一种直流输入电源的无损耗防反接保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种直流输入电源的无损耗防反接保护电路，包括防反接二极管VD10、启动电流抑制电阻R74、缓启动电路继电器JDQ5等，当上电初期，通过防反接二极管VD10和启动电流抑制电阻R74限制输入电流为后面的输入电容充电；当充电到达辅电开启点后，辅助电源提供缓启动电路继电器JDQ5吸合的供电；当缓启动电路继电器JDQ5吸合后，防反接二极管VD10不再走电流，电流经过缓启动电路继电器JDQ5流通；当输入电流加反电时，由于防反接二极管VD10反向截止，缓启动电路继电器JDQ5无法吸合，从而实现无损耗的输入防反接。该电路将输入反接保护损耗降至接近零，提高整机效率，实现无损耗的输入防反接。入防反接。入防反接。

【技术实现步骤摘要】
一种直流输入电源的无损耗防反接保护电路


[0001]本专利技术涉及直流输入电路
，尤其涉及一种直流输入电源的无损耗防反接保护电路。

技术介绍

[0002]随着电力电子技术的飞速发展，相关产品已广泛应用在国防、航空航天、消费类电子、通信、新能源、逆变等行业，其中直流输入供电占比较大，在某些使用环境中，为避免使用人员专业性及操作失误等的需要，产品设计中尽量考虑设计误操作不失效，直流输入设备用户常常需要避免加反电导致的损坏，同时某些场合需要对输入启动电流进行限制，在低电压大输入容性负载和高压输入场合输入电容上电过程中将产生较大启动电流，未避免上电较大的冲击电流，而为避免上电打火通常需要具有缓启动功能，电源通常需同时考虑防反接及缓启动。
[0003]现有技术中的防反接电路通常采用二极管或MOS管串入到被保护设备的输入回路中，在大电流输入情况下，防反接二极管或者MOS管的损耗将严重影响整机效率，增加散热成本及空间，不利于产品小型化及降低成本，因此有必要研究既能实现防反接又能在判断正确连接后将防反接电路的损耗降至接近零损耗的解决方案。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种直流输入电源的无损耗防反接保护电路，该电路能够在尽量不额外增加器件的情况下，合理利用缓启动电路的继电器实现防反接电路的旁路，将输入反接保护损耗降至接近零，提高整机效率，实现无损耗的输入防反接。
[0005]本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：
[0006]一种直流输入电源的无损耗防反接保护电路，所述电路包括防反接二极管VD10、启动电流抑制电阻R74、输入滤波无极性电容C57、反接保护电路后滤波电解电容C61、高频滤波电容C58、缓启动电路继电器JDQ5、继电器反向续流二极管VD12、继电器控制吸合MOS管VM9、继电器吸合MOS管栅源极放电电阻R76、继电器吸合MOS管栅源极滤波电容C60、继电器吸合驱动电阻R78，其中：
[0007]所述输入滤波无极性电容C57加在电源输入端，所述输入滤波无极性电容C57的正端串联所述防反接二极管VD10和启动电流抑制电阻R74；
[0008]在所述防反接二极管VD10和启动电流抑制电阻R74两端并联继电器的常开触点，在防反接和缓启动完成后吸合所述缓启动电路继电器JDQ5的触点短路所述防反接二极管VD10和启动电流抑制电阻R74，这是实现无损耗防反接保护电路关键功率回路；
[0009]所述继电器反向续流二极管VD12并联在所述缓启动电路继电器JDQ5的电磁线圈两端，所述继电器反向续流二极管VD12的阳极连接继电器供电正电源，阴极连接所述继电器控制吸合MOS管VM9的漏极；
[0010]所述继电器吸合MOS管VM9的栅源极并联所述继电器吸合MOS管栅源极放电电阻
R76和所述继电器吸合MOS管栅源极滤波电容C60，所述继电器控制吸合MOS管VM9的栅极串联所述继电器吸合驱动电阻R78，实现继电器的吸合控制；
[0011]当上电初期，通过防反接二极管VD10和启动电流抑制电阻R74限制输入电流，并为后面的反接保护电路后滤波电解电容C61、高频滤波电容C58充电；
[0012]当充电到达辅电开启点后，辅助电源为缓启动电路继电器JDQ5的吸合供电，辅电输入应接在防反接保护二极管之后，即辅电输入与反接保护电路后滤波电解电容C61并联；
[0013]缓启动电路继电器JDQ5在判断电压达到一定值或者一定的延迟时间后，吸合继电器开关；
[0014]当缓启动电路继电器JDQ5吸合后，防反接二极管VD10不再走电流，电流经过缓启动电路继电器JDQ5吸合触点回路流通；
[0015]当输入电流加反电时，由于防反接二极管VD10反向截止，缓启动电路继电器JDQ5无法吸合，从而实现无损耗的输入防反接。
