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本发明提供一种形成IGBT电场终止层的方法，涉及IGBT工艺技术领域。该形成IGBT电场终止层的方法，包括以下步骤：S1、衬底准备；S2、栅氧化层的生长；S3、多晶淀积并光刻；S4、P型体区注入；S5、P型体区推进；S6、N+注入并推进；S...
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