电阻存储器装置以及读取电阻存储器装置中数据的方法制造方法及图纸

本公开涉及了电阻存储器装置以及读取电阻存储器装置中数据的方法。电阻存储器装置包括电阻存储器单元、被连接到电阻存储器单元的一端的源线、被连接到电阻存储器单元的另一端的位线、以及被连接到源线和位线的感测电路。感测电路被配置为基于流过电阻存储器单元的读取电流生成从第一电压电平上拉到第二电压电平的上拉信号，基于读取电流生成从第三电压电平下拉到第四电压电平的下拉信号，以及基于所生成的上拉信号和所生成的下拉信号之间的差来确定存储在电阻存储器单元中的数据。差来确定存储在电阻存储器单元中的数据。差来确定存储在电阻存储器单元中的数据。

【技术实现步骤摘要】
电阻存储器装置以及读取电阻存储器装置中数据的方法


[0001]本公开涉及电阻存储器装置以及读取电阻存储器装置中数据的方法。

技术介绍

[0002]随机存取存储器(RAM)可包括易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器在每次断电时丢失存储在其中的信息，而非易失性存储器即使在存储器断电时也可保留存储在其中的数据。
[0003]非易失性存储器可包括根据存储器单元(memory cell)的电阻变化存储数据的电阻存储器。自旋转矩转移磁随机存取存储器(spin torque transfer
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magnetic random access memory，STT
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MRAM)是一种非易失性存储器，可以通过感测磁隧道结(magnetic tunneling junction，MTJ)的电阻状态来读取存储在存储器单元中的数据。为了读取存储在存储器单元中的数据，已经提出了各种读取电路。然而，存储器单元的读取条件可能有许多限制，或者存储器单元阵列的尺寸可能根据感测操作的特性不可避免地增加。因此，为了解决这个问题进行了研本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电阻存储器装置，包括：电阻存储器单元；源线，被连接到电阻存储器单元的一端；位线，被连接到电阻存储器单元的另一端；和感测电路，被连接到源线和位线，并且被配置为：基于流过电阻存储器单元的读取电流，生成从第一电压电平上拉到第二电压电平的上拉信号；基于读取电流，生成从第三电压电平下拉到第四电压电平的下拉信号；以及基于所生成的上拉信号和所生成的下拉信号之间的差来确定存储在电阻存储器单元中的数据。2.根据权利要求1所述的电阻存储器装置，其中，电阻存储器单元包括磁随机存取存储器(MRAM)单元。3.根据权利要求2所述的电阻存储器装置，其中，读取电流通过MRAM单元从源线流向位线。4.根据权利要求1所述的电阻存储器装置，其中，感测电路还被配置为：基于所生成的上拉信号大于所生成的下拉信号，确定存储在电阻存储器单元中的数据为第一数据；以及基于所生成的下拉信号大于所生成的上拉信号，确定存储在电阻存储器单元中的数据为不同于第一数据的第二数据。5.根据权利要求4所述的电阻存储器装置，其中，存储第一数据的电阻存储器单元的电阻值小于存储第二数据的电阻存储器单元的电阻值。6.根据权利要求1所述的电阻存储器装置，其中，感测电路包括电流镜像电路，电流镜像电路被配置为放大读取电流，并且其中，上拉信号和下拉信号是基于放大的读取电流生成的。7.根据权利要求1所述的电阻存储器装置，还包括温度补偿电路，温度补偿电路被配置为向感测电路提供调节电压，使得根据温度变化的读取电流的波动量小于或等于预定阈值。8.根据权利要求1所述的电阻存储器装置，还包括共模反馈电路，共模反馈电路被配置为向感测电路提供反馈电压，使得基于流过存储有第一数据的电阻存储器单元的读取电流而生成的下拉信号的第四电压电平与基于流过存储有不同于第一数据的第二数据的电阻存储器单元的读取电流而生成的上拉信号的第二电压电平相同。9.根据权利要求8所述的电阻存储器装置，其中，基于提供给感测电路的反馈电压，上拉信号从第一电压电平被上拉到高于第二电压电平的第四电压电平。10.根据权利要求1所述的电阻存储器装置，其中，电阻存储器单元包括共享字线的第一电阻存储器单元和第二电阻存储器单元，其中，源线包括被连接到第一电阻存储器单元的一端的第一源线，和被连接到第二电阻存储器单元的一端的第二源线，其中，位线包括被连接到第一电阻存储器单元的另一端的第一位线，和被连接到第二电阻存储器单元的另一端的第二位线，
其中，感测电路包括被连接到第一源线和第一位线的第一感测电路，和被连接到第二源线和第二位线的第二感测电路，其中，第一感测电路被配置为：基于流过第一电阻存储器单元的第一读取电流，生成从第一电压电平上拉到第二电压电平的第一上拉信号；基于第一读取电流，生成从第三电压电平下拉到第四电压电平的第一下拉信号；以及基于所生成的第一上拉信号和所生成的第一下拉信号之间的差来确定存储在第一电阻存储器单元中的数据，以及其中，第二感测电路被配置为：基于流过第二电阻存储器单元的第二读取电流，生成从第一电压电平上拉到第五电压电平的第二上拉信号；基于第二读取电流，生成从第三电压电平下拉到第六电压电平的第二下拉信号；以及基于所生成的第二上拉信号和所生成的第二下拉信号之间的差来确定存储在第二电阻存储器单元中的数据。11.根据权利要求10所述的电阻存储器装置，其中，第一电阻存储器单元包括第一磁随机存取存储器(MRAM)单元，以及其中，第二电阻存储器单元包括第二MRAM单元。12.一种电阻存储器装置，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：金灿景，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：