衰减器芯片制造技术

本发明专利技术提出一种衰减器芯片，包括介质基板和生长于介质基板上的输入端、输出端、第一薄膜电阻、第二薄膜电阻、第三薄膜电阻、第一接地焊盘、第二接地焊盘、第一接地端、第二接地端、第三接地端和多条传输线，第一薄膜电阻、第二薄膜电阻和第三薄膜电阻组成T型纯电阻衰减器，以对信号源输出的信号进行信号处理，通过采用集成无源器件工艺将各元器件集成于同一芯片上，具有集成度高、版图面积小、衰减精度高、设计简单、可靠性高的特点。可靠性高的特点。可靠性高的特点。

【技术实现步骤摘要】
衰减器芯片


[0001]本专利技术属于衰减器
，尤其涉及一种衰减器芯片。

技术介绍

[0002]随着科学技术的快速发展，通信产品的不断更新换代，终端设备发展也是日新月异，电子产品逐渐的向小型化、高集成度的方向发展。薄膜IPD技术不仅集成度高，功耗低，而且可靠性高，性能稳定。伴随着现代无线通信系统如5G的发展，在为用户带来更快速的无线数据传输的同时，薄膜IPD技术的使用也越来越多，而且具有高可靠性、高稳定性、高抗干扰性能、产品性能一致性好和大量生产成本少等特点，因而IPD技术在微波/射频电路中扮演了重要的角色。
[0003]衰减器作为一种可以控制功率增益的元件，衰减器主要用来控制电路传输功率的大小，正广泛应用于各种电路中，无论是在通信技术，雷达相控技术，射频技术，还是其他电子电路方面，只要有放大电路，几乎都离不开衰减器。目前市场上的衰减器主要有两种：一种是组合电路，最简单的纯电阻型衰减电路也需要三个电阻，对于一些精度、稳定性等要求不高的电路，可以使用纯电阻电路、阻容电路或者阻抗电路组合的衰减电路；另外一种是使用IPD衰减器芯片：主要应用在单片微波电路中，用于微波电路的IPD衰减器的设计与研究，要求分布参数小，应用频带范围宽，性能稳定可靠，指标重复性好，具有较强的抗干扰能力。
[0004]电子元件的小型化成为研制微波无源衰减器的关键问题之一。由于我国的IPD发展的比较缓慢，自主研发的产品比较少，目前使用的IPD衰减器，大多数都是从国外进口，这样就出现了购货成本高，周期长的问题，给微波/射频电路的发展以及高科技武器的进步带来了很大的困难和阻碍，因此自主设计和研发IPD衰减器成为一件迫在眉睫的技术。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种衰减器芯片，旨在实现信号衰减功能同时解决衰减器小型化的问题。
[0006]本专利技术实施例提出了一种衰减器芯片，包括介质基板和生长于所述介质基板上的输入端、输出端、第一薄膜电阻、第二薄膜电阻、第三薄膜电阻、第一接地焊盘、第二接地焊盘、第一接地端、第二接地端、第三接地端和多条传输线，所述输入端、所述输出端、所述第一薄膜电阻、所述第二薄膜电阻、所述第三薄膜电阻、所述第一接地焊盘、所述第二接地焊盘、所述第一接地端、所述第二接地端和所述第三接地端均呈方形结构；
[0007]所述输入端通过第一传输线与所述第一薄膜电阻的第一端连接，所述第一薄膜电阻的第二端、所述第二薄膜电阻的第一端和所述第三薄膜电阻的第一端共接，所述第二薄膜电阻通过第二传输线与所述输出端连接，所述第三薄膜电阻的第二端通过第三传输线与所述第一接地焊盘连接且通过第四传输线与所述第二接地焊盘连接以及通过第五传输线与所述第三接地端连接，所述第一接地焊盘还通过第六传输线与所述第一接地端连接，所述第二接地焊盘还通过第七传输线与所述第二接地端连接。
[0008]在一个实施例中，所述衰减器芯片还包括呈方形结构的第三接地焊盘、第四接地焊盘、第四接地端和第五接地端；
[0009]所述第三接地焊盘通过第八传输线与所述第四接地端连接，所述第四接地焊盘通过第九传输线与所述第五接地端连接。
[0010]在一个实施例中，所述输入端、所述第一薄膜电阻、所述第二薄膜电阻和所述输出端沿第一方向平行设置，所述第一接地焊盘和所述第二接地焊盘沿与第一方向平行的第二方向平行设置，所述第一薄膜电阻与所述第二薄膜电阻与所述第三薄膜电阻垂直设置并对称设置于所述第三薄膜电阻的两侧，所述第一薄膜电阻和所述第二薄膜电阻的尺寸相同。
[0011]在一个实施例中，所述第一接地焊盘、所述输入端和所述第三接地焊盘沿与第一方向垂直的第三方向平行设置，所述第一接地焊盘和所述第三接地焊盘对称设置于所述输入端的两侧；
[0012]所述第二接地焊盘、所述输出端和所述第四接地焊盘沿与第三方向平行的第四方向平行设置，所述第二接地焊盘和所述第四接地焊盘对称设置于所述输出端的两侧。
[0013]在一个实施例中，所述第一接地焊盘和所述第三接地焊盘与所述输入端之间的距离均为140um～160um；
[0014]所述第二接地焊盘和所述第四接地焊盘均与所述输出端之间的距离为140um～160um。
[0015]在一个实施例中，各所述传输线呈直线连接，所述第一传输线、所述第二传输线、所述第三传输线和所述第四传输线等长等宽；
[0016]所述输入端和所述输出端的尺寸相等，所述第一接地端、所述第二接地端、所述第三接地端和所述第四接地端尺寸相等。
