【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶体生长，具体而言，涉及一种晶体生长装置。
技术介绍
1、下降法单晶生长装置在制备大尺寸晶体过程中，需要在装置内形成具有一定温度梯度的温度场，然后将盛装有原料熔体的坩埚缓慢下降，由高温区域向低温区域移动，实现结晶。结晶的温度梯度与结晶质量息息相关，如果温度梯度不合适或出现生长加速度的现象，晶体容易出现包裹体过多、排杂不好等现象。然而，现有的晶体生长装置对温度梯度的控制效果较差，导致晶体生长质量不佳，制备大尺寸晶体难度较高。
2、鉴于此，特提出本申请。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种晶体生长装置，其能够有效地控制晶体生长的温度梯度，提高晶体生长质量，有利于制备大尺寸晶体。
2、本申请的实施例是这样实现的：
3、本申请提供一种晶体生长装置，包括：
4、炉体，炉体形成炉腔，炉体的内侧设置有加热组件；
5、支撑组件，包括载物台与支撑轴，载物台位于炉腔内，用于放置坩埚，支撑轴的一端连接于载物台底部，另一端从炉体的下端伸
【技术保护点】
1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置包括冷源，所述冷源连接于所述第一管路。
3.根据权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述冷源通过所述第一管路、所述第二管路与所述冷却环形成冷却回路。
4.根据权利要求3所述的晶体生长装置，其特征在于，所述冷媒为水，所述冷源包括冷水机。
5.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述加热组件包括第一加热组件和第二加热组件，所述第一加热组件间隔地设置于所述第二加热组件上方，所述冷却环设置于所述第一加热组件...
【技术特征摘要】
1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置包括冷源，所述冷源连接于所述第一管路。
3.根据权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述冷源通过所述第一管路、所述第二管路与所述冷却环形成冷却回路。
4.根据权利要求3所述的晶体生长装置，其特征在于，所述冷媒为水，所述冷源包括冷水机。
5.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述加热组件包括第一加热组件和第二加热组件，所述第一加热组件间隔地设置于所述第二加热组件上方，所述冷却环设置于所述第一加热组件和所述第二加热组件之间。
6.根据权利要求5所述的晶体生长装置，其特征在于，所述炉体内设置有第一保温件，所述第一保温件凸设于所述炉腔的内壁，并沿所述炉腔的周向延伸而形成环状，所述第一保温件的中部形成供所述载物台和所述支撑轴穿过的通孔，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭杰，张彬镜，蔡杰毅，何少东，龚应双，冯添富，林海青，庄击勇，郑燕青，
申请(专利权)人：厦门钨业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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