【技术实现步骤摘要】
存储装置、其操作方法以及电子装置的操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年10月30日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10
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2020
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0143803和于2021年6月16日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10
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2021
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0078355的优先权，其公开内容通过引用整体结合于此。
[0003]本文描述的本公开的实施例涉及半导体装置，更具体地，涉及包括具有提高的操作速度和提高的可靠性的非易失性存储器装置(memory device)的存储装置(storage device)、存储装置的操作方法以及包括非易失性存储器装置的电子装置的操作方法。
技术介绍
[0004]非易失性存储器装置即使在未供电时也可以保持存储在其中的数据。非易失性存储器装置可以包括闪速存储器装置、相变存储器装置、磁存储器装置、铁电存储器装置、电阻式存储器装置等。
[0005]随着数据被存储在非易失性存储器装置中...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种包括非易失性存储器装置和存储器控制器的存储装置的操作方法，所述方法包括：
①
在存储器控制器处，将第一读取命令和第一偏移信息发送到非易失性存储器装置；
②
在非易失性存储器装置处，基于第一读取命令和第一偏移信息来执行第一读取操作；
③
在非易失性存储器装置处，将第一读取操作的结果作为第一数据发送到存储器控制器；
④
在存储器控制器处，将第二读取命令、读取电压电平和第二偏移信息发送到非易失性存储器装置；
⑤
在非易失性存储器装置处，基于第二读取命令、读取电压电平和第二偏移信息来执行第二读取操作；以及
⑥
在非易失性存储器装置处，将第二读取操作的结果作为第二数据发送到存储器控制器。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述执行第一读取操作包括：通过使用第一读取电压电平来执行读取操作；通过使用比第一读取电压电平高第一偏移信息的第二读取电压电平来执行读取操作；以及通过使用比第一读取电压电平低第一偏移信息的第三读取电压电平来执行读取操作。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述执行第二读取操作包括：通过使用读取电压电平的第一读取电压电平来执行读取操作；通过使用比第一读取电压电平高第二偏移信息的第二读取电压电平来执行读取操作；以及通过使用比第一读取电压电平低第二偏移信息的第三读取电压电平来执行读取操作。4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在存储器控制器处，将第三读取命令发送到非易失性存储器装置；在非易失性存储器装置处，响应于第三读取命令来执行第三读取操作；以及在非易失性存储器装置处，将第三读取操作的结果作为第三数据发送到存储器控制器。5.根据权利要求4所述的方法，还包括：对第三数据执行纠错解码，其中，当对所述第三数据执行纠错解码失败时，执行操作
①
至
⑥
。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在存储器控制器处，将第三读取命令和第一读取电压电平发送到非易失性存储器装置；在非易失性存储器装置处，响应于第三读取命令和第一读取电压电平来执行第三读取操作；以及在非易失性存储器装置处，将第三读取操作的结果作为第三数据发送到存储器控制器。7.根据权利要求6所述的方法，还包括：
对第三数据执行纠错解码，其中，当对所述第三数据执行纠错解码失败时，执行操作
④
至
⑥
。8.根据权利要求1所述的方法，还包括：对第二数据执行纠错解码，其中，基于低密度奇偶校验LDPC对所述第二数据执行纠错解码。9.根据权利要求1所述的方法，还包括：基于第一读取操作的结果和包括在存储器控制器中的基于机器学习的偏移预测模块，预测第二偏移信息。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述预测第二偏移信息包括：将读取电压电平、与第一读取操作相关联的非易失性存储器装置的地址、执行了第一读取操作的存储器单元的编程和擦除...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢海东，全有珍，尹慧智，成宗泽，白埈杰，千允洙，
申请(专利权)人：高丽大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：
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