一种螺芴杂蒽类化合物及其在发光层掺杂材料中的应用制造技术

本发明专利技术提供一种螺芴杂蒽类化合物及其在发光层掺杂材料中的应用。本发明专利技术提供的式I所示化合物，以(I

【技术实现步骤摘要】
一种螺芴杂蒽类化合物及其在发光层掺杂材料中的应用


[0001]本专利技术属于电致发光领域，具体涉及一种螺芴杂蒽类化合物及其应用，特别涉及一种螺芴氧杂蒽类化合物、制备方法、中间体与有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]当前，有机电致发光(OLED)显示技术已经在智能手机，平板电脑等领域获得应用，进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展。在近30年的发展过程中，人们研制出了各种性能优良的OLED材料，并通过对器件结构的不同设计，和对器件寿命、效率等性能的优化，加快了OLED的商业化进程，使得OLED在显示和照明领域得到了广泛应用。
[0003]空穴层、发光层以及其他有机功能层材料的选择也对器件的电流效率、驱动电压以及寿命产生较大的影响，目前仍在探索具有更高性能的功能层材料。
[0004]CN109956961A公开了一种含氮有机化合物及其在有机电致发光器件中的应用，该化合物以氮杂螺芴为母核，该类化合物具有较强刚性，使得化合物具有分子间不易结晶、不易聚集、成膜性良好的特点，氮杂螺芴母核具有较强的吸电子能力，支链具有给电子能力。因此，该化合物作为掺杂材料的OLED器件效率和寿命得到提升。
[0005]CN106008537A公开了一种双极性主体有机电致发光材料，所述双极性主体有机电致发光材料包含咔唑并氧/硫/9,9
‑
二甲基杂蒽的4,5
‑
二氮杂螺芴结构，该有机电致发光材料热力学稳定性好、成膜性好、三线态能级合适等优点，可以作为蓝光、绿光主体材料。
[0006]因此，为了满足人们对于OLED器件的更高要求，本领域亟待开发更多种类、更高性能的OLED材料。

