半导体装置制造方法及图纸

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体装置，包括：半导体衬底，形成有切割线区；第一测试垫以及测试元件，设置在切割线区；导线，用于将第一测试垫以及测试元件连接；其中，第一测试垫包括层叠设置的多个金属配线层，至少一个金属配线层内形成有第一金属配线以及第二金属配线，将第一金属配线作为导线。本实施例将测试垫中的部分金属导线分离出来作为测试导线，这样测试导线便可以以直线的方式将测试垫与测试元件进行连接，缩短了测试导线的长度，简化了测试导线的布置结构。简化了测试导线的布置结构。简化了测试导线的布置结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0002]半导体晶粒是由半导体晶元所制造而成，而每一半导体晶粒包括集成电路。上述集成电路通过进行沉积、光刻、刻蚀、离子注入等步骤而形成于半导体晶元上。在完成晶元上的集成电路制造后，通常通过切割半导体晶元，使半导体晶粒彼此分离。半导体晶粒之间空出的晶元空间用于晶元切割而称作切割道区。
[0003]一般来说，切割道区设有测试元件组(test element group；TEG)。测试元件组包括测试垫(Probing pad)及测试元件，且测试键结构与半导体晶粒上的实际装置或功能装置同时制作。通过将测试探针电性接触于测试垫，可检查实际装置或功能装置的品质。
[0004]随着划线在芯片上的线宽的缩减，测试元件组持续缩小,其内的测试垫也在缩小,测试元件变得复杂,连接测试垫及测试元件的配线也越来越长,导致连接上出现了困难。

技术实现思路

[0005]本申请至少在一定程度上解决相关技术中的上述技术问题。为此，本申请提出一种半导体装置，以解决本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底，形成有切割线区；第一测试垫以及测试元件，设置在所述切割线区；测试导线，用于将所述第一测试垫以及测试元件连接；其中，所述第一测试垫包括层叠设置的多个金属配线层，至少一个金属配线层内形成有第一金属配线以及第二金属配线，将所述第一金属配线作为所述测试导线。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，多个金属配线层包括多个交替设置的第一金属配线层以及第二金属配线层，其中，仅在所述第一金属配线层内形成所述测试导线。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，相邻的两个所述第一金属配线层内的测试导线错位设置。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，相邻的两个所述第一金属配线层内的测试导线...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳圣浩，赵劼，杨涛，张欣，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：