一种静电放电保护电路制造技术

一种静电放电保护电路，包括待保护的Ｉ／Ｏ端子，其特征在于它还包括电源静电放电总线端子和静电放电保护组件；其中所说的静电放电保护组件包括晶体管，其一端连接电源静电放电总线端子，另一端连接待保护的Ｉ／Ｏ端子。其优越性在于：①在多电源和混合不同电压的电路中，应用本发明专利技术提供的静电放电保护网络结构，无论是静电放电还是正常操作时候，都不会发生各电源相互影响的情况；②在多电源和混合不同电压的电路中，如果有耐压值的要求，应用本发明专利技术提供的静电放电保护网络结构，可以不使用低压Ｐ型金属氧化物半导体，设计上更为安全简单；③任意两个或多个电路模块组成的电路组合，用于不同电路端子静电放电保护的电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电路，尤其是一种静电放电(Electrostatic Discharge; ESD)保护电路。(二)
技术介绍
近年来半导体工艺技术继续向深亚微米技术发展，特征尺寸变短，栅 极氧化层变薄。CMOS元件更为先进的制程技术以及縮得更小的元件尺 寸，虽然提高了电路运作的速度，但同时也提高了静电放电(Electrostatic Discharge ESD)的灵敏度，使得CMOS电路对ESD的防护能力下降很多， 但外界环境中所产生的静电并未减少,所以CMOS电路因ESD而损伤的情 形更加严重。在材料之间的摩擦产生静电荷，电荷的形成和存储可以导致几千伏的 静电压。当它们与高度集成的半导体元件接触时，释放出来，该现象称为 静电放电(ESD)。从电学观点看，静电放电表示瞬间高电流事件，峰值为 几安培，持续时间为几个纳秒到几百纳秒量级。混合式电压电源普遍存在于集成电路中，是为了器件应用范围更广， 使用更灵活，但混合式电压电源会导致静电放电的保护变得更薄弱，设计 上也更为复杂。在各大代工厂的工艺库中，针对明确使用电压的双电源系 统(如外部端子1=3.3V，外部端子2-1.8V)，提供了标准的静电放电保护 单元，请参考图1。图1所示的标准静电放电保护单元，是严格要求PMOS 管的衬底连接最高电位，即正电压电源VDD端子；NMOS管的衬底连接 最低电位，即接地端子VSS。对于不固定电压的混合式电压电源系统，特 别是某一电源端子在应用中可能高于VSS，也可能低于VSS (如外部端子 1=5V，外部端子2-0V，外部端子3为混合式电压，电压范围最高为5V， 最低小于0V)，对于这类混合式多电源，没有绝对的最低电位，上述代工 厂的标准静电放电保护单元因此无法达到保护效果。总之，在多电源电路 系统中，尤其是有混合式电压电源的电路中，使用代工厂标准的静电放电 单元，容易出现各电源间相互影响的问题，导致各电源的独立操作失效。(三)
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的在于提供一种静电放电保护电路，它可以克服现有技术的不足，是一种不仅适用于一般的集成电路，还可以适用于复杂的混 合多电源或多外部端子集成电路的电路，.有很强的实用性。本专利技术的技术方案 一种静电放电保护电路，包括待保护的I/0端子， 其特征在于它还包括电源静电放电总线端子和静电放电保护组件；其中所 说的静电放电保护组件包括晶体管，其一端连接电源静电放电总线端子，另一端连接待保护的i/o端子。上述所说的静电放电保护组件包括二极管和电阻。上述所说的待保护的I/O端子是正电源端子、接地电源端子、混合式 电压电源端子和中间电平的输入输出端子中的至少一种。上述所说的电源静电放电总线端子是正电源端子、接地电源端子和混 合式电压电源端子中的至少一种。上述所说的电源静电放电总线端子是正电源端子，待保护的I/O端子是接地电源端子，晶体管是2个低压N型半导体；其中所说的2个低压N型半导体相互串联，且每一个低压N型半导体都采用二极管连接方式；所说的一个低压N型半导体的漏极连接正电源端子，另一个低压N型半导体 的源极连接地电源端子。上述所说的电源静电放电总线端子是混合式电压电源端子，待保护的 I/O端子是接地电源端子，晶体管是一个高压P型半导体；所说的高压P型半导体的栅极和衬底都连接最高电位，即正电源端子，高压p型半导体 的源极连接地电源端子，漏极连接混合式电压电源端子。上述所说的电源静电放电总线端子是正电源端子，待保护的I/O端子 是混合式电压电源端子，静电放电保护组件是三组高压NMOS管和电阻的 组合；所说的每一组高压NMOS管和电阻相互串联连接，三组之间釆用并 联方式连接，且三个高压NMOS管的栅极和源极连接，并与混合式电压电 源端子连接，高压NMOS管的漏极和电阻串联，电阻的另一端与正电源端 子相连。上述所说的电阻是小阻值的Poly电阻，其阻值为60 150欧姆。 上述所说的电源静电放电总线端子是正电源端子，待保护的1/0端子 是中间电平的输入输出端子，静电放电保护组件是2个低压N型半导体和 二极管；其中所说得二极管把中间电平输入输出端子与正电源端子相连， 二极管PN结的P端与中间电平输入输出端子相连，二极管PN结的N端 和正电源端子相连；所说的2个低压N型半导体的连接方式为二极管连接方式，且两者相互串联，将中间电平输入输出端子与接地电源端子连接； 所说的一个低压N型半导体的漏极连接中间电平输入输出端子，另一个低 压N型半导体的源极连接地电源端子。