一种高选择性卤化饱和碳氢键合成卤代烷烃的方法技术

本发明专利技术公开了一种在电化学条件下，将烷烃中的饱和碳氢键高度选择性地氯化或溴化为相应的氯代或溴代烷烃的合成方法，涉及药物合成技术领域。所述的合成方法包括：在电化学反应池中，将烷烃、催化剂、电解质以及卤源溶解于溶剂中，连接电极，室温通电反应，即可将烷烃中的饱和碳氢键选择性卤化为相应的卤代烷烃。该方法可广泛应用于多种药物的大批量合成。法可广泛应用于多种药物的大批量合成。

【技术实现步骤摘要】
一种高选择性卤化饱和碳氢键合成卤代烷烃的方法


[0001]本专利技术涉及药物合成
，尤其涉及一种电化学条件下高选择性卤化饱和碳氢键为卤代烷烃的合成方法。

技术介绍

[0002]饱和C(sp3)
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H键在有机分子和药物分子中广泛存在，利用化学方法实现饱和C(sp3)
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H键官能团化对药物的绿色高效合成、药物分子的惰性位点进行结构改造及活性药物分子的发现具有重要意义。首先，大量中草药组分、活性天然药物分子中均含有氯或溴原子，如万古霉素、氯硫酯、氯沙坦、地西泮、氨溴索等。此外，卤代物广泛应用于药物合成转化。因此，通过高选择性地活化饱和碳氢键而直接引入卤原子，不仅可绿色高效地合成已知的药物分子，还可用于发现全新的高活性药物分子。然而，由于C(sp3)
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H键键能大，活化过程往往需要较高的能量，此外，不同位点的C(sp3)
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H键差别小，因此选择性地卤化C(sp3)
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H键至今仍存在巨大的挑战。据文献报道，目前已报道的选择性地卤化饱和C(sp3)
‑<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高选择性卤化饱和碳氢键合成卤代烷烃的方法，其特征在于所述的合成方法为，在电化学反应池中，将烷烃、催化剂、电解质以及卤源溶解于溶剂中，连接电极，室温通电反应，即可将烷烃中的饱和碳氢键选择性卤化为相应的卤代烷烃，其中，所述的电极：阳极为碳或石墨毡或玻碳或锌或镁或铝或锡或铁或锰或镍或铜或铅或钴或钛中的一种或其合金；阴极为碳或石墨毡或玻碳或锌或镁或铝或锡或铁或锰或镍或铜或铅或钴或钢或银或铂或汞或铬或钛中的一种或其合金；所述的电解质为：阳离子与阴离子组成的盐；所述的催化剂为：N
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羟基邻苯二甲酰亚胺(NHPI)或苯基取代的N
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羟基邻苯二甲酰亚胺；所述的卤源为：盐酸(aq.5％～37％)、氢溴酸、卤化锂、卤化钠、卤化钾、卤化镁、卤化钙、三卤化铝、卤化锌、N
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卤代丁二酰亚胺(NXS)、二卤海因、四烷基卤化铵中的一种或两种及以上的混合物；此处所述的卤为氯或溴；此处所述的烷基为甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、十六烷基；烷烃：卤源：催化剂的物质的量比例为1：(0.1～1000)：(0.01～100)。2.根据权利要求1所述的高选择性卤化饱和碳氢键合成卤代烷烃的方法，其特征在于，所述的电化学反应池为分隔池或非分隔池。3.根据权利要求1所述的高选择性卤化饱和碳氢键合成卤代烷烃的方法，其特征在于，所述的溶剂为乙腈、二氯甲烷(DCM)、二氯乙烷(DCE)、N,N
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二甲基甲酰胺(DMF)、1,4
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二氧六环、丙酮、甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、六氟异丙醇、三氟乙醇、氯仿、二甲基亚砜、四氯化碳、水中的一种或两种及以上的混合物。4.根据权利要求1所述的高选择性卤化饱和碳氢键合成卤代烷烃的方法的方法，其特征在于，所述的烷烃为下图式(1)所示化合物，卤代烷烃产物为下图式(2)所示化合物：其中，R，R
’
和R”为氢或芳基或杂环芳基或烷基或环烷基或连有卤素、氧、氮、硅、磷、硫原子的烷基或芳基；或R，R
’
和R”连接在一起，形成脂肪环或芳环化合物。5.根据权利要求1所述的高选择性卤化饱和碳氢键合成卤代烷烃的方法，其特征在于所述的电极，阳极为碳或石墨毡或玻碳或锌或镁或铝或锡或铁或锰或镍或铜或铅或钴或钛及其合金；阴极为碳或石墨毡或玻碳或锌或镁或铝或锡或铁或锰或镍或铜或铅或钴或钢或银或...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳忠全，赵建友，郑婷芬，
申请(专利权)人：江苏诺维尔医药科技有限公司，
类型：发明
国别省市：