属端子盖板、第二金属端子盖板、第三金属端子盖板、第四金属端子盖板、第五金属端子盖板、第六金属端子盖板及第七金属端子盖板，该结构具有高集成度、低寄生参数、高散热效率、高功率密度及便于级联的特点。及便于级联的特点。及便于级联的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种高集成的单陶瓷基板双面散热封装结构


[0001]本专利技术涉及一种封装结构，具体涉及一种高集成的单陶瓷基板双面散热封装结构。

技术介绍

[0002]随着电力电子技术的飞速发展，AC
‑
AC矩阵变换器得到了工业上的广泛应用。相比于传统自然换流变频器，矩阵变换器具有动态响应快，可实现电机四象限运行，输出功率因数可控，输出电压和频率范围连续可调的优点。
[0003]SiC器件以其低导通电阻、高击穿电压、高开关速度和低开关损耗的优势日益取代Si器件，成为矩阵变换器的重要元器件。这在一定程度上提高了矩阵变换器的功率密度。
[0004]然而，目前的商用矩阵变换器模块封装存在以下问题：
①
多采用单面陶瓷基板结构，散热效率低，
②
平面功率回路寄生电感大，
③
所有芯片集成在一个模块中，当出现单个芯片损坏时，无法灵活更换，导致整个模块报废，
④
不易于级联，不宜于灵活改变矩阵变换器结构。
[0005]为解决上述问题，设计一种具有高集成度、低寄生参数、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高集成的单陶瓷基板双面散热封装结构，其特征在于，包括陶瓷基板(100)、上桥臂的SiC肖特基二极管(114)、上桥臂的SiC MOSFET(115)、下桥臂的SiC肖特基二极管(116)、下桥臂的SiC MOSFET(117)、第一金属端子盖板(118)、第二金属端子盖板(119)、第三金属端子盖板(120)、第四金属端子盖板(121)、第五金属端子盖板(122)、第六金属端子盖板(123)及第七金属端子盖板(124)；陶瓷基板(100)的一侧面上设置有第一栅极金属化区域(101)、第一开尔文源极金属化区域(102)、第一金属化区域(105)及第二功率源极(中点AC)金属化区域(108)、第一功率源极(中点AC)金属化区域(106)及第三栅极金属化区域(107)；陶瓷基板(100)的另一侧面上设置有第二栅极金属化区域(103)、第二开尔文源极金属化区域(104)、第二金属化区域(109)、第四功率源极(中点AC)金属化区域(112)、第三金属化区域(113)、第三功率源极(中点AC)金属化区域(110)及第四栅极金属化区域(111)；上桥臂的SiC MOSFET(115)与第三栅极金属化区域(107)及第一功率源极(中点AC)金属化区域(106)相连接，第三栅极金属化区域(107)与第二栅极金属化区域(103)通过过孔形成电气连通，第二栅极金属化区域(103)与第四金属端子盖板(121)相连接，第四金属端子盖板(121)对应为上桥臂SiC MOSFET的栅极；第一功率源极(中点AC)金属化区域(106)与第二开尔文源极金属化区域(104)通过过孔形成电气连通，第二开尔文源极金属化区域(104)与第五金属端子盖板(122)相连接，第五金属端子盖板(122)对应为上桥臂SiC MOSFET的开尔文源极；上桥臂的SiC肖特基二极管(114)与第二功率源极(中点AC)金属化区域(108)相连接，上桥臂SiC MOSFET的漏极与上桥臂SiC肖特基二极管的阴极通过第三金属端子盖板(120)相连接，第三金属端子盖板(120)对应为矩阵变换其子模块的DC+端；第二功率源极(中点AC)金属化区域(108)与第四功率源极(中点AC)金属化区域(112)通过过孔形成电气连通，第二功率源极(中点AC)金属化区域(108)通过过孔与第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王来利，朱梦宇，于龙洋，杨成子，齐志远，杨奉涛，伍敏，李华清，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：