用于制造半导体封装结构的方法和半导体制造设备技术

本公开涉及一种用于制造半导体封装结构的方法和半导体制造设备。所述方法包括：(a)提供安置于卡盘上的封装主体，其中所述封装主体包括包封于包封物中的至少一个半导体元件；以及(b)通过所述卡盘抽吸所述封装主体，以在所述封装主体的底表面上依序从所述封装主体的内部部分到外部部分建立多个负压。内部部分到外部部分建立多个负压。内部部分到外部部分建立多个负压。

【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体封装结构的方法和半导体制造设备


[0001]本公开涉及用于制造半导体封装结构的方法和半导体制造设备，且涉及包括抽吸步骤的方法和用于实现所述方法的半导体制造设备。

技术介绍

[0002]为了减小半导体封装结构(semiconductor package structure)的厚度，处于制造的中间阶段(intermediate state)的模制晶片(molded wafer)被薄化。然而，模制晶片可包括半导体裸片(semiconductor die)和覆盖半导体裸片的模封化合物(molding compound)。由于薄化的模制晶片的厚度较小，以及半导体裸片与模封化合物之间的热膨胀系数(coefficient of thermal expansion,CTE)不匹配(mismatch)，薄化的模制晶片可能具有严重翘曲(warpage)。为对翘曲的模制晶片执行后续步骤，通常将翘曲的模制晶片安置于卡盘(chuck)上，且通过卡盘的多个抽吸孔(suction holes)进行整平(flattened)。然而，卡盘与翘曲的模制晶片之间的距离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体封装结构的方法，其包括：(a)提供安置于卡盘上的封装主体，其中所述封装主体包括包封于包封物中的至少一个半导体元件；以及(b)通过所述卡盘抽吸所述封装主体，以在所述封装主体的底表面上依序从所述封装主体的内部部分到外部部分建立多个负压。2.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(b)中，所述负压随着距所述封装主体的中心的距离增加而增加。3.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(a)中，所述封装主体的所述外部部分围绕所述封装主体的所述内部部分；其中步骤(b)包括：(b1)抽吸所述封装主体的所述内部部分；以及(b2)抽吸所述封装主体的所述外部部分。4.根据权利要求3所述的方法，其中在步骤(a)中，所述封装主体的所述内部部分包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；其中步骤(b1)包括：(b11)抽吸所述内部部分的所述第一区域；以及(b12)抽吸所述内部部分的所述第二区域。5.根据权利要求4所述的方法，其中在步骤(b12)中，作用于所述第二区域上的抽吸力大于作用于所述第一区域上的抽吸力。6.根据权利要求4所述的方法，其中在步骤(b11)中，通过至少一个抽吸槽抽吸所述内部部分的所述第一区域，以在所述第一区域上建立负压。7.根据权利要求4所述的方法，其中在步骤(b12)中，通过多个抽吸孔抽吸所述内部部分的所述第二区域，以在所述第二区域上建立负压。8.根据权利要求3所述的方法，其中在步骤(b2)中，通过至少一个抽吸槽抽吸所述封装主体的所述外部部分，以在所述外部部分上建立负压。9.根据权利要求3所述的方法，其中在步骤(b...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪蘊笛，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：