具有调制光源的对准传感器制造技术

一种用于确定衬底的对准的设备和方法，其中，对对准标记进行照射的辐射源的强度是根据系统中的用于将模拟信号转换成数字信号的元件处于对所述信号进行采样的模式还是处于对所述信号进行转换并且因此对所述信号中的改变不敏感的模式而变化的，因而降低了所述衬底或系统光学部件暴露于所述照射辐射的量。或系统光学部件暴露于所述照射辐射的量。或系统光学部件暴露于所述照射辐射的量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有调制光源的对准传感器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年9月30日提交的美国临时专利申请号62/908,101的优先权，并且所述申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本公开涉及使用光刻技术的器件制造。具体地，本公开涉及用于感测和分析掩模版和晶片上的对准标记以表征和控制半导体光刻过程的装置。

技术介绍

[0004]光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。对于该应用，可以将图案形成装置(还被称为“掩模”或“掩模版”)用于生成要形成在IC的单层上的电路图案。可以将这种图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个管芯或若干个管芯)上。通常通过成像到在衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻的目标部分的网络。
[0005]已知的光刻设备包括：所谓的步进器，在步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐照每个目标部分；以及所谓的扫描器，在扫描器中，通过在辐射束沿给定方向(“扫描”方向)来扫描图案的同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于测量衬底上的对准标记的设备，所述设备包括：辐射源，所述辐射源适于照射所述对准标记，所述辐射源被配置成具有第一状态和第二状态，在所述第一状态下所述辐射源产生具有第一强度的辐射，在所述第二状态下所述辐射源产生具有小于所述第一强度的第二强度的辐射；检测器，所述检测器被布置成检测由所述对准标记衍射的辐射的强度并且产生指示所述强度的信号；以及转换器，所述转换器被布置成接收所述信号并且至少部分地基于所述信号来产生数字信号，所述转换器被配置成具有第一模式和第二模式，在所述第一模式下所述转换器对所述信号进行采样，在所述第二模式下所述转换器不对所述信号进行采样，所述辐射源被配置成在当所述转换器处于所述第二模式时的时间段的至少一部分内产生具有所述第二强度的辐射。2.根据权利要求1所述的用于测量衬底上的对准标记的设备，还包括衰减器轮，所述衰减器轮被光学地定位成使来自所述辐射源的辐射衰减。3.根据权利要求1所述的用于测量衬底上的对准标记的设备，其中，所述转换器被配置成产生指示所述转换器是否处于所述第二模式的信号，并且所述设备还包括控制器，所述控制器被布置成接收所述信号并且被配置成至少部分地基于所述信号来控制所述辐射源的强度。4.根据权利要求1所述的用于测量衬底上的对准标记的设备，其中，所述第一模式是采样模式并且所述第二模式是保持模式。5.一种用于测量衬底上的对准标记的参数的设备，所述设备包括：辐射源，所述辐射源适于照射所述对准标记；检测器，所述检测器被布置成检测由所述对准标记衍射的辐射的强度并且产生指示所述强度的信号；以及转换器，所述转换器被布置成接收所述信号并且至少部分地基于所述信号来产生数字信号，所述转换器具有第一模式和第二模式，在所述第一模式下所述转换器对所述信号进行采样，在所述第二模式下所述转换器不对所述信号进行采样，所述辐射源被配置成在当所述转换器处于所述第二模式时的时间段的至少一部分内降低由所述辐射源输出的辐射的强度。6.根据权利要求5所述的用于测量衬底上的对准标记的设备，其中，所述辐射源包括衰减器轮。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿里，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：