【技术实现步骤摘要】
低阈值电压晶体管偏压电路
[0001]本公开涉及半导体的
，且更特定来说涉及低阈值电压晶体管偏压电路。
技术介绍
[0002]可制造具有各种阈值电压的晶体管。阈值电压是必须施加到栅极区以在晶体管的源极与漏极之间感应电流的电压。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)可被制造为具有标准阈值电压(例如，0.6伏阈值)或低阈值电压(例如，0.15伏阈值)。低阈值电压晶体管可用于实现在可能比标准电压阈值晶体管低的电源电压下操作的电路。电路功率消耗可通过使用较低的电源电压来降低。
技术实现思路
[0003]本文中公开一种用于维持低阈值电压晶体管的饱和模式操作的偏压电路。在一个实例中，一种电路包含电源端子、接地端子、低阈值电压晶体管及偏压电路。所述低阈值电压晶体管包含栅极及漏极。所述偏压电路包含第一偏压电路晶体管、第二偏压电路晶体管及电阻器。所述第一偏压电路晶体管包含第一电流端子及第二电流端子。所述第一电流端子经耦合到所述电源端子。所述第二偏压电路晶体管包含第一电流端子及第二电流端子。所述第二偏压电路晶体管的所...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电路，其包括：电源端子；接地端子；低阈值电压晶体管，其包含：栅极；及漏极；偏压电路，其包含：第一偏压电路晶体管，其包含第一电流端子，其经耦合到所述电源端子；及第二电流端子；第二偏压电路晶体管，其包含：第一电流端子，其经耦合到所述接地端子；及第二电流端子；及电阻器，其经耦合到所述第一偏压电路晶体管的所述第二电流端子及所述第二偏压电路晶体管的所述第二电流端子，且经耦合在所述低阈值电压晶体管的所述栅极与所述低阈值电压晶体管的所述漏极之间。2.根据权利要求1所述的电路，其中所述偏压电路包含：第三偏压电路晶体管，其包含：第一电流端子，其经耦合到所述电源端子；控制端子，其经耦合到所述第一偏压电路晶体管的控制端子；及第二电流端子，其经耦合到所述第三偏压电路晶体管的所述控制端子。3.根据权利要求2所述的电路，其进一步包括：电流源，其包含：第一端子，其经耦合到所述第三偏压电路晶体管的所述第二电流端子；及第二端子，其经耦合到所述接地端子。4.根据权利要求1所述的电路，其中所述偏压电路包含：第三偏压电路晶体管，其包含：第一电流端子，其经耦合到所述电源端子；及控制端子，其经耦合到所述第一偏压电路晶体管的控制端子。5.根据权利要求4所述的电路，其中：所述第三偏压电路晶体管包含第二电流端子；且所述偏压电路包含：第四偏压电路晶体管，其包含：第一电流端子，其经耦合到所述第三偏压电路晶体管的所述第三端子；第二电流端子，其经耦合到所述接地端子；及控制端子，其经耦合到所述第四偏压电路晶体管的所述第一电流端子。6.根据权利要求1所述的电路，其中：所述电阻器经耦合在所述第一偏压电路晶体管的所述第二电流端子与所述第二偏压电路晶体管的所述第二电流端子之间。
7.根据权利要求6所述的电路，其中所述低阈值电压晶体管是p沟道场效应晶体管。8.根据权利要求6所述的电路，其中所述低阈值电压晶体管是n沟道场效应晶体管。9.一种电流镜电路，其包括：第一电流镜晶体管，其包含：栅极；及漏极；第二电流镜晶体管，其包含：栅极，其经耦合到所述第一电流镜晶体管的所述栅极；及偏压电路，其经耦合到所述第一电流镜晶体管的所述栅极及所述漏极，且经配置以当所述第一电流镜晶体管的阈值电压是负电压时加偏压于所述第一电流镜晶体管以在饱和模式下操作；其中所述第一电流镜晶体管及所述第二电流镜晶体管是低阈值电压晶体管。10.根据权利要求9所述的电流镜电路，其中所述偏压电路经配置以提供跨所述第一电流镜晶体管的漏极
‑
源极电压，所述漏极
‑
源极电压大于或等于所述第一电流镜晶体管的栅极
‑
源极电压减去所述第一电流镜晶体管的所述阈值电压。11.根据权利要求9所...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。