一种基于忆阻器的多幅度脉冲信号的存储电路制造技术

本发明专利技术公开了一种基于忆阻器的多幅度脉冲信号的存储电路，包括解码电路和忆阻器写入控制电路，解码电路的输入端接入脉冲幅度调制PAM电压信号，根据输入脉冲幅度调制PAM电压信号的阶数输出对应路数的NRZ信号，每一路NRZ信号对应连接一个忆阻器写入控制电路，忆阻器写入控制电路根据对应NRZ信号的高电平或低电平状态对忆阻器施加正向电压或反向电压使忆阻器处于高阻或低阻态。本发明专利技术将多幅度脉冲信号解码后分别存储于忆阻器中，避免忆阻器由于多值存储产生的误差，大大提高了忆阻器的存储精度；通过MOS逻辑电路实现对忆阻器状态的写入，简化了电路结构，降低了系统能耗，适合于实现对PAM4以及更高阶数的PAM信号的存储。对PAM4以及更高阶数的PAM信号的存储。对PAM4以及更高阶数的PAM信号的存储。

【技术实现步骤摘要】
一种基于忆阻器的多幅度脉冲信号的存储电路


[0001]本专利技术涉及一种存储电路，特别涉及一种基于忆阻器的多幅度脉冲信号的存储电路。

技术介绍

[0002]随着云计算、物联网技术、光电信息处理技术、人工智能技术和5G移动通信技术（5th Generation Mobile Communication Technology）的不断普及和愈发成熟，数据中心将会面临流量爆发式增长的状况，这对传输速率的要求进一步提高；基于传统NRZ类型编码的调制方式已越来越难以满足应用需求；PAM信号由于单位周期内可以传输多bit的信息，能够极大地提升带宽利用效率，已被广泛应用于高速信号互连领域。与此同时，为了突破速度、功耗等存储瓶颈实现存算一体，研究PAM信号的存储电路具有重要意义。
[0003]忆阻器由于具有存储密度高、非易失性、能耗低、操作速度快等优点被认为是一种新兴存储技术，另外忆阻器动态范围大，具有多个稳定状态，可实现多值逻辑运算。然而，忆阻器件的稳定性会给计算精度产生负面影响，当存储多个状态时，单个状态的范围缩小，因此忆阻器的阻值漂移现象会使得计算本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于忆阻器的多幅度脉冲信号的存储电路，其特征在于，包括解码电路和忆阻器写入控制电路，解码电路的输入端接入脉冲幅度调制PAM电压信号，根据输入脉冲幅度调制PAM电压信号的阶数从输出端输出对应路数的NRZ信号，每一路NRZ信号对应连接一个忆阻器写入控制电路，忆阻器写入控制电路根据对应NRZ信号的高电平或低电平状态对忆阻器施加正向电压或反向电压使忆阻器处于高阻或低阻态。2.根据权利要求1所述的基于忆阻器的多幅度脉冲信号的存储电路，其特征在于，所述忆阻器写入控制电路由MOS逻辑电路实现，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管；第一MOS管的源端与电源电压VDD相连；第一MOS管的栅端与第二MOS管的栅端连接在一起后截止解码电路的输出端之一；第一MOS管的漏端与第二MOS管的漏端、第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐明华，杨书一，刘睿，石泾波，张锋，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：发明
国别省市：