基于库仑计的坏块检测方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基于库仑计的坏块检测方法、设备及存储介质，该方法包括：在对非易失性存储器进行检测的过程中，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能；判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内；将一个或多个操作所消耗的电能不在预设范围内的块标记为坏块。由此，通过库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能，将电能异常的坏块标记为坏块，可以及早准确发现非易失性存储器的坏块，避开对风险区域的操作，可以极大提高非易失性存储器的使用寿命。使用寿命。使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
基于库仑计的坏块检测方法、装置、设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及半导体存储器
，尤其涉及一种基于库仑计的坏块检测方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]随着信息化的发展，人们对数据存储设备的要求越来越高，Nand flash(非易失存储器)是被广泛使用的读写速度快、容量高、成本低的存储器。由于Nand flash的自身结构和制造技术问题，导致这种Nand flash在生产和使用过程都会产生一些坏块，坏块会影响数据的存储。若未在存储前将坏块识别出来，容易导致数据存储异常。当前的坏块一般是通过扫描方式进行检测，但是扫描的方式难以识别出隐藏得比较深的坏块，进而坏块识别的准确度不够高，Nand flash中可能会存在未被检出的坏块。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种基于库仑计的坏块检测方法、装置、设备、设备及存储介质，旨在提高坏块识别的准确性，提高非易失性存储器的使用寿命。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供所述非易失存储器的引脚上连接有库仑计芯片，所述方法包括：
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于库仑计的坏块检测方法，其特征在于，所述方法应用于非易失存储器的坏块检测设备，所述非易失存储器的引脚上连接有库仑计芯片，所述方法包括：在对非易失性存储器进行检测的过程中，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能；判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内；将一个或多个操作所消耗的电能不在预设范围内的块标记为坏块。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在对非易失性存储器进行检测的过程中，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的电能的步骤包括：在擦除操作中，通过所述库仑计芯片记录非易失性存储器上各个块消耗的擦除电能；在写入操作中，通过所述库仑计芯片记录非易失性存储器上各个块消耗的写入电能；在读取操作中，通过所述库仑计芯片记录非易失性存储器上各个块消耗的读取电能。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内的步骤之前还包括：基于验证实验确定各个操作的电能消耗统计曲线，其中所述各个操作的电能消耗统计曲线均满足正态分布规律。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于验证实验确定各个操作的电能消耗统计曲线的步骤包括：对大量标准非易失性存储器进行检测，通过所述库仑计芯片记录各个操作所消耗的测试电能；分别统计各个操作所消耗的测试电能，获得擦除电能消耗统计曲线、写入电能消耗统计曲线以及读取电能消耗统计曲线。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述判断各个操作所消耗的电能是否都在预设范围内的步骤之前还包括：基于2σ准则确定各个操作对应的所述预设范围。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭四方，
申请(专利权)人：深圳市德明利技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：