一种形成IGBT电场终止层的方法技术

本发明专利技术提供一种形成IGBT电场终止层的方法，涉及IGBT工艺技术领域。该形成IGBT电场终止层的方法，包括以下步骤：S1、衬底准备；S2、栅氧化层的生长；S3、多晶淀积并光刻；S4、P型体区注入；S5、P型体区推进；S6、N+注入并推进；S7、介质层淀积；S8、接触孔光刻和金属溅射；S9、背面P型集电区注入；S10、背面集电区退火；S11、背面多次高能质子注入；S12、高能质子注入退火；S13、背面集电极金属溅射。本发明专利技术，采用多次高能质子注入，然后通过在350度

【技术实现步骤摘要】
一种形成IGBT电场终止层的方法


[0001]本专利技术涉及IGBT工艺
，具体为一种形成IGBT电场终止层的方法。

技术介绍

[0002]IGBT的静动态功耗要求越来越低，降低IGBT的厚度是实现该目的的有效方法,为了保持IGBT的耐压能力，在IGBT的背面形成电场终止层是保持IGBT耐压的有效方法。
[0003]形成IGBT的电场终止层，目前用的方法是在IGBT正面加工完之后，将衬底减薄到需要的厚度，然后在背面注入P,然后通过激光退火激活，在衬底背面1
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2um的深度范围内就形成了浓度增加的N型杂质分布即电场终止层，从而起到提高IGBT耐压的目的，这种方法形成的电场终止层尽管能起到耐压的作用，但由于电场终止层深度只有1
‑
2um,IGBT关断时电流下降快，造成IGBT关断时产生震荡，从而影响IGBT的可靠性。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种形成IGBT电场终止层的方法，解决了现有技术中存在的缺陷与不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成IGBT电场终止层的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：S1、衬底准备，衬底为均匀掺杂的N型硅基衬底；S2、栅氧化层的生长，条件为1100
‑
1150℃干氧生长方式；S3、多晶淀积并光刻，淀积的多晶厚度为1um左右，掺杂后方块电阻为4
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16ohm/sq；S4、P型体区注入，为B杂质注入，注入剂量为2
‑
10e13/cm2，注入能量为60
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100Kev；S5、P型体区推进，推进温度为1150℃,时间为90
‑
120min；S6、N+注入并推进，注入As,剂量为5e15/cm2‑
10e15/cm2,能量为100
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120Kev,推进温度为950
‑
1100℃,时间为60
‑
90min；S7、介质层淀积，采用CVD淀积的厚度为1um左右的SiO2膜层，参P或B或P和B都掺杂的SiO2；S8、接触孔光刻和金属溅射，金属采用蒸发或溅射方式形成,厚度为3<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李云燕，
申请(专利权)人：权芯微电子科技无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：