[0016]由上述本专利技术提供的技术方案可以看出，上述电路能够在尽量不额外增加器件的情况下，合理利用缓启动电路的继电器实现防反接电路的旁路，将输入反接保护损耗降至接近零，提高整机效率，实现无损耗的输入防反接。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。
[0018]图1为本专利技术实施例提供的直流输入电源的无损耗防反接保护电路的整体结构示意图。
具体实施方式
[0019]下面结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例，这并不构成对本专利技术的限制。基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术的保护范围。
[0020]如图1所示为本专利技术实施例提供的直流输入电源的无损耗防反接保护电路的整体结构示意图，所述电路包括防反接二极管VD10、启动电流抑制电阻R74、输入滤波无极性电容C57、反接保护电路后滤波电解电容C61、高频滤波电容C58、缓启动电路继电器JDQ5、继电器反向续流二极管VD12、继电器控制吸合MOS管VM9、继电器吸合MOS管栅源极(GS)放电电阻R76、继电器吸合MOS管栅源极(GS)滤波电容C60、继电器吸合驱动电阻R78，其中：
[0021]所述输入滤波无极性电容C57加在电源输入端，所述输入滤波无极性电容C57的正端串联所述防反接二极管VD10和启动电流抑制电阻R74；
[0022]在所述防反接二极管VD10和启动电流抑制电阻R74两端并联继电器的常开触点，在防反接和缓启动完成后吸合所述缓启动电路继电器JDQ5的触点短路所述防反接二极管VD10和启动电流抑制电阻R74，这是实现无损耗防反接保护电路关键功率回路；
[0023]所述继电器反向续流二极管VD12并联在所述缓启动电路继电器JDQ5的电磁线圈两端，所述继电器反向续流二极管VD12的阳极连接继电器供电正电源，阴极连接所述继电器控制吸合MOS管VM9的漏极；
[0024]所述继电器吸合MOS管VM9的栅源极(GS)并联所述继电器吸合MOS管栅源极(GS)放电电阻R76和所述继电器吸合MOS管栅源极(GS)滤波电容C60，所述继电器控制吸合MOS管VM9的栅极串联所述继电器吸合驱动电阻R78，实现继电器的吸合控制；
[0025]当上电初期，通过防反接二极管VD10和启动电流抑制电阻R74限制输入电流，并为后面的反接保护电路后滤波电解电容C61、高频滤波电容C58充电；
[0026]当充电到达辅电开启点后，辅助电源为缓启动电路继电器JDQ5的吸合供电，辅电输入应接在防反接保护二极管之后，即辅电输入与反接保护电路后滤波电解电容C61并联；
[0027]缓启动电路继电器JDQ5在判断电压达到一定值或者一定的延迟时间后，吸合继电器开关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直流输入电源的无损耗防反接保护电路，其特征在于，所述电路包括防反接二极管VD10、启动电流抑制电阻R74、输入滤波无极性电容C57、反接保护电路后滤波电解电容C61、高频滤波电容C58、缓启动电路继电器JDQ5、继电器反向续流二极管VD12、继电器控制吸合MOS管VM9、继电器吸合MOS管栅源极放电电阻R76、继电器吸合MOS管栅源极滤波电容C60、继电器吸合驱动电阻R78，其中：所述输入滤波无极性电容C57加在电源输入端，所述输入滤波无极性电容C57的正端串联所述防反接二极管VD10和启动电流抑制电阻R74；在所述防反接二极管VD10和启动电流抑制电阻R74两端并联继电器的常开触点，在防反接和缓启动完成后吸合所述缓启动电路继电器JDQ5的触点短路所述防反接二极管VD10和启动电流抑制电阻R74，这是实现无损耗防反接保护电路关键功率回路；所述继电器反向续流二极管VD12并联在所述缓启动电路继电器JDQ5的电磁线圈两端，所述继电器反向续流二极管VD12的阳极连接继电器供电正电源，阴极连接所述继电器控制吸合MOS管VM9的漏极；所述继电器吸合MOS管VM9的栅源极并联所述继电器吸合MOS管栅源极放电电阻R76和所述继电器吸合MOS管栅源极滤波电容C60，所述继电器控制吸合MOS管VM9的栅极串联所述继电器吸合驱动电阻R78，实现继电器的吸合控制；当上电初期，通过防反接二极管VD10和启动电流抑制电阻R74限制输入电流，并为后面的反接保护电路后滤波电解电容C61、高频滤波电容C58充电；当充电到达辅电开启点后，辅助电源为缓启动电路继电器JDQ5的吸合供电，辅电输入应接在...

【专利技术属性】
技术研发人员：董文龙，
申请(专利权)人：北京大华无线电仪器有限责任公司，
类型：发明
国别省市：