本实用新型专利技术提供了一种H桥电机驱动电路，包括电机、第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、驱动芯片U1、驱动芯片U2、辅助驱动MOS管Q1和辅助驱动MOS管Q2，第一开关单元以及第二开关单元的漏极与电机正极连接，第三开关单元以及第四开关单元的漏极与电机负极连接，第一开关单元还与第三开关单元连接，第二开关单元与第四开关单元的源极均接地，第一开关单元与驱动芯片U1连接，第三开关单元与驱动芯片U2连接，第二开关单元通过辅助驱动MOS管Q1与驱动芯片U1连接，所述第四开关单元通过辅助驱动MOS管Q2与驱动芯片U2连接。本实用新型专利技术能够降低待机状态下的驱动损耗，相较于继电器方案，降低了成本。降低了成本。降低了成本。
【技术实现步骤摘要】
一种H桥电机驱动电路
[0001]本技术涉及电机控制
，尤其是指一种H桥电机驱动电路。
技术介绍
[0002]电动家具控制器只有在家具运行时才工作，家具不运行时控制器处在待机状态，对处于待机状态下的电动家具控制器，功耗越小越好。而电动家具的控制器一般通过H桥电路来控制电机。且对待机状态下电动家具，需要电动家具的电机具备能自锁不下滑的能力。而一般电机的自锁有两种方式，机械自锁以及通过H桥两个下桥臂开关管导通，从而把电机的供电端短接起来形成的电气自锁。若采用电气自锁方式，由于需要在待机情况下开通H桥两个下桥臂开关管，相关电路势必会形成损耗，影响到待机功耗。
[0003]现有技术中为了解决电气自锁所带来的电路损耗问题，提出来用专门的一个继电器实现电机供电端短路的方式，在电动家具工作时，控制器给继电器供电，电机供电端开路，在待机状态下，继电器没有电，继电器弹片自动弹回，电机供电端短路。但是采用继电器实现电机供电端短路方式需要一个专门的继电器，成本高，且工作时也会发出噪声，可能造成家具故障的误判。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是克服现有技术中的缺点，提供一种H桥电机驱动电路。
[0005]本技术的目的是通过下述技术方案予以实现：
[0006]一种H桥电机驱动电路，包括电机、第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元和驱动控制单元，所述第一开关单元的源极和第二开关单元的漏极同时与电机的正极电连接，所述第三开关单元的源极和第四开关单元的漏极同时与电机的负极电连接，所述第一开关单元的漏极与第三开关单元的漏极连接，所述第二开关单元的源极与第四开关单元的源极均接地，所述驱动控制单元包括驱动芯片U1、驱动芯片U2、辅助驱动MOS管Q1和辅助驱动MOS管Q2，所述第一开关单元的控制端栅极与驱动芯片U1的HO引脚连接，所述第三开关单元的控制端栅极与驱动芯片U2的HO引脚连接，所述第二开关单元的控制端栅极通过辅助驱动MOS管Q1与驱动芯片U1的LO引脚连接，所述第四开关单元的控制端栅极通过辅助驱动MOS管Q2与驱动芯片U2的LO引脚连接。
[0007]进一步的，一种H桥电机驱动电路还包括供电单元，所述供电单元包括驱动芯片供电电源+DRV、辅助驱动MOS管驱动电源+MOS_DRV和待机外加电源+DRV_IN，所述驱动芯片供电电源+DRV同时与驱动芯片U1以及驱动芯片U2连接，所述驱动芯片供电电源+DRV用于为驱动芯片U1和驱动芯片U2提供工作电压，所述辅助驱动MOS管驱动电源+MOS_DRV与辅助驱动MOS管Q1和辅助驱动MOS管Q2连接，所述辅助驱动MOS管驱动电源+MOS_DRV用于为辅助驱动MOS管Q1和辅助驱动MOS管Q2提供工作电压，所述待机外加电源+DRV_IN与第二开关单元以及第四开关单元的控制端栅极连接，所述待机外加电源+DRV_IN用于在待机状态下保持第二开关单元以及第四开关单元的控制端栅极的高电平。
[0008]进一步的，所述辅助驱动MOS管Q1和辅助驱动MOS管驱动电源+MOS_DRV之间还串联有第一分压电阻R1，所述辅助驱动MOS管Q1的栅极和源极之间还并联有第二分压电阻R2，所述辅助驱动MOS管Q2和辅助驱动MOS管驱动电源+MOS_DRV之间串联有第三分压电阻R3，所述辅助驱动MOS管Q2的栅极和源极之间并联有第四分压电阻R4。
[0009]进一步的，待机外加电源+DRV_IN与电阻R11的一端连接，所述电阻R11的另一端同时与辅助驱动MOS管Q1的漏极以及电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端接地，待机外加电源+DRV_IN还与电阻R13的一端连接，所述电阻R13的另一端同时与第四开关单元的控制端栅极以及电阻R14的一端连接，所述电阻R14的另一端接地。
[0010]进一步的，所述控制单元还包括二极管D1、电容C1、电容C2、二极管D2、电容C3和电容C4，所述二极管D1的阳极与驱动芯片U1的VCC引脚连接，所述驱动芯片U1的VCC引脚和GND引脚间还连接有电容C1，所述二极管D1的阴极与驱动芯片的VB引脚连接，所述二极管D1的阴极还通过电容C2与驱动芯片的VS引脚连接；所述二极管D2的阳极与驱动芯片U2的VCC引脚连接，所述驱动芯片U2的VCC引脚和GND引脚间还连接有电容C3，所述二极管D2的阴极与驱动芯片的VB引脚连接，所述二极管D2的阴极还通过电容C4与驱动芯片的VS引脚连接。
