一种隔离型带负压的驱动电路制造技术

技术编号:40783885 阅读:21 留言:0更新日期:2024-03-28 19:16
本发明专利技术公开了一种隔离型带负压的驱动电路,包括隔离变压器;使用四个开关管作为隔离变压器原边绕组的输入端,隔离变压器的副边绕组连接有全桥电路,全桥电路通过稳压管与驱动电路连接,驱动电路连接有驱动芯片。隔离变压器包括相互耦合的原边绕组、第一副边绕组及第二副边绕组;原边绕组的一端接第一功率开关管和第二功率开关管的连接处,原边绕组的另一端接第三功率开关管和第四功率开关管的连接处;第一功率开关管与第二功率开关管的输入PWM信号相位交错,第三功率开关管和第四功率开关管输入PWM信号相位交错。实现了一个变压器多组正负电压输出,实现了在低成本的同时不改变现有的驱动原理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种开关电源,尤其涉及一种隔离型带负压的驱动电路


技术介绍

1、21世纪的信息化的快速发展使得开关电源在下游的应用很广泛,如工业领域、消费电子领域、通信领域和家电。此外随着互联网技术发展及在各个领域的渗透,大数据和云计算的不断深入,开关电源在医疗和人工只能领域、新能源都将有重要市应用,市场需求将会稳步增长。而现如今的开关电源的发展趋势于电源的绿色化、电源数字化、电源集成化。而高新技术的发展,电源小型化、轻量化则是开关电源的目标。数字电源的智能控制开关和数字芯片的组合,并使用适当的算法去调节电压和电流。而线性电源因功率小体积大而相对市场小一些。综合以上,开关电源目前成为应用比较广泛的电源。

2、随着电力电子技术的发展,第三代半导体材料-氮化镓(gan)和碳化硅(sic)、氧化锌(zno)、金刚石等进入新型材料视野。因为第三代半导体采用宽禁带材料,具有漏电流小、导通阻抗小、寄生电容小的优点,兼承受高压和高功率的功能,而备受青睐制作为mos、igbt等。但是功率mos寻在米勒电容,关断时漏极电压的上升会影响米勒电容在栅极产生干扰电压,本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种隔离型带负压的驱动电路,其特征在于,包括隔离变压器;

2.根据权利要求1所述的隔离型带负压的驱动电路,其特征在于,所述四个开关管包括:

3.根据权利要求2所述的隔离型带负压的驱动电路,其特征在于,所述隔离变压器包括:

4.根据权利要求3所述的隔离型带负压的驱动电路,其特征在于,所述驱动电路包括第一驱动回路和第二驱动回路;

5.根据权利要求4所述的隔离型带负压的驱动电路,其特征在于:

【技术特征摘要】

1.一种隔离型带负压的驱动电路,其特征在于,包括隔离变压器;

2.根据权利要求1所述的隔离型带负压的驱动电路,其特征在于,所述四个开关管包括:

3.根据权利要求2所述的隔离型带负压的驱动电路,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:顾涛张志伟柯灿李晓光
申请(专利权)人:北京大华无线电仪器有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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