一种温补衰减器、方向耦合器及腔体滤波器制造技术

本申请适用于温补衰减器技术领域，提供一种温补衰减器、方向耦合器及腔体滤波器，温补衰减器包括第一可调电容单元、第一NTC电阻单元、PTC电阻单元、第二NTC电阻单元及第二可调电容单元；第一可调电容单元的第一端与第一NTC电阻单元的第一端共接构成温补衰减器的第一端，第一可调电容单元的第二端接地；第一NTC电阻单元的第二端与PTC电阻单元的第一端和第二NTC电阻单元的第一端共接；PTC电阻单元的第二端接地；第二NTC电阻单元的第二端与第二可调电容单元的第一端共接构成温补衰减器的第二端；第二可调电容单元的第二端接地。本申请提供的温补衰减器的补偿系数大且驻波回损和衰减值都可调。衰减值都可调。衰减值都可调。

【技术实现步骤摘要】
一种温补衰减器、方向耦合器及腔体滤波器


[0001]本申请属于温补衰减器(Thermo Variable Attenuator)
，尤其涉及一种温补衰减器、方向耦合器及腔体滤波器。

技术介绍

[0002]在滤波器工作过程中，其温度会随着自身发热和外界环境因素而变化。滤波器中的耦合器用于实现驻波检测和功率监控，耦合器的损耗与温度正相关。由于驻波检测和功率监控有范围控制，温度过高或过低都会造成耦合器超出范围值导致误报警而关闭功放。
[0003]传统的误报警解决方案，是在耦合器的输出链路增加温补衰减器进行温度补偿，当温度上升时温补衰减器的损耗减小，当温度下降时温补衰减器的损耗增加，这样平衡最终输出的耦合值。
[0004]然而，传统的温补衰减器只能实现固定衰减，衰减值和驻波值不可调，补偿系数固定，不能满足需要补偿系数变化较大的应用场景。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供了一种温补衰减器、方向耦合器及腔体滤波器，以解决传统的温补衰减器只能实现固定衰减，衰减值和驻波值不可调，补偿系数固定，不能满足需要补偿系数变化较大的应用场景的问题。
[0006]本申请实施例的第一方面提供一种温补衰减器，包括第一可调电容单元、第一NTC电阻单元、PTC电阻单元、第二NTC电阻单元及第二可调电容单元；
[0007]所述第一可调电容单元的第一端与所述第一NTC电阻单元的第一端共接构成所述温补衰减器的第一端，所述第一可调电容单元的第二端接地；
[0008]所述第一NTC电阻单元的第二端与所述PTC电阻单元的第一端和所述第二NTC电阻单元的第一端共接；
[0009]所述PTC电阻单元的第二端接地；
[0010]所述第二NTC电阻单元的第二端与所述第二可调电容单元的第一端共接构成所述温补衰减器的第二端；
[0011]所述第二可调电容单元的第二端接地。
[0012]在一个实施例中，所述第一可调电容单元包括第一固定电容和第一可调电容，所述第二可调电容单元包括第二固定电容和第二可调电容；
[0013]所述第一固定电容的正极构成所述第一可调电容单元的第一端，所述第一固定电容的负极与所述第一可调电容的正极电连接，所述第一可调电容的负极构成所述第一可调电容单元的第二端；
[0014]所述第二固定电容的正极构成所述第二可调电容单元的第一端，所述第二固定电容的负极与所述第二可调电容的正极电连接，所述第二可调电容的负极构成所述第二可调电容单元的第二端。
[0015]在一个实施例中，所述第一固定电容和所述第二固定电容的容值小于或等于2pF，所述第一可调电容和所述第二可调电容的容值调节范围为0pF～2.56pF。
[0016]在一个实施例中，所述第一NTC电阻单元包括第一固定电阻和第一NTC电阻，所述第二NTC电阻单元包括第二固定电阻和第二NTC电阻；
[0017]所述第一固定电阻的第一端与所述第一NTC电阻的第一端共接构成所述第一NTC电阻单元的第一端，所述第一固定电阻的第二端与所述第一NTC电阻的第二端共接构成所述第一NTC电阻单元的第二端；
[0018]所述第二固定电阻的第一端与所述第二NTC电阻的第一端共接构成所述第二NTC电阻单元的第一端，所述第二固定电阻的第二端与所述第二NTC电阻的第二端共接构成所述第二NTC电阻单元的第二端。
[0019]在一个实施例中，所述第一固定电阻和所述第二固定电阻的阻值小于或等于8.2Ω，所述第一NTC电阻和所述第二NTC电阻的标称阻值为100Ω。
[0020]在一个实施例中，所述PTC电阻单元包括可调电阻和PTC电阻；
[0021]所述可调电阻的不动端构成所述PTC电阻单元的第一端，所述可调电阻的动端与所述PTC电阻的第一端电连接，所述PTC电阻的第二端构成所述PTC电阻单元的第二端；
[0022]或者，所述PTC电阻的第二端构成所述PTC电阻单元的第一端，所述PTC电阻的第一端与所述可调电阻的动端电连接，所述可调电阻的不动端构成所述PTC电阻单元的第二端。
[0023]本申请实施例的第二方面提供一种方向耦合器，包括第一滤波单元和本申请实施例的第一方面提供的温补衰减器；
