【技术实现步骤摘要】
用于非易失性存储器设备的电压产生电路和电子装置
[0001]本解决方案涉及用于非易失性存储器设备的位线电压产生电路和电子装置，特别是相变类型的位线电压产生电路。
技术介绍
[0002]众所周知，相变类型的非易失性存储器(PCM相变存储器或ePCM嵌入式相变存储器)设想在存储器单元中的信息存储，通过利用具有在电阻率差值很大的相之间切换的特性的相变材料，在以由字线(WL)形成的行和由位线(BL)形成的列布置的存储器阵列中组织。特别地，这些材料能够在具有高电阻率的非晶相与具有低电阻率的晶相或多晶相之间切换。因此，在相变存储器单元中，可以将存储到相应相(无论是非晶态还是晶态)的数据的不同值与对应的相变存储元件的对应的电阻率相关联。
[0003]例如，可以使用周期表的第六族元素(诸如碲(Te)、硒(Se) 或锑(Sb))，被称为硫系化合物或硫系材料；由锗(Ge)、锑(Sb) 和碲(Te)组成的合金，被认为是目前在这种存储器元件中被广泛使用的GST(具有化学成分Ge2Sb2Te5)，作为相变存储器的元素。
技术实现思路
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于非易失性存储器设备的电压产生电路，其特征在于，所述非易失性存储器设备包括存储器阵列，所述存储器阵列具有被耦合到相应的字线和局部位线的多个存储器单元，每个存储器单元包括存储元件和选择器元件，所述选择器元件包括双极晶体管，所述双极晶体管被耦合到，所述存储元件并且被配置为选择性地使单元电流能够在读取或验证操作期间流动，其中所述选择器元件的基极端子被耦合到相应的字线，其中感应放大器级经由列解码器与所述局部位线相关联，其中所述感应放大器级在所述感应放大器级的输入处包括相应的偏置晶体管，相应的所述偏置晶体管各自具有控制端子，并且其中驱动器级被耦合到每个字线，以在所述读取或验证操作期间对所述字线进行偏置，其中所述电压产生电路被配置为：基于参考电压，针对所述偏置晶体管的所述控制端子产生共源共栅电压，其中由于与对应的所述选择器元件相关联的电流，所述参考电压是所述驱动器级上、所述字线上、以及所述存储器单元上相应的电压降的仿真的函数。2.根据权利要求1所述的电压产生电路，其特征在于，包括：参考产生级，被配置为在输出上产生从输入处接收的电压参考开始的所述参考电压；以及输出级，被配置为基于所述参考电压产生所述共源共栅电压；其中，所述输出级包括：运算放大器，具有从所述参考产生级接收所述参考电压的非反相端子、被连接到第一内部节点的反相端子、以及提供所述共源共栅电压的输出端子；输出晶体管，所述输出晶体管的控制端子被连接到接收所述共源共栅电压的所述运算放大器的所述输出端子，并且所述输出晶体管被耦合在电源线与所述第一内部节点之间；以及电流产生器，被耦合到所述第一内部节点，并且被配置为产生列电流，所述列电流具有表示在所述存储器单元中循环的电流的中间值的值。3.根据权利要求2所述的电压产生电路，其特征在于，所述参考产生级包括：第一仿真块，将所述输出晶体管耦合到所述第一内部节点，并且被配置为相对于由于所述列电流引起的第一电压降来仿真所述列解码器。4.根据权利要求3所述的电压产生电路，其特征在于，所述第一仿真块包括多个PMOS型仿真晶体管，所述多个PMOS型仿真晶体管在所述输出晶体管与所述第一内部节点之间级联，并且所述多个PMOS型仿真晶体管具有被连接到接地端子的对应的控制端子，以处于导通状态。5.根据权利要求3所述的电压产生电路，其特征在于，所述参考产生级包括：第二仿真块，被配置为相对于对应的第二电压降，仿真存储器单元的相变元件；第三仿真块，被配置为相对于对应的第三电压降，仿真所述存储器阵列的所述字线和与所述字线相关联的存储器单元；以及第四仿真块，被配置为相对于对应的第四电压降，仿真所述驱动器级；其中，所述参考产生级被配置为使得对于所述参考电压的产生，所述第二电压降的作用相对于所述第三电压降和所述第四电压降的作用是能够单独地、和独立地控制的。6.根据权利要求5所述的电压产生电路，其特征在于，所述第二仿真块包括仿真电阻
器，所述仿真电阻器被耦合在所述输出与内部节点之间，被连接到所述第三仿真块，并且被设计为从第一电流镜接收镜像电流；所述第一电流镜具有镜像分支、第一镜像分支以及第二镜像分支，所述镜像分支基于所述电压参考来产生镜像电流，所述第一镜像分支被连接到所述输出和所述仿真电阻器，并且基于相对于所述镜像电流的镜像比来提供所述镜像电流，所述第二镜像分支被连接到另一内部节点；以及其中所述参考产生级还包括具有单位镜像比的第二电流镜，所述第二电流镜被耦合在所述内部节点与所述另一内部节点之间，并且被配置为从所述内部节点提取电流，所述电流与流过...
【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。