抛光组合物及其使用方法技术

本公开涉及抛光组合物，所述抛光组合物包含至少一种磨料；至少一种氮化物去除速率降低剂、酸或碱；和水。至少一种氮化物去除速率降低剂可以包括含有C4至C

【技术实现步骤摘要】
抛光组合物及其使用方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年11月6日提交的序列号17/091,260的美国申请的优先权，其内容通过引用整体并入本文。

技术介绍

[0003]通过工艺和集成创新使器件进一步小型化，从而不断推动半导体行业提高芯片性能。化学机械抛光/平坦化(CMP)是一项强大的技术，因为它使许多复杂的晶体管级集成方案成为可能，从而有助于增加芯片密度。

技术实现思路

[0004]晶体管通常在生产线前端(FEOL)晶体管制造步骤中被制造。FEOL材料叠层通常包括金属栅极和多个介电材料叠层。每个集成电路中的数十亿个有源组件的电气隔离是FEOL中的目标，并且可以使用浅沟槽隔离(STI)工艺来实现。出于示意目的，图1中显示了STI工艺的一部分。从图1中可以看出，在STI CMP工艺之前，热氧化硅和SiN可以被沉积在硅(例如，硅晶片)的顶部(图1(a))，然后被蚀刻掉以创建沟槽/隔离和“有源”非沟槽区(以形成含晶体管的区)(图1(b))。此后，可以通过在沟槽中沉积(例如，通过使用等离子体增强化学气相沉积(PE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抛光组合物，包含：至少一种磨料；至少一种氮化物去除速率降低剂，包含：疏水部分，包含C4至C
40
烃基；和亲水部分，包含至少一种选自由亚硫酸基、硫酸基、磺酸基、羧基、磷酸基和膦酸基组成的组的基团；其中，所述疏水部分和所述亲水部分由0至10个环氧烷基团隔开；与所述至少一种氮化物去除速率降低剂不同的至少一种金属腐蚀抑制剂，所述至少一种金属腐蚀抑制剂包含氨基酸、膦酸酯表面活性剂、磷酸酯表面活性剂、硫酸酯表面活性剂、磺酸酯表面活性剂、葡萄糖酰胺表面活性剂、唑、酰亚胺、恶唑、硫脲或席夫碱；酸或碱；以及水；其中，所述抛光组合物的pH值为约2至约6.5。2.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述至少一种金属腐蚀抑制剂包括苯并三唑、组氨酸、甘氨酸、磷酸己酯、磷酸异辛酯、磷酸2
‑
乙基己酯或十二烷基苯磺酸。3.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述至少一种金属腐蚀抑制剂的量为所述组合物的约0.1ppm至约1wt％。4.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述疏水部分包含C
12
至C
32
烃基。5.如权利要求4所述的抛光组合物，其中，所述疏水部分包含C
16
至C
22
烃基。6.如权利要求1
‑
5中任一项所述的抛光组合物，其中，所述亲水部分包含磷酸基或膦酸基。7.如权利要求1
‑
5中任一项所述的抛光组合物，其中，所述至少一种氮化物去除速率降低剂选自由以下组成的组：萘磺酸
‑
福尔马林缩合物、月桂醇磷酸酯、肉豆蔻醇磷酸酯、硬脂醇磷酸酯、十八烷基膦酸、油醇磷酸酯、磷酸二十二烷基酯、十八烷基硫酸酯、三十二烷基磷酸酯、油醇聚醚
‑3‑
磷酸酯和油醇聚醚
‑
10
‑
磷酸酯。8.如权利要求1
‑
5中任一项所述的抛光组合物，其中，所述至少一种氮化物去除速率降低剂具有0个将所述疏水部分和所述亲水部分隔开的环氧烷基团。9.如权利要求1
‑
5中任一项所述的抛光组合物，其中，所述至少一种氮化物去除速率降低剂的量为所述组合物的约0.1ppm至约1000ppm。10.如权利要求1
‑
5中任一项所述的抛...

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：富士胶片电子材料美国有限公司，
类型：发明
国别省市：