本发明专利技术公开了一种稀土永磁材料及其制备方法和应用。该稀土永磁材料主相晶粒的平均粒径为5～10μm；稀土永磁材料中单畴晶粒的面积占总面积的百分比为0.1％～5.5％。本发明专利技术中稀土永磁材料主相晶粒的平均粒径大，磁性能优异，且能够在保证高矫顽力的同时，提高稀土永磁材料的磁化特性；本发明专利技术中的稀土永磁材料在有效充磁磁场为600kA/m时，磁化率可达到81％以上；有效充磁磁场为950kA/m时，磁化率可达到96％以上。96％以上。96％以上。
【技术实现步骤摘要】
一种稀土永磁材料及其制备方法和应用
[0001]本专利技术涉及一种稀土永磁材料及其制备方法和应用。
技术介绍
[0002]稀土永磁材料因其优异的磁性能而被广泛应用于电子产品、汽车、风电、家电、电梯及工业机器人等领域，例如在硬盘、手机、耳机、和电梯曳引机、发电机等永磁电机中作为能量源等。随着其需求日益扩大，对于稀土永磁材料的磁性能和磁化特性也提出了较高要求。一般地，当稀土永磁材料磁性能较高时，不易达到饱和充磁。因此，需要提供一种磁性能和磁化特性能够同时满足要求的稀土永磁材料。
[0003]现有技术中，当受到应用领域或其他客观条件的限制，而无法提供较高的磁化磁场时，容易导致稀土永磁材料的磁化率较低。通常，为了提高稀土永磁材料的磁化率，会选用具有较高剩磁的稀土永磁材料，但是这种方式造成了过高的磁性能的浪费。
[0004]因此，需要提供一种磁性能优异，且在低磁化磁场下磁化特性优异的稀土永磁材料。
技术实现思路
[0005]本专利技术为了解决现有技术中稀土永磁材料着磁率低，特别是在低磁化磁场下磁化特性不佳的问题，而提供了一种稀土永磁材料及其制备方法和应用。本专利技术调整了稀土永磁材料原料中合金细粉的粒径，制得的稀土永磁材料晶粒粒径大，且能够在保证稀土永磁材料磁性能的基础上，优化磁化特性，在有效充磁磁场较低时，稀土永磁材料中单畴晶粒的面积占总面积的百分比的增长速率快，磁化率高。
[0006]本专利技术是通过以下技术方案解决上述技术问题的。
[0007]本专利技术提供的技术方案之一为：一种稀土永磁材料。该稀土永磁材料主相晶粒的平均粒径为5～10μm；
[0008]所述稀土永磁材料中单畴晶粒的面积占总面积的百分比为0.1％～5.5％。
[0009]本专利技术中，所述稀土永磁材料主相晶粒的平均粒径优选为6～8μm。所述稀土永磁材料中单畴晶粒的面积占总面积的百分比优选为0.2％～0.6％。
[0010]本专利技术中，所述稀土永磁材料主相晶粒的平均粒径更优选为6μm、7μm、7.1μm、7.3μm或7.7μm。所述稀土永磁材料中单畴晶粒的面积占总面积的百分比更优选为0.25％、0.35％、0.41％、0.45％、0.51％或0.52％。
[0011]本专利技术中，在有效充磁磁场为450kA/m时，所述稀土永磁材料中单畴晶粒的面积占总面积的百分比为33％以上，优选为35％～40％，例如35.1％、35.2％、37.2％、37.3％、37.4％或39.2％。
[0012]在有效充磁磁场为600kA/m时，所述稀土永磁材料中单畴晶粒的面积占总面积的百分比为38％以上，优选为40％～52％，例如41.0％、41.1％、43.0％、45.0％、46.0％或51.0％。
[0013]在有效充磁磁场为950kA/m时，所述稀土永磁材料中单畴晶粒的面积占总面积的百分比为45％以上，优选为48％～58％，例如49.5％、50.0％、51.0％、51.4％、52.0％或56.8％。
[0014]本专利技术中，所述稀土永磁材料中单畴晶粒的面积占总面积的百分比可为在稀土永磁材料的任一截面上，单畴晶粒的表面积占该截面总表面积的百分比。
[0015]本专利技术中，所述稀土永磁材料可为本领域常规的稀土永磁材料。本领域技术人员知晓所述稀土永磁材料一般可为稀土金属和过渡族金属形成的合金，例如钕铁硼稀土永磁材料。
[0016]其中，所述稀土永磁材料的组分和含量可为本领域常规的稀土永磁材料的组分和含量。
[0017]所述单畴晶粒的晶粒相可为所述稀土永磁材料的主相。所述稀土永磁材料的主相可为Nd2Fe
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B。
[0018]所述稀土永磁材料可包括至少含有Nd的稀土元素，Fe，B，Co，Cu，Ga，以及，下述元素中的一种或多种：Ti、Zr、Al和Nb。其中，所述稀土元素中优选还包括Pr、Tb、Dy和Ho中的一种或多种。
[0019]所述稀土永磁材料优选包括Pr、Nd、Tb、Fe、Dy、Co、Ti、Cu、Ga和B。
[0020]其中，所述稀土元素的含量可为29～32wt.％。所述Pr的含量可为5～10wt.％。所述Nd的含量可为19～27wt.％。所述Tb的含量可为0～2wt.％。所述Co的含量可为0～2wt.％。所述Ti的含量可为0～1wt.％。所述Cu的含量可为0～1wt.％。所述Ga的含量可为0～1wt.％。所述B的含量可为0.8～1.0wt.％。所述Dy的含量可为0～2wt.％。所述Fe的含量可为余量。百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
[0021]或者，所述稀土永磁材料优选包括Pr、Nd、Tb、Dy、Fe、Al、Co、Cu、Ga、Zr和B。
