本发明专利技术构思提供一种用于传送基板的传送手部。该用于传送基板的传送手部包括：本体；和真空组件，其安装在本体中并对基板的底表面提供减压以在本体的上部支撑基板；其中真空组件包括：导电真空垫，其接触基板；和密封构件，该密封构件设置在真空垫和本体之间，该密封构件电连接至真空垫；其中密封构件接地。其中密封构件接地。其中密封构件接地。
【技术实现步骤摘要】
传送手部和基板处理装置
[0001]本文公开的本专利技术构思的示例性实施方式涉及一种传送手部和一种基板处理装置。
技术介绍
[0002]执行各种工艺，例如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、薄膜沉积工艺和清洁工艺以制造半导体器件或平板显示面板。在这些工艺之中，光刻工艺包括向半导体基板供应光刻胶以在基板表面上形成光刻胶膜，使用光掩模对光刻胶膜进行曝光，然后向曝光后的光刻胶膜供应显影液，以在基板上得到所需的图案。在处理室中执行这些工艺。此外，一般的基板处理装置具有多个传送机械手，以从处理室取出已处理的基板或将基板带入处理室。
[0003]此外，传送到基板处理装置和从基板处理装置传送的基板例如晶片可能通过与供应给基板的处理液的摩擦和/或与支撑或接触基板的材料(例如，旋转卡盘、加热板等)的摩擦而带电。当带电的基板接触到传送机械手的传送手部时，基板与传送手部之间可能会产生电弧作用，这会损坏基板。
技术实现思路
[0004]本专利技术构思的实施方式提供能够有效地传送基板的传送手部和基板处理装置。
[0005]本专利技术构思的实施方式还提供传送手部和基板处理装置，其当传送手部传送基板时，能够最小化基板上电弧作用的出现。
[0006]本专利技术构思的实施方式提供传送手部和基板处理装置，其即使在基板上发生翘曲时，也能够适当地吸附和支撑基板。
[0007]本专利技术构思的实施方式提供能够适当地对带至基板的静电进行放电的传送手部和基板处理装置。
[0008]本专利技术构思的实施方式提供传送手部和基板处理装置，其能够最小化由于快速电耗散和施充在基板上的静电电阻对基板的损坏。
[0009]本专利技术构思的技术目的不限于上述那些，其他未提及的技术目的对于本领域技术人员来说将从以下描述变得显而易见。
[0010]在本专利技术构思的实施方式的一个方面，一种用于转移基板的传送手部包括：本体；和真空组件，所述真空组件安装在所述本体处并对所述基板的底表面提供减压以在所述本体的上表面支撑所述基板，其中所述真空组件包括：导电的真空垫，所述导电的真空垫接触所述基板；和密封构件，所述密封构件设置在所述真空垫和所述本体之间并电连接至所述真空垫，其中所述密封构件接地。
[0011]在一些实施方式中，所述真空垫可被提供为相对于与所述本体的上表面垂直的轴线能够倾斜。
[0012]在一些实施方式中，所述本体接地并且所述密封构件电连接至所述本体并接地。
[0013]在一些实施方式中，所述密封构件可以被提供为电阻值小于所述真空垫的电阻值
的材料。
[0014]在一些实施方式中，所述本体被提供为电阻值小于所述密封构件的电阻值的材料。
[0015]在一些实施方式中，所述真空垫包括：头部，所述头部接触所述基板的所述底表面；插入部，所述插入部插入所述本体内；和接触部，所述接触部形成在所述头部和所述插入部之间并接触所述密封构件，并且其中所述接触部设置为弯曲形状。
[0016]在一些实施方式中，所述密封构件在横截面中的曲率半径与所述接触单元在横截面中的曲率半径相同。
[0017]在一些实施方式中，所述真空垫包括：孔，所述孔与真空管线连通，所述真空管线设置在所述本体中以对所述基板的所述底表面提供减压；和环形突起，所述环形突起形成在所述真空垫的上表面的边缘区域处。
[0018]在一些实施方式中，所述真空垫包括至少一个支撑突起，所述至少一个支撑突起形成在所述真空垫的所述上表面处并置于所述环形突起内。
[0019]在一些实施方式中，所述支撑突起的顶端的高度低于所述环形突起的顶端的高度。
[0020]在本专利技术构思的实施方式的一个方面，一种用于转移基板的传送手部包括：本体；和真空组件，所述真空组件安装在所述本体中并支撑所述基板，所述真空组件形成用于从所述基板去除静电荷的放电路径的至少一部分；其中所述真空组件包括：导电的真空垫，所述导电的真空垫接触所述基板并设置为相对于与所述本体的上表面垂直的轴线能够倾斜；和导电环，所述导电环设置在所述真空垫的下部并与所述真空垫电连接。
[0021]在一些实施方式中，所述导电环被提供为电阻值小于所述真空垫的电阻值的材料。
[0022]在一些实施方式中，所述真空垫被提供为具有在约106Ω/sq至109Ω/sq范围内的电阻值的材料，其中所述导电环被提供为具有在约103Ω/sq至104Ω/sq范围内的电阻值的材料。
[0023]在一些实施方式中，所述真空垫包括：孔，所述孔与真空管线连通，所述真空管线设置在所述本体中并且对所述基板的所述下表面提供减压；环形突起，所述环形突起形成于所述真空垫上表面的边缘区域处；和多个支撑突起，所述多个支撑突起设置在所述真空垫的所述上表面处并放置得比环形突起更靠内，其中所述支撑突起的顶端高度低于所述环形突起的顶端高度。