本专利技术的优越性在于①在多电源和混合不同电压的电路中，应用本 专利技术提供的静电放电保护网络结构，无论是静电放电还是正常操作时候， 都不会发生各电源相互影响的情况；②在多电源和混合不同电压的电路中， 如果有耐压值的要求，应用本专利技术提供的静电放电保护网络结构，可以不 使用低压P型金属氧化物半导体，设计上更为安全简单；③任意两个或多个电路模块组成的电路组合，用于不同电路端子静电放电保护的电路。(四) 附图说明图1为本专利技术所涉一种静电放电保护电路的现有技术的结构示意图。图2为本专利技术所涉一种静电放电保护电路的网络结构框图。图3为本专利技术所涉一种静电放电保护电路的电路图。图4为本专利技术所涉的一种静电放电保护电路的一种实施例的电路图。图5为本专利技术所涉的一种静电放电保护电路的第二种实施例的电路图。图6为本专利技术所涉的一种静电放电保护电路的第三种实施例的电路图。图7为本专利技术所涉的一种静电放电保护电路的第四种实施例的电路图。其中，l为正电源端子，2为接地电源端子，3为中间电平输入输出端 子，4为高压P型半导体(HVPMOS)， 5为高压N型半导体(HVNMOS)， 6为电阻，7为低压N型半导体，8为一组相互串联的高压NMOS管和电 阻，9为二极管，IO为混合式电压电源端子，ll为静电放电总线端子，12 为待保护的静电放电端子。(五) 具体实施例方式实施例1: 一种静电放电保护电路(见图2)，包括待保护的I/0端子 12，其特征在于它还包括电源静电放电总线端子11和静电放电保护组件； 其中所说的静电放电保护组件包括晶体管，其一端连接电源静电放电总线 端子11，另一端连接待保护的I/O端子12。上述所说的电源静电放电总线端子是正电源端子1，待保护的I/O端子 是接地电源端子2，晶体管是2个低压N型半导体7;其中所说的2个低压N型半导体7相互串联，且每一个低压N型半导体7都采用二极管连接 方式；所说的一个低压N型半导体7的漏极连接正电源端子，另一个低压 N型半导体7的源极连接地电源端子(见图3、 4)。实施例2: —种静电放电保护电路(见图2)，包括待保护的I/0端子12，其特征在于它还包括电源静电放电总线端子11和静电放电保护组件；其中所说的静电放电保护组件包括晶体管，其一端连接电源静电放电总线端子ll，另一端连接待保护的I/0端子12。上述所说的电源静电放电总线端子是混合式电压电源端子10，待保护 的I/O端子是接地电源端子2,晶体管是一个高压P型半导体HVPMOS管 4;所说的高压P型半导体HVPMOS管4的栅极和衬底都连接最高电位， 即正电源端子1，高压P型半导体HVPMOS管4的源极连接地电源端子2， 漏极连接混合式电压电源端子10 (见图3、 5)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电放电保护电路，包括待保护的Ｉ／Ｏ端子，其特征在于它还包括电源静电放电总线端子和静电放电保护组件；其中所说的静电放电保护组件包括晶体管，其一端连接电源静电放电总线端子，另一端连接待保护的Ｉ／Ｏ端子。

【技术特征摘要】
1.一种静电放电保护电路，包括待保护的I/O端子，其特征在于它还包括电源静电放电总线端子和静电放电保护组件；其中所说的静电放电保护组件包括晶体管，其一端连接电源静电放电总线端子，另一端连接待保护的I/O端子。2、 根据权利要求1中所述的一种静电放电保护电路，其特征在于所说 的静电放电保护组件包括二极管和电阻。3、 根据权利要求1中所述的一种静电放电保护电路，包括待保护的1/0端子，其特征在于所说的待保护的i/o端子是正电源端子、接地电源端子、混合式电压电源端子和中间电平的输入输出端子中的至少一种。4、 根据权利要求1中所述的一种静电放电保护电路，其特征在于所说 的电源静电放电总线端子是正电源端子、接地电源端子和混合式电压电源 端子中的至少一种。5、 根据权利要求1中所述的一种静电放电保护电路，包括待保护的1/0 端子，其特征在于所说的电源静电放电总线端子是正电源端子，待保护的 I/O端子是接地电源端子，晶体管是2个低压N型半导体；其中所说的2 个低压N型半导体相互串联，且每一个低压N型半导体都采用二极管连接 方式；所说的一个低压N型半导体的漏极连接正电源端子，另一个低压N 型半导体的源极连接地电源端子。6、 根据权利要求1中所述的一种静电放电保护电路，包括待保护的1/0 端子，其特征在于述所说的电源静电放电总线端子是混合式电压电源端子， 待保护的I/0端子是接地电源端子，晶体管是一个高压P型半导体；所说 的高压P型半导体的栅极和...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴宇杰，张小兴，吕英杰，黄维海，王洪来，
申请(专利权)人：天津南大强芯半导体芯片设计有限公司，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]