一种光刻提高对准精度的异向多点同步错位对准法制造技术

本发明专利技术涉及光刻技术领域，具体来说是一种光刻提高对准精度的异向多点同步错位对准法，包括两个或两个以上基准点1和对准点2，具体如下：a.将实际基准点相对于目标基准点1偏位设置，偏移的距离小于等于目标基准点1的可接受误差半径;b.将多个实际基准点相对于目标基准点1偏离方向异向设置，所述的异向设置是多个实际基准点相对于目标基准点偏移圆心方向相反设置;c.将对准点与实际基准点对准。本发明专利技术同现有技术相比，其优点在于：克服了现有技术的偏见，解决了光学波长等技术的限制，将对准点和基准点人为偏置，降低对准误差，提高对准精度，设置点数越多，相互的牵制约束越多。相互的牵制约束越多。相互的牵制约束越多。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻提高对准精度的异向多点同步错位对准法


[0001]本专利技术涉及光刻
，具体来说是一种光刻提高对准精度的异向多点同步错位对准法。

技术介绍

[0002]半导体技术继续沿着摩尔定律发展，临界尺寸越来越小，芯片的集成度也 越来越高，这对半导体制造工艺提出了越来越严格的要求，因此必须在工艺过程中尽可能地减小每一步骤的误差，降低因误差造成的器件失效。
[0003]在半导体制造过程中，光刻工艺作为每一个技术代的核心技术而发展。光 刻是将掩模板(mask)上图形形式的电路结构通过对准、曝光、显影等步骤转印到涂有光刻胶的硅片表面的工艺过程，光刻工艺会在硅片表面形成一层光刻胶掩蔽图形，其后续工艺是刻蚀或离子注入。标准的CMOS工艺中，需要用到数十次的光刻步骤，而影响光刻工艺误差的因素，除了光刻机的分辨率之外，还有对准的精确度。光刻时，一般都是在掩模版和光刻件设置基准点和对准点，两个完全相同对应的位置，由于光的波长、光学系统等等原因产生的误差，使对准有一定的误差值，如图1所示。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻提高对准精度的异向多点同步错位对准法，包括两个或两个以上基准点和对准点，其特征在于a.将实际基准点相对于目标基准点偏位设置，偏移的距离小于等于目标基准点的可接受误差半径；b.将多个实际基准点相对于目标基准点偏离方向异向设置；c.将对准点与实际基准点对准。2.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：李荣宝，
申请(专利权)人：上海大溥实业有限公司，
类型：发明
国别省市：