[0024]在一些实施方式中，所述支撑突起在所述真空垫的上表面处沿周向彼此间隔开。
[0025]在一些实施方式中，所述本体还包括基部，所述基部具有用于将所述导电环安置在其上的安置部，其中所述导电环在横截面中的曲率半径小于所述基部在横截面中的曲率半径。
[0026]在一些实施方式中，所述真空组件包括固定构件以防止所述真空垫从所述基部偏离，其中所述固定构件包括：主要本体部，所述主要本体部插入形成在所述真空垫处的贯穿孔中；锁定部，所述锁定部从所述主要本体部侧向延伸，使得当俯视时所述锁定部与所述基部交叠。
[0027]在本专利技术构思的实施方式的一个方面中，一种基板处理装置包括：转位模块，所述
转位模块具有装载端口，储存基板的容器放置在所述装载端口上；和处理模块，所述处理模块用于对所述基板执行处理工艺，其中在所述转位模块和/或所述处理模块处提供具有用于传送所述基板的传送手部的机械手，其中所述传送手部包括：本体，所述本体具有指状部、主要本体和安装在所述指状部或所述主要本体处的基部；和真空组件，所述真空组件安装在所述本体处并通过对所述基板底表面的真空压力以在所述本体的上表面支撑所述基板，其中所述真空组件包括：导电的真空垫，所述导电的真空垫接触所述基板并设置为相对于与所述本体的所述上表面垂直的轴线能够倾斜；和导电环，所述导电环设置于所述真空垫与所述基部之间，接触并电连接至所述真空垫与所述基部，其中所述基部电连接至所述主要本体或所述指状部，所述主要本体或所述指状部接地。
[0028]在一些实施方式中，所述基部被提供为铝材料，所述基部的表面涂覆有包括镍的材料，其中所述导电环被提供为包括氟系树脂的材料，并且其中所述真空垫被提供为包括导电塑性材料的材料。
[0029]在一些实施方式中，所述基板处理装置还包括接口模块，所述接口模块将所述处理模块与执行与所述处理模块不同的处理工艺的外部处理装置连接，其中所述转位模块、所述处理模块和所述接口模块中的任一个设置有具有所述传送手部的机械手。
[0030]在本专利技术构思的实施方式中，可以有效地传送基板。
[0031]此外，在本专利技术构思的实本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于转移基板的传送手部，包括：本体；和真空组件，所述真空组件安装在所述本体处并对所述基板的底表面提供减压以在所述本体的上表面支撑所述基板，其中所述真空组件包括：导电的真空垫，所述导电的真空垫接触所述基板；和密封构件，所述密封构件设置在所述真空垫和所述本体之间并电连接至所述真空垫，其中所述密封构件接地。2.根据权利要求1所述的传送手部，其中所述真空垫被设置为能够相对于与所述本体的上表面垂直的轴线倾斜。3.根据权利要求1所述的传送手部，其中所述本体接地并且所述密封构件电连接至所述本体并接地。4.根据权利要求1至3中任一项所述的传送手部，其中所述密封构件被提供为电阻值小于所述真空垫的电阻值的材料。5.根据权利要求4所述的传送手部，其中所述本体被提供为电阻值小于所述密封构件的电阻值的材料。6.根据权利要求1至3中任一项所述的传送手部，其中所述真空垫包括：头部，所述头部接触所述基板的所述底表面；插入部，所述插入部插入所述本体内；和接触部，所述接触部形成在所述头部和所述插入部之间并接触所述密封构件，并且其中所述接触部设置为弯曲形状。7.根据权利要求6所述的传送手部，其中所述密封构件在横截面中的曲率半径与所述接触单元在横截面中的曲率半径相同。8.根据权利要求1至3中任一项所述的传送手部，其中所述真空垫包括：孔，所述孔与真空管线连通，所述真空管线设置在所述本体中以对所述基板的所述底表面提供减压；和环形突起，所述环形突起形成在所述真空垫的上表面的边缘区域处。9.根据权利要求8所述的传送手部，其中所述真空垫包括至少一个支撑突起，所述至少一个支撑突起形成在所述真空垫的所述上表面处并置于所述环形突起内。10.根据权利要求9所述的传送手部，其中所述支撑突起的顶端的高度低于所述环形突起的顶端的高度。11.一种用于传送基板的传送手部，包括：本体；和真空组件，所述真空组件安装在所述本体中并支撑所述基板，所述真空组件形成用于从所述基板去除静电荷的放电路径的至少一部分；其中所述真空组件包括：导电的真空垫，所述导电的真空垫接触所述基板并设置为能够相对于与所述本体的上表面垂直的轴线倾斜；和导电环，所述导电环设置在所述真空垫的下部并与所述真空垫电连接。
12.根据权利要求11所述的传送手部，其中所述导电环被提供为电阻值小于所述真空垫的电阻值的材料。13.根据权利要求12所述的传送手部，其中所述真空垫被提供为具有在约106Ω/sq至109Ω/sq范围内的电阻值的材料，其中所述导电环被提供为具有在约103Ω/sq至10...
【专利技术属性】
技术研发人员：李泰勋，金周援，宣珍成，李甫熙，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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