[0017]在一个实施例中，所述第一传输线和所述第二传输线的长度范围为100um～150um且宽度范围为25um～35um；
[0018]所述第三传输线和所述第四传输线的长度范围为170um～180um且宽度范围为25um～35um；
[0019]所述第一薄膜电阻和所述第二薄膜电阻的长度范围为2um～10um且宽度范围为30um～50um，所述第三薄膜电阻的长度范围为120um～140um且宽度范围为10um～20um。
[0020]在一个实施例中，所述第一传输线和所述第二传输线的长度范围为100um～150um且宽度范围为25um～35um；
[0021]所述第三传输线和所述第四传输线的长度范围为165um～175um且宽度范围为25um～35um；
[0022]所述第一薄膜电阻和所述第二薄膜电阻的长度范围为2um～10um且宽度范围为25um～35um，所述第三薄膜电阻的长度范围为100um～110um且宽度范围为20um～30um。
[0023]在一个实施例中，所述第一传输线和所述第二传输线的长度范围为120um～170um且宽度范围为35um～45um；
[0024]所述第三传输线和所述第四传输线的长度范围为175um～185um且宽度范围为25um～35um；
[0025]所述第一薄膜电阻和所述第二薄膜电阻的长度范围为2um～10um且宽度范围为35um～45um，所述第三薄膜电阻的长度范围为105um～115um且宽度范围为35um～45um。
[0026]在一个实施例中，所述介质基板的材料为砷化镓材料，所述第一薄膜电阻、所述第二薄膜电阻和所述第三薄膜电阻的材料为氮化钽材料。
[0027]本专利技术实施例与现有技术相比存在的有益效果是：上述的衰减器芯片通过介质基板和生长于所述介质基板上的输入端、输出端、第一薄膜电阻、第二薄膜电阻、第三薄膜电阻、第一接地焊盘、第二接地焊盘、第一接地端、第二接地端、第三接地端和多条传输线组成，第一薄膜电阻、第二薄膜电阻和第三薄膜电阻组成T型纯电阻衰减器，以对信号源输出的信号进行信号处理，通过采用集成无源器件工艺将各元器件集成于同一芯片上，具有集成度高、版图面积小、衰减精度高、设计简单、可靠性高的特点。
附图说明
[0028]图1为本专利技术实施例提供的衰减器芯片的结构示意图；
[0029]图2为本专利技术实施例提供的衰减器芯片的衰减器精度的仿真曲线示意图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种衰减器芯片，其特征在于，包括介质基板和生长于所述介质基板上的输入端、输出端、第一薄膜电阻、第二薄膜电阻、第三薄膜电阻、第一接地焊盘、第二接地焊盘、第一接地端、第二接地端、第三接地端和多条传输线，所述输入端、所述输出端、所述第一薄膜电阻、所述第二薄膜电阻、所述第三薄膜电阻、所述第一接地焊盘、所述第二接地焊盘、所述第一接地端、所述第二接地端和所述第三接地端均呈方形结构；所述输入端通过第一传输线与所述第一薄膜电阻的第一端连接，所述第一薄膜电阻的第二端、所述第二薄膜电阻的第一端和所述第三薄膜电阻的第一端共接，所述第二薄膜电阻通过第二传输线与所述输出端连接，所述第三薄膜电阻的第二端通过第三传输线与所述第一接地焊盘连接且通过第四传输线与所述第二接地焊盘连接以及通过第五传输线与所述第三接地端连接，所述第一接地焊盘还通过第六传输线与所述第一接地端连接，所述第二接地焊盘还通过第七传输线与所述第二接地端连接。2.如权利要求1所述的衰减器芯片，其特征在于，所述衰减器芯片还包括呈方形结构的第三接地焊盘、第四接地焊盘、第四接地端和第五接地端；所述第三接地焊盘通过第八传输线与所述第四接地端连接，所述第四接地焊盘通过第九传输线与所述第五接地端连接。3.如权利要求2所述的衰减器芯片，其特征在于，所述输入端、所述第一薄膜电阻、所述第二薄膜电阻和所述输出端沿第一方向平行设置，所述第一接地焊盘和所述第二接地焊盘沿与第一方向平行的第二方向平行设置，所述第一薄膜电阻与所述第二薄膜电阻与所述第三薄膜电阻垂直设置并对称设置于所述第三薄膜电阻的两侧，所述第一薄膜电阻和所述第二薄膜电阻的尺寸相同。4.如权利要求3所述的衰减器芯片，其特征在于，所述第一接地焊盘、所述输入端和所述第三接地焊盘沿与第一方向垂直的第三方向平行设置，所述第一接地焊盘和所述第三接地焊盘对称设置于所述输入端的两侧；所述第二接地焊盘、所述输出端和所述第四接地焊盘沿与第三方向平行的第四方向平行设置，所述第二接地焊盘和所述第四接地焊盘对称设置于所述输出端的两侧。5.如权利要求2所述的衰减器芯片，其特征在于，所述第一接地焊盘和所述第三接地焊盘与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟伦威，李秀山，肖倩，刘季超，徐鹏飞，张玲玲，田慧成，
申请(专利权)人：深圳振华富电子有限公司，
类型：发明
国别省市：