切割系统以及切割方法技术方案

所公开的切割系统具备：保护层形成装置；图案化装置；等离子体处理装置；测定装置，对与保护层有关的第1加工数据、与掩模有关的第2加工数据以及与元件芯片有关的第3加工数据的至少一个进行获取；控制部，使保护层形成装置、图案化装置以及等离子体处理装置的至少一个基于按照每个装置而确定的方案来进行动作。控制部基于第1加工数据、第2加工数据以及第3加工数据的至少一个来判断是否变更方案，在需要方案的变更的情况下，变更方案的至少一个，使保护层形成装置、图案化装置以及等离子体处理装置的至少一个基于被变更的方案来进行动作。置的至少一个基于被变更的方案来进行动作。置的至少一个基于被变更的方案来进行动作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】切割系统以及切割方法


[0001]本专利技术涉及使用了等离子体的基板的切割系统以及切割方法。

技术介绍

[0002]作为将基板分割来制作多个元件芯片的方法，提出了以下方法：在通过保护层来覆盖了基板之后，将保护层图案化并形成掩模，接下来，对从掩模露出的基板进行等离子体蚀刻(专利文献1)。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：JP特表2015
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519732号公报

技术实现思路

[0006]‑
专利技术要解决的课题
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[0007]通过等离子体蚀刻而制作的元件芯片经由形成保护层的工序、将保护层图案化的工序、等离子体蚀刻的工序等的多个工序而制作。因此，若通过各工序而制作的保护层、掩模的形状、蚀刻量等存在偏差，则元件芯片的形状以及品质不稳定。
[0008]‑
解决课题的手段
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[0009]本专利技术的一方面涉及一种切割系统，具备：保护层形成装置，在基板的表面形成保护层；图案化装置，将所述保护层图案化来形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种切割系统，具备：保护层形成装置，在基板的表面形成保护层；图案化装置，将所述保护层图案化来形成掩模；等离子体处理装置，对从所述掩模露出的所述基板进行等离子体蚀刻，形成多个元件芯片；测定装置，获取从包含与所述保护层有关的第1加工数据、与所述掩模有关的第2加工数据以及与所述元件芯片有关的第3加工数据的组选择的至少一个加工数据；和控制部，基于按每个装置而确定的方案，使从包含所述保护层形成装置、所述图案化装置以及所述等离子体处理装置的组选择的至少一个装置进行动作，所述控制部基于获取到的所述至少一个加工数据之中的至少一个，判断是否变更所述方案，在需要所述方案的变更的情况下，变更所述方案的至少一个，基于被变更的所述方案，使从包含所述保护层形成装置、所述图案化装置以及所述等离子体处理装置的组选择的至少一个装置进行动作。2.根据权利要求1所述的切割系统，其中，所述控制部基于所述第3加工数据来判断是否变更所述方案。3.根据权利要求2所述的切割系统，其中，所述第3加工数据包含表示所述元件芯片的端面处的形状的参数。4.根据权利要求3所述的切割系统，其中，所述控制部在需要所述方案的变更的情况下，变更与所述等离子体处理装置有关的所述方案。5.根据权利要求2所述的切割系统，其中，所述第3加工数据包含表示对所述元件芯片的表面进行覆盖的掩模的表面的状态的参数。6.根据权利要求5所述的切割系统，其中，所述控制部在需要所述方案的变更的情况下，变更与所述保护层形成装置以及所述图案化装置有关的所述方案的至少一个。7.根据权利要求1～6的任一项所述的切割系统，其中，所述控制部基于所述第2加工数据来判断是否变更所述方案。8.根据权利要求7所述的切割系统，其中，所述第2加工数据包含图案化宽度。9.根据权利要求8所述的切割系统，其中，所述控制部在需要所述方案的变更的情况下，变更与所述图案化装置有关的所述方案。10.根据权利要求1～9的任一项所述的切割系统，其中，所述切割系统还具备：模拟器，基于所述第2加工数据以及与所述等离子体处理装置有关的所述方案，计算与所述元件芯片有关的预测数据；和运算部，对所述预测数据与所述第3加工数据的差进行计算。11.根据权利要求10所述的切割...

【专利技术属性】
技术研发人员：辨野宏，田村好司，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：