存储器器件及其布局制造技术

在某些方面，一种存储器器件包括外围块和外围块上的存储块。外围块包括在外围块的第二象限中的第一字线驱动器区域、在外围块的第四象限中的第二字线驱动器区域、在外围块的第三象限中的第一位线选择器区域、以及在外围块的第一象限中的第二位线选择器区域。第一象限中的第二位线选择器区域。第一象限中的第二位线选择器区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器器件及其布局

技术介绍

[0001]本公开涉及存储器器件及其布局。
[0002]通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，将平面存储单元缩小到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本昂贵。结果，平面存储单元的存储密度接近上限。
[0003]三维(3D)存储器架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3D存储器架构包括存储器阵列和用于控制来往于存储器阵列的信号的外围器件。例如，相变存储器(phase
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change memory，PCM)可以基于相变材料的电热加热和淬火来利用相变材料中非晶相和结晶相的电阻率之间的差异。PCM阵列单元可以以3D垂直堆叠以形成3D PCM器件。
[0004]存储器器件中的外围器件的布局配置对应于其中的多个外围单元或部件的图案和配置。

技术实现思路

[0005]在一方面，一种存储器器件包括外围块和外围块上的存储块。外围块包括在外围块的第二象限中的第一字线驱动器区域、在外围块的第四象限中的第二字线驱动器区域、在外围块的第三象限中的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储器器件，包括：外围块；以及所述外围块上的存储块，其中，所述外围块包括：在所述外围块的第二象限中的第一字线驱动器区域；在所述外围块的第四象限中的第二字线驱动器区域；在所述外围块的第三象限中的第一位线选择器区域；以及在所述外围块的第一象限中的第二位线选择器区域。2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述外围块还包括：在所述外围块的所述第三象限中的第一位线驱动器区域；以及在所述外围块的所述第一象限中的第二位线驱动器区域。3.根据权利要求2所述的存储器器件，还包括：在所述第一位线驱动器区域和所述第二位线驱动器区域中的多个位线驱动器，并且每个所述位线驱动器包括p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管或其组合。4.根据权利要求2所述的存储器器件，其中，所述第一位线选择器区域包括：第一底部位线选择器区域；以及第一顶部位线选择器区域，并且其中，所述第二位线选择器区域包括：第二底部位线选择器区域；以及第二顶部位线选择器区域。5.根据权利要求4所述的存储器器件，其中，所述第一位线驱动器区域在所述第一底部位线选择器区域与所述第一顶部位线选择器区域之间，并且所述第二位线驱动器区域在所述第二底部位线选择器区域与所述第二顶部位线选择器区域之间。6.根据权利要求4或5所述的存储器器件，其中，所述外围块还包括：多个局部数据线区域，每个所述局部数据线区域与所述第一底部位线选择器区域、所述第一顶部位线选择器区域、所述第二底部位线选择器区域或所述第二顶部位线选择器区域相邻。7.根据权利要求4
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6中任一项所述的存储器器件，其中，所述外围块还包括：与所述第一底部位线选择器区域相邻的第一底部位线触点区域；与所述第一顶部位线选择器区域相邻的第一顶部位线触点区域；与所述第二底部位线选择器区域相邻的第二底部位线触点区域；以及与所述第二顶部位线选择器区域相邻的第二顶部位线触点区域。8.根据权利要求1
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7中任一项所述的存储器器件，其中，所述外围块还包括：与所述第一字线驱动器区域和所述第二字线驱动器区域相邻的字线触点区域。9.根据权利要求1
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8中任一项所述的存储器器件，其中，所述存储块还包括：多个顶部相变存储器(PCM)单元；多个底部PCM单元；连接到所述顶部PCM单元并且在第一方向上横向延伸的顶部位线；连接到所述底部PCM单元并且在所述第一方向上横向延伸的底部位线；以及连接在所述顶部PCM单元与所述底部PCM单元之间并且在第二方向上横向延伸的字线，
其中，所述第一方向垂直于所述第二方向。10.根据权利要求9所述的存储器器件，还包括：垂直延伸并且连接在所述底部位线与所述第一位线选择器区域之间或所述底部位线与所述第二位线选择器区域之间的多个底部位线触点；垂直延伸并且连接在所述顶部位线与所述第一位线选择器区域之间或所述顶部位线与所述第二位线选择器区域之间的多个顶部位线触点；以及垂直延伸并且连接在所述字线与所述第一字线驱动器区域之间或所述字线与所述第二字线驱动器区域之间的多个字线触点。11.根据权利要求1
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10中任一项所述的存储器器件，还包括：衬底，其中，所述外围块形成在所述衬底上。12.根据权利要求1
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11中任一项所述的存储器器件，还包括：在所述第一字线驱动器区域和所述第二字线驱动器区域中的多个字线驱动器，每个所述字线驱动器包括PMOS晶体管、NMOS晶体管或其组合。13.根据权利要求1
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12中任一项所述的存储器器件，还包括：在所述第一位线选...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓娟，雷威锋，李建平，彭首春，刘威，刘峻，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：