存内数据处理电路及阻变存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种存内数据处理电路，包括电压调节单元、比较单元和移位选择单元，通过电压调节单元根据不同的选通电阻阵列分支以输出对应的第一电压；再通过比较单元对电压调节单元输出的多个第一电压分别和第二电压进行比较，以输出多个电平信号；以及通过移位选择单元根据多个电平信号输出对应的位数据；由此，无需使用大量的ADC/DAC和倒相放大器，使得功耗和面积小，并且精度高。并且精度高。并且精度高。

【技术实现步骤摘要】
存内数据处理电路及阻变存储器


[0001]本专利技术涉及电子
，特别涉及一种存内数据处理电路和一种阻变存储器。

技术介绍

[0002]相关技术中，存内计算核的计算精度和能效是设计中的两个关键指标，高精度高能效的存内计算核才能将存内计算的优势发挥出来，现有的基于倒相放大器的存内计算核由于需要使用大量的ADC/DAC和倒相放大器，导致功耗、面积开销大，并且RRAM阵列非理想特性，使得精度不高。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少在一定程度上解决上述技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种存内数据处理电路，无需使用大量的ADC/DAC和倒相放大器，使得功耗和面积小，并且精度高。
[0004]为达到上述目的，本专利技术实施例提出的一种存内数据处理电路，包括：电流阵列单元，所述电流阵列单元用于根据不同的选通电流阵列分支以输出对应的第一电流；电流镜单元，所述电流镜单元的输入端与所述电流阵列单元的输出端相连接，所述电流镜单元用于根据预设的参考电压以生成第一电压，根据所述第一电流以生成第二电压；比较单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存内数据处理电路，其特征在于，包括：电流阵列单元，所述电流阵列单元用于根据不同的选通电流阵列分支以输出对应的第一电流；电流镜单元，所述电流镜单元的输入端与所述电流阵列单元的输出端相连接，所述电流镜单元用于根据预设的参考电压以生成第一电压，根据所述第一电流以生成第二电压；比较单元，所述比较单元的第一输入端与所述电流镜单元的第一输出端相连接，所述比较单元的第二输入端与所述电流镜单元的第二输出端相连接，所述比较单元用于对所述电流阵列单元根据不同的选通电流阵列分支以输出对应的多个第二电压分别和所述第一电压进行比较，以输出多个电平信号；移位选择单元，所述移位选择单元用于根据所述多个电平信号输出对应的位数据。2.根据权利要求1所述的存内数据处理电路，其特征在于，所述电流阵列单元具有多个电流阵列分支，每个电流分支包括第一MOS管和第二MOS管。3.根据权利要求1所述的存内数据处理电路，其特征在于，所述电流镜单元包括：第三MOS管，所述第三MOS管的漏极连接到预设电源；第四MOS管，所述第四MOS管的漏极连接到预设电源，所述第四MOS管的栅极与所述第三MOS管的栅极相连接；第五MOS管，所述第五MOS管的漏极与所述第三MOS管的源极相连接且具有第一节点，所述第一节点连接到所述比较单元的第一输入端；第六MOS管，所述第六MOS管的漏极与所述第四MOS管的源极相连接且具有第二节点，所述第二节点连接到所述比较单元的第二输入端，所述第六MOS管的源极与所述电流阵列单元的输出端相连接；第一比较器，所述第一比较器的第一输入端具有预设的第三电压，所述第一比较器的第二输入端与所述第五MOS管的源极相连接，所述第一比较器的输出端与所述第五MOS管的栅极相连接；第二比较器，所述第二比较器的第一输入端具有预设的第三电压，所述第二比较器的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄永宏，柯志斌，李淡，陈瑞隆，
申请(专利权)人：厦门半导体工业技术研发有限公司，
类型：发明
国别省市：