固态成像装置和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及固态成像装置和电子设备。其中固态成像装置可包括：像素阵列单元，所述像素阵列单元包括多个像素，所述多个像素包括第一像素和邻近所述第一像素的第一侧的第二像素；第一多段遮光壁，所述第一多段遮光壁设置在所述第一像素和所述第二像素之间，所述第一多段遮光壁包括：第一遮光壁，所述第一遮光壁贯穿第一膜；和第二遮光壁，所述第二遮光壁贯穿第二膜，并且在横截面图中，所述第二遮光壁沿朝向所述像素阵列单元的外围的方向从所述第一遮光壁偏移；第一遮光膜，所述第一遮光膜与所述第二遮光壁的第一端接触，其中，所述第一遮光膜的宽度大于所述第二遮光壁的最大宽度。光膜的宽度大于所述第二遮光壁的最大宽度。光膜的宽度大于所述第二遮光壁的最大宽度。

【技术实现步骤摘要】
固态成像装置和电子设备
[0001]本申请是申请日为2016年1月4日、专利技术名称为“固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备”的申请号为201680000828.4的专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备，具体地，涉及一种能够提高斜光特性和灵敏度的固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备。

技术介绍

[0003]关于CMOS固态成像装置，已知有前照型和背照型。在前照型CMOS固态成像装置中，通过将基板前表面设定为光接收面，使光进入该基板表面的形成有多层配线层和像素晶体管的前表面侧。在背照型CMOS固态成像装置中，通过将基板的后表面设定为光接收面，使光进入作为形成有多层配线层和像素晶体管的基板前表面的相反侧的后表面侧(例如，参见专利文献1)。
[0004]在背照型中，光不受多层配线层的限制而进入光电二极管。因此，在相同像素间距的条件下比较两种类型的情况下，在背照型中光电二极管的开口可以形成得比前照型宽，并且能够实现比前照型更高的灵敏度。另外，由于背照型在光接收本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种固态成像装置，包括：像素阵列单元，所述像素阵列单元包括多个像素，所述多个像素包括第一像素和邻近所述第一像素的第一侧的第二像素；第一多段遮光壁，所述第一多段遮光壁设置在所述第一像素和所述第二像素之间，所述第一多段遮光壁包括：第一遮光壁，所述第一遮光壁贯穿第一膜；和第二遮光壁，所述第二遮光壁贯穿第二膜，并且在横截面图中，所述第二遮光壁沿朝向所述像素阵列单元的外围的方向从所述第一遮光壁偏移；第一遮光膜，所述第一遮光膜与所述第二遮光壁的第一端接触，其中，所述第一遮光膜的宽度大于所述第二遮光壁的最大宽度。2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，所述第一遮光壁和所述第二遮光壁由相同的材料制成。3.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，所述第一遮光膜部分地覆盖所述第二像素的光电转换区。4.根据权利要求1所述的固态成像装置，还包括：所述多个像素中的第三像素，所述第三像素邻近所述第一像素的第二侧，所述第一像素的所述第二侧与所述第一像素的所述第一侧相对；第二多段遮光壁，所述第二多段遮光壁位于所述第一像素和所述第三像素之间，所述第二多段遮光壁包括：第三遮光壁，所述第三遮光壁贯穿所述第一膜；和第四遮光壁，所述第四遮光壁贯穿所述第二膜，并且在所述横截面图中，所述第四遮光壁沿所述朝向所述像素阵列单元的外围的方向从所述第三遮光壁偏移；以及第二遮光膜，所述第二遮光膜与所述第四遮光壁的第一端接触，其中，所述第二遮光膜的宽度大于所述第四遮光壁的最大宽度。5.根据权利要求4所述的固态成像装置，其中，所述第二遮光膜的所述宽度小于所述第一遮光膜的所述宽度。6.根据权利要求4所述的固态成像装置，其中，所述第二遮光膜的所述宽度与所述第一遮光膜的所述宽度相同。7.根据权利要求5所述的固态成像装置，其中，所述第三像素、所述第一像素和所述第二像素按此顺序布置在所述像素阵列...

【专利技术属性】
技术研发人员：葭叶一平，大塚洋一，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：