[0022]其中，所述稀土元素的含量可为29～32wt.％。所述Pr的含量可为5～10wt.％。所述Nd的含量可为19～27wt.％。所述Tb的含量可为0～2wt.％。所述Co的含量可为0～2wt.％。所述Al的含量可为0～1wt.％。所述Cu的含量可为0～1wt.％。所述Ga的含量可为0～1wt.％。所述Zr的含量可为0～1wt.％。所述B的含量可为0.9～1.1wt.％。所述Dy的含量为0～2wt.％。所述Fe的含量可为余量。百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
[0023]根据本领域常规，各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比之和应为100％。
[0024]在本专利技术一具体实施方式中，所述稀土永磁材料优选包括如下质量含量的组分：Pr 7wt.％、Nd 21.5wt.％、Tb 1.3wt.％、Dy 0.4wt.％、Fe为余量、Co0.8wt.％、Ti 0.16wt.％、Cu 0.12wt.％、Ga 0.12wt.％和B 0.93wt.％。百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
[0025]在本专利技术一具体实施方式中，所述稀土永磁材料优选包括如下质量含量的组分：Pr 7.1wt.％、Nd 21.4wt.％、Tb 1.3wt.％、Dy 0.41wt.％、Fe为余量、Co 1.6wt.％、Ti 0.16wt.％、Cu 0.13wt.％、Ga 0.3wt.％和B 0.96wt.％。百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
[0026]在本专利技术一具体实施方式中，所述稀土永磁材料优选包括如下质量含量的组分：
Pr 6.9wt.％、Nd 21.5wt.％、Tb 1.3wt.％、Dy 0.39wt.％、Fe为余量、Co 0.5wt.％、Ti 0.15wt.％、Cu 0.4wt.％、Ga 0.12wt.％和B 0.9wt.％。百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
[0027]在本专利技术一具体实施方式中，所述稀土永磁材料优选包括如下质量含量的组分：Pr 7.3wt.％、Nd 21.9wt.％、Tb 0.5wt.％、Dy 1.61wt.％、Fe为余量、Co 1.68wt.％、Al 0.22wt.％本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种稀土永磁材料，其特征在于，所述稀土永磁材料主相晶粒的平均粒径为5～10μm；所述稀土永磁材料中单畴晶粒的面积占总面积的百分比为0.1％～5.5％。2.如权利要求1所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述稀土永磁材料主相晶粒的平均粒径为6～8μm；和/或，所述稀土永磁材料中单畴晶粒的面积占总面积的百分比为0.2％～0.6％。3.如权利要求1所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述稀土永磁材料主相晶粒的平均粒径为6μm、7μm、7.1μm、7.3μm或7.7μm；和/或，所述稀土永磁材料中单畴晶粒的面积占总面积的百分比为0.25％、0.35％、0.41％、0.45％、0.51％或0.52％；和/或，在有效充磁磁场为450kA/m时，所述稀土永磁材料中单畴晶粒的面积占总面积的百分比为33％以上，优选为35％～40％，例如35.1％、35.2％、37.2％、37.3％、37.4％或39.2％；和/或，在有效充磁磁场为600kA/m时，所述稀土永磁材料中单畴晶粒的面积占总面积的百分比为38％以上，优选为40％～52％，例如41.0％、41.1％、43.0％、45.0％、46.0％或51.0％；和/或，在有效充磁磁场为950kA/m时，所述稀土永磁材料中单畴晶粒的面积占总面积的百分比为45％以上，优选为48％～58％，例如49.5％、50.0％、51.0％、51.4％、52.0％或56.8％。4.如权利要求1所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述单畴晶粒的晶粒相为所述稀土永磁材料的主相；和/或，所述稀土永磁材料的主相为Nd2Fe
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B；和/或，所述稀土永磁材料包括至少含有Nd的稀土元素，Fe，B，Co，Cu，Ga，以及，下述元素中的一种或多种：Ti、Zr、Al和Nb；所述稀土元素中优选还包括Pr、Tb、Dy和Ho中的一种或多种；优选地，所述稀土永磁材料包括Pr、N...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖宗博，张艳艳，蓝琴，黄佳莹，
申请(专利权)人：厦门钨业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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