[0011]进一步的，所述第二开关单元的控制端栅极和辅助驱动MOS管Q1之间还串联有电阻R5，所述第四开关单元的控制端栅极和辅助驱动MOS管Q2之间串联有电阻R6。
[0012]进一步的，第一开关单元的控制端栅极与驱动芯片U1的HO引脚间串联有电阻R7，所述第一开关单元的控制端栅极还与电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端与驱动芯片U1的VS引脚连接，所述驱动芯片U1的VS引脚还与电机的正极连接。
[0013]进一步的，第三开关单元的控制端栅极与驱动芯片U2的HO引脚间串联有电阻R9，所述第一开关单元的控制端栅极还与电阻R10的一端连接，所述电阻R10的另一端与驱动芯片U2的VS引脚连接，所述驱动芯片U2的VS引脚还与电机的负极连接。
[0014]本技术的有益效果是：
[0015]辅助驱动MOS管能够有效阻断高电压回流至驱动芯片，在处于低功耗工作状态，即待机状态时，能够通过控制辅助驱动MOS管的关断使得开关单元控制端栅极的高电压不会回流至驱动芯片，H桥下桥臂的第二开关单元和第四开关单元能够正常驱动，保证电机自锁能够完成。相较于传统的利用继电器供电来完成电机自锁的方式，辅助驱动MOS管能够降低成本，且不存在噪音问题，降低故障误判风险。同时增加待机外加电源+DRV_IN，在H桥电机驱动电路处于正常工作状态时不影响驱动回路的正常工作，在驱动芯片断电后，通过待机外加电源+DRV_IN能够使得第二开关单元以及第四开关单元的控制端栅极保持高电平，相较于驱动芯片进行控制的方式，能够有效降低待机情况下的驱动损耗。
附图说明
[0016]图1是本技术的一种H桥电机驱动电路图；
[0017]图2是本技术实施例的一种驱动芯片的内部功能框图；
[0018]图3是本技术实施例的一种H桥电机驱动电路的实施例2的电路图；
具体实施方式
[0019]下面结合附图和实施例对本技术进一步描述。
[0020]实施例1：
[0021]所述H桥电机驱动电路的整体电路图如图1所示。一种H桥电机驱动电路包括电机MT、第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元和驱动控制单元，所述第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元和第四开关单元分别为MOS开关管Q3、MOS开关管Q4、MOS开关管Q5和MOS开关管Q6。所述第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元和第四开关单元还可以为其他双向导通的开关管。
[0022]所述第一开关单元的源极和第二开关单元的漏极本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种H桥电机驱动电路，其特征在于，包括电机、第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元和驱动控制单元，所述第一开关单元的源极和第二开关单元的漏极同时与电机的正极电连接，所述第三开关单元的源极和第四开关单元的漏极同时与电机的负极电连接，所述第一开关单元的漏极与第三开关单元的漏极连接，所述第二开关单元的源极与第四开关单元的源极均接地，所述驱动控制单元包括驱动芯片U1、驱动芯片U2、辅助驱动MOS管Q1和辅助驱动MOS管Q2，所述第一开关单元的控制端栅极与驱动芯片U1的HO引脚连接，所述第三开关单元的控制端栅极与驱动芯片U2的HO引脚连接，所述第二开关单元的控制端栅极通过辅助驱动MOS管Q1与驱动芯片U1的LO引脚连接，所述第四开关单元的控制端栅极通过辅助驱动MOS管Q2与驱动芯片U2的LO引脚连接。2.根据权利要求1所述的一种H桥电机驱动电路，其特征在于，还包括供电单元，所述供电单元包括驱动芯片供电电源+DRV、辅助驱动MOS管驱动电源+MOS_DRV和待机外加电源+DRV_IN，所述驱动芯片供电电源+DRV同时与驱动芯片U1以及驱动芯片U2连接，所述驱动芯片供电电源+DRV用于为驱动芯片U1和驱动芯片U2提供工作电压，所述辅助驱动MOS管驱动电源+MOS_DRV与辅助驱动MOS管Q1和辅助驱动MOS管Q2连接，所述辅助驱动MOS管驱动电源+MOS_DRV用于为辅助驱动MOS管Q1和辅助驱动MOS管Q2提供工作电压，所述待机外加电源+DRV_IN与第二开关单元以及第四开关单元的控制端栅极连接，所述待机外加电源+DRV_IN用于在待机状态下保持第二开关单元以及第四开关单元的控制端栅极的高电平。3.根据权利要求2所述的一种H桥电机驱动电路，其特征在于，所述辅助驱动MOS管Q1和辅助驱动MOS管驱动电源+MOS_DRV之间还串联有第一分压电阻R1，所述辅助驱动MOS管Q1的栅极的和源极之间还并联有第二分压电阻R2，所述辅助驱动MOS管Q2和辅助驱动MOS管驱动电源+MOS_DRV之间串联有第三分压电阻R3，所述辅助驱动MOS管Q2...
【专利技术属性】
技术研发人员：申向智，邓庆，
申请(专利权)人：浙江捷昌线性驱动科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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