[0024]所述第一滤波单元的第一端构成所述方向耦合器的输入端，所述第一滤波单元的第二端与所述温补衰减器的第一端电连接，所述温补衰减器的第二端构成所述方向耦合器的输出端。
[0025]在一个实施例中，所述方向耦合器还包括电连接在所述第一滤波单元的第二端和所述温补衰减器的第一端之间的第二滤波单元。
[0026]在一个实施例中，所述方向耦合器还包括包括n个所述第一滤波单元和n选一开关单元；
[0027]所述n个第一滤波单元的第一端分别构成所述方向耦合器的n个输入端，所述n个第一滤波单元的第二端分别与所述n选一开关单元的n个输入端一一对应电连接，所述n选一开关单元的输出端与所述温补衰减器的第一端电连接，n为大于1的整数。
[0028]本申请实施例的第三方面提供一种腔体滤波器，包括谐振腔、信号传输杆、前向耦合微带、反向耦合微带、前向耦合器及反向耦合器，所述前向耦合器和所述反向耦合器为本申请实施例的第二方面提供的方向耦合器；
[0029]所述信号传输杆全部或部分设置于所述谐振腔内部，所述信号传输杆的第一端构成腔体滤波器的射频信号端，所述信号传输杆的第二端构成腔体滤波器的天线连接端；
[0030]所述前向耦合微带靠近所述信号传输杆的第一端设置；
[0031]所述反向耦合微带靠近所述信号传输杆的第二端设置；
[0032]所述前向耦合器的输入端与所述前向耦合微带电连接，所述前向耦合器的输出端构成所述腔体滤波器的前向耦合信号端；
[0033]所述反向耦合器的输入端与所述反向耦合微带电连接，所述反向耦合器的输出端
构成所述腔体滤波器的反向耦合信号端。
[0034]本申请实施例的第一方面提供的温补衰减器，包括第一可调电容单元、第一NTC电阻单元、PTC电阻单元、第二NTC电阻单元及第二可调电容单元；第一可调电容单元的第一端与第一NTC电阻单元的第一端共接构成温补衰减器的第一端，第一可调电容单元的第二端接地；第一NTC电阻单元的第二端与PTC电阻单元的第一端和第二NTC电阻单元的第一端共接；PTC电阻单元的第二端接地；第二NTC电阻单元的第二端与第二可调电容单元的第一端共接构成温补衰减器的第二端；第二可调电容单元的第二端接地；通过采用NTC电阻和PTC电阻来适应温度变化的高温和低温环境，并在两端采用可调电容来匹配不同的驻波值，使得温补衰减器的补偿系数大且驻波回损和衰减值都可调。
[0035]可以理解的是，上述第二方面和第三方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述，在此不再赘述。
附图说明
[0036]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温补衰减器，其特征在于，包括第一可调电容单元、第一NTC电阻单元、PTC电阻单元、第二NTC电阻单元及第二可调电容单元；所述第一可调电容单元的第一端与所述第一NTC电阻单元的第一端共接构成所述温补衰减器的第一端，所述第一可调电容单元的第二端接地；所述第一NTC电阻单元的第二端与所述PTC电阻单元的第一端和所述第二NTC电阻单元的第一端共接；所述PTC电阻单元的第二端接地；所述第二NTC电阻单元的第二端与所述第二可调电容单元的第一端共接构成所述温补衰减器的第二端；所述第二可调电容单元的第二端接地。2.如权利要求1所述的温补衰减器，其特征在于，所述第一可调电容单元包括第一固定电容和第一可调电容，所述第二可调电容单元包括第二固定电容和第二可调电容；所述第一固定电容的正极构成所述第一可调电容单元的第一端，所述第一固定电容的负极与所述第一可调电容的正极电连接，所述第一可调电容的负极构成所述第一可调电容单元的第二端；所述第二固定电容的正极构成所述第二可调电容单元的第一端，所述第二固定电容的负极与所述第二可调电容的正极电连接，所述第二可调电容的负极构成所述第二可调电容单元的第二端。3.如权利要求2所述的温补衰减器，其特征在于，所述第一固定电容和所述第二固定电容的容值小于或等于2pF，所述第一可调电容和所述第二可调电容的容值调节范围为0pF～2.56pF。4.如权利要求1至3任一项所述的温补衰减器，其特征在于，所述第一NTC电阻单元包括第一固定电阻和第一NTC电阻，所述第二NTC电阻单元包括第二固定电阻和第二NTC电阻；所述第一固定电阻的第一端与所述第一NTC电阻的第一端共接构成所述第一NTC电阻单元的第一端，所述第一固定电阻的第二端与所述第一NTC电阻的第二端共接构成所述第一NTC电阻单元的第二端；所述第二固定电阻的第一端与所述第二NTC电阻的第一端共接构成所述第二NTC电阻单元的第一端，所述第二固定电阻的第二端与所述第二NTC电阻的第二端共接构成所述第二NTC电阻单元的第二端。5.如权利要求4所述的温补衰减器，其特征在于，所述第一固定电阻和所述第二固定电阻的阻值小于或等于8.2Ω，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾国斌，
申请(专利权)人：大富科技安徽股份有限公司，
类型：新型
国别省市：