一种液相法碳化硅长晶时晶体质量的测量系统及方法技术方案

本发明专利技术公开了一种液相法碳化硅长晶时晶体质量的测量系统，包括设置有液体原料的坩埚、石墨盘以及驱动石墨盘上下移动的石墨盘驱动装置，石墨盘下方设置生长晶体籽晶，籽晶或晶体始终与液体原料接触，石墨盘上方设置电连接的第一导电棒，坩埚下方设置电连接的第二导电棒，电阻检测模块用于实时检测两个导电棒之间的电阻，数据采集模块用于采集石墨盘移动的位移数据，计算模块用于计算晶体的质量，显示模块用于实时显示晶体的质量。通过导电棒与石墨盘电连接，并通过实时测量导电棒之间的电阻，将电阻转化为碳化硅晶体生长过程中的质量，并实时显示，有助于操作人员实时观测碳化硅晶体的生长是否符合要求，显示的碳化硅晶体长晶质量较为准确。长晶质量较为准确。长晶质量较为准确。

【技术实现步骤摘要】
一种液相法碳化硅长晶时晶体质量的测量系统及方法


[0001]本专利技术涉及半导体长晶辅助系统，具体是涉及一种液相法碳化硅长晶时晶体质量的测量系统及方法。

技术介绍

[0002]碳化硅长晶是在近乎完全封闭的石墨坩埚中进行，无法观测到碳化硅实际长晶状态。又由于碳化硅晶体实际长晶速度十分缓慢，且质量变化率很小，依靠常规的称重方法来考量其长晶状态时，一是称重的误差会影响晶体质量变化率的检测，二是其质量变化率很小，很容易受到外界干扰，如炉压变化、气流波动、检测元件精度、碳化硅晶片在整个负载中质量占比过低等。目前碳化硅晶体长晶状态检测(即测碳化硅长晶过程中的膜片实时厚度)，尚无有效的解决办法。

技术实现思路

[0003]专利技术目的：针对以上缺点，本专利技术提供一种实时显示数据的液相法碳化硅长晶时晶体质量的测量系统。
[0004]本专利技术还提供一种液相法碳化硅长晶时晶体质量的测量方法。
[0005]技术方案：为解决上述问题，本专利技术采用一种液相法碳化硅长晶时晶体质量的测量系统，包括坩埚、石墨盘以及驱动石墨盘上下移动的石墨本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种液相法碳化硅长晶时晶体质量的测量系统，包括坩埚(4)、石墨盘(2)以及驱动石墨盘(2)上下移动的石墨盘驱动装置，所述坩埚(4)内设置液体原料(3)，所述石墨盘(2)下方设置籽晶(6)，碳化硅晶体(8)生长在籽晶(6)上，所述籽晶(6)或碳化硅晶体(8)始终与液体原料(3)接触，其特征在于，还包括数据采集模块、电阻检测模块(7)、计算模块和显示模块，所述石墨盘(2)上方设置第一导电棒(1)，且第一导电棒(1)与石墨盘(2)电连接，所述坩埚(4)下方设置第二导电棒(5)，且第二导电棒(5)与坩埚电连接，所述电阻检测模块用于实时检测第一导电棒(1)和第二导电棒(5)之间的电阻，所述数据采集模块用于采集石墨盘(2)移动的位移数据，所述计算模块用于根据电阻检测模块检测的电阻以及采集的位移数据计算碳化硅晶体(8)的质量，所述显示模块用于实时显示计算模块得到的碳化硅晶体(8)的质量。2.根据权利要求1所述的测量系统，其特征在于，所述第一导电棒(1)和第二导电棒(5)均采用石墨材料。3.一种权利要求1或2所述的测量系统的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)检测得到初始未长晶时系统总阻值；(2)进行碳化硅长晶，并移动石墨盘，测量第一导电棒和第二导电棒之间的实时阻值，采集石墨盘的位移数据；(3)根据实时阻值、装置总阻值、石墨盘的位移数据计算得到此时晶体的阻值；(4)根据晶体的电阻率及得到的晶体阻值计算得到晶体质量；(5)实时显示计算得到的晶体质量。4.根据权利要求3所述的测量方法，其特征在于，所述步骤(1)中总阻值R
总0
的计算公式为：R
总0
＝R
系统
+R
原料1
+R
籽晶1
其中，R
系统
为第一导电棒...

【专利技术属性】
技术研发人员：李辉，苏闻峰，毛瑞川，王守琛，
申请(专利权)人：南京晶升装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：