【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置及衬底处理方法
[0001]本专利技术涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。
技术介绍
[0002]众所周知，半导体装置及液晶显示装置等的电子零件所使用的衬底是通过衬底处理装置来处理的。衬底能够通过浸渍于处理槽内的处理液中来进行处理。
[0003]近年来，随着形成在半导体衬底上的半导体元件的微细化及/或三维化，想要使衬底的处理变得均匀的需求不断增长。例如，具有三维构造的NAND元件具有设有立体凹凸构造的积层构造。在元件图案的凹凸构造的凹部滞留有处理液的情况下，凹部内的液体置换并不充分。因此，为了促进对包含凹部的衬底整体充分进行液体置换，有时会在浸渍于处理槽的衬底下方配置气泡产生管，从气泡产生器产生气泡以促进处理槽内的液体置换(例如，参照专利文献1、2)。
[0004]专利文献1的衬底处理装置中，在贮存有磷酸水溶液的处理槽中浸渍衬底来对衬底进行处理时，从在处理槽中浸渍的衬底下方所配置的气泡产生器中产生气泡。气泡产生器呈筒状，有多个喷出口(多个开口)。气泡产生器的一端连接着对气泡产生器供给水蒸气的气体供...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种衬底处理装置，具备：衬底保持部，保持至少1个衬底；处理槽，贮存用于浸渍被保持在所述衬底保持部的衬底的处理液；及多个气泡产生管，通过对所述处理液供给气体而使所述处理液中产生气泡；且所述多个气泡产生管之中，供给到外侧气泡产生管的气体的流量与供给到内侧气泡产生管的气体的流量不同，所述外侧气泡产生管位于浸渍在所述处理液中的所述衬底的外周区域下方，所述内侧气泡产生管位于所述衬底的中央区域下方。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中所述多个气泡产生管相对于所述衬底的主面的法线方向平行地延伸。3.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置，其中所述多个气泡产生管之中，供给到外侧气泡产生管的气体的流量多于供给到内侧气泡产生管的气体的流量，所述外侧气泡产生管位于浸渍在所述处理液中的所述衬底的外周区域下方，所述内侧气泡产生管位于所述衬底的中央区域下方。4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其还具备：多个气体供给管，与所述多个气泡产生管连接；及流量控制机构，控制在所述多个气体供给管中流动的气体的流量；且所述流量控制机构以供给到所述外侧气泡产生管的气体的流量多于供给到所述内侧气泡产生管的气体的流量的方式，控制在所述多个气体供给管中流动的气体的流量。5.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其还具备压力计，所述压力计测定在与所述外侧气泡产生管连接的气体供给管中流动的气体的压力、及在与所述内侧气泡产生管连接的气体供给管中流动的气体的压力。6.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其还具备控制所述流量控制机构的控制部，所述控制部是基于在与所述外侧气泡产生管连接的气体供给管中流动的气体的压力及在与所述内侧气泡产生管连接的气体供给管中流动的气体的压力，而控制在所述多个气体供给管中流动的气体的流量。7.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其还具备控制所述流量控制机构的控制部、及存储控制程序的存储部，且所述控制部根据所述控制程序来控制所述流量控制机构。8.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其中所述衬底保持部保持沿列方向排成一列的衬底列中排列的多个衬底，所述内侧气泡产生管包含：内侧第1配管，配置在所述多个衬底中位于所述衬底列一侧的衬底各自的中央区域下方；及内侧第2配管，与所述内侧...
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