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衰减器芯片制造技术
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文档序号:29021840
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本发明提出一种衰减器芯片,包括介质基板和生长于介质基板上的输入端、输出端、第一薄膜电阻、第二薄膜电阻、第三薄膜电阻、第一接地焊盘、第二接地焊盘、第一接地端、第二接地端、第三接地端和多条传输线,第一薄膜电阻、第二薄膜电阻和第三薄膜电阻组成T型...
该专利属于深圳振华富电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳振华富电子有限公司授权不得商用。
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