技术实现思路

[0007]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种螺芴杂蒽类化合物及其应用。特别提供一种螺芴氧杂蒽类化合物及其制备方法、中间体与有机电致发光器件，本申请化合物可以用做OLED发光器件的发光层掺杂材料，所得到的有机电致发光器件具有较低的驱动电压和较高的电流效率，尤其可适用于蓝光和绿光发光器件中，用于降低蓝光和绿光发光器件的驱动电压，提高发光器件的发光效率。
[0008]为达到此专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0009]第一方面，本专利技术提供一种螺芴杂蒽类化合物，所述螺芴杂蒽类化合物具有如下式I所示的结构：
[0010][0011]其中，Ar选自取代或未取代的下式I
‑
1～I
‑
6所示基团中的任意一种，且下式I
‑
1～
I
‑
6所示基团通过SP2杂化的碳原子和式I所示的化合物中N原子连接。
[0012][0013]R
11
、R
12
、R
21
、R
22
各自独立地选自取代或未取代的C1～C20(例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20等)烷基、取代或未取代的C6～C40(例如可以是C6、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C27、C30、C32、C35、C37、C39、C40等)芳基。
[0014]n选自0或1。
[0015]Ar1～Ar4各自独立地选自取代或未取代的C6～C40(例如可以是C6、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C27、C30、C32、C35、C37、C39、C40等)芳基、取代或未取代的X选自O或S；且II
‑
1所示基团通过SP2杂化的碳原子和式I所示的化合物中N原子连接。
[0016]且n＝1时，所述Ar1～Ar4中至少一基团选自式II
‑
1所示的基团；n＝0时，所述Ar3或Ar4中至少一基团选自式II
‑
1所示的基团。
[0017]优选地，所述I
‑
1～I
‑
6所示基团可以被至少一个R取代；其中，R选自氘、F、CN、C1～C20(例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20等)烷基、C1～C20(例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20等)烷氧基、C6～C40(例如可以是C6、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C27、C30、C32、C35、C37、C39、C40等)芳基；且R选自C6～C40芳基，R可以被至少一个C1～C20烷基或至少一个C1～C20烷氧基取代。
[0018]优选地，所述Ar1～Ar4可以被至少一个R取代；其中，R选自氘、F、CN、C1～C20(例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20等)烷基、C1～C20(例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20等)烷氧基、C6～C40芳基；且R选自C6～C40芳基，R可以被至少一个C1～C20烷基或至少一个C1～C20烷氧基取代。
[0019]优选地，所述Ar可以被C6～C40(例如可以是C6、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C27、C30、C32、C35、C37、C39、C40等)芳基取代。
[0020]优选地，所述R
11
和R
12
之间通过单键连接成环，和/或R
21
和R
22
之间通过单键连接成环。
[0021]在本专利技术中，所述取代的式I
‑
1～I
‑
6所示基团、取代的C1～C20烷基、取代的C6～C40芳基、取代的式II
‑
1所示基团的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、C1～C20(例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20等)烷基、C1～C20(例如可以是C1、C2、C3、C4、C5、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20等)烷氧基或C6～C40(例如可以是C6、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C27、C30、C32、C35、C37、C39、C40等)芳基中的任意一种。
[0022]优选地，所述C1～C20烷基为C1～C20直链烷基或C1～C20支链烷基。
[0023]优选地，所述C1～C20烷基选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、仲丁基、异丁基、正戊基或正己基中任意一种。
[0024]优选地，所述C1～C20烷氧基为C1～C20直链烷氧基或C1～C20支链烷氧基。
[0025]优选地，所述C1～C20烷氧基选自甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、正戊氧基或正己氧基中任意一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种螺芴杂蒽类化合物，其特征在于，所述螺芴杂蒽类化合物具有如下式I所示的结构：其中，Ar选自取代或未取代的下式I
‑
1～I
‑
6所示基团中的任意一种，且下式I
‑
1～I
‑
6所示基团通过SP2杂化的碳原子和式I所示的化合物中N原子连接；R
11
、R
12
、R
21
、R
22
各自独立地选自取代或未取代的C1～C20烷基、取代或未取代的C6～C40芳基；n选自0或1；Ar1～Ar4各自独立地选自取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的X选自O或S；且II
‑
1所示基团通过SP2杂化的碳原子和式I所示的化合物中N原子连接；且n＝1时，所述Ar1～Ar4中至少一基团选自式II
‑
1所示的基团；n＝0时，所述Ar3或Ar4中至少一基团选自式II
‑
1所示的基团。2.根据权利要求1所述的螺芴杂蒽类化合物，其特征在于，所述I
‑
1～I
‑
6所示基团可以被至少一个R取代；其中，R选自氘、F、CN、C1～C20烷基、C1～C20烷氧基、C6～C40芳基；且R选自C6～C40芳基，R可以被至少一个C1～C20烷基或至少一个C1～C20烷氧基取代；
优选地，所述Ar1～Ar4可以被至少一个R取代；其中，R选自氘、F、CN、C1～C20烷基、C1～C20烷氧基、C6～C40芳基；且R选自C6～C40芳基，R可以被至少一个C1～C20烷基或至少一个C1～C20烷氧基取代；优选地，所述Ar可以被C6～C40芳基取代。3.根据权利要求1或2所述的螺芴杂蒽类化合物，其特征在于，所述R
11
和R
12
之间通过单键连接成环，和/或所述R
21
和R
22
之间通过单键连接成环。4.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的螺芴杂蒽类化合物，其特征在于，所述取代的式I
‑
1～I
‑
6所示基团、取代的C1～C20烷基、取代的C6～C40芳基、取代的式II
‑
1所示基团的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、C1～C20烷...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆金波，高勇，李志强，王占奇，黄常刚，董青山，张健，霍学兵，王文将，
申请(专利权)人：阜阳欣奕华材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：