【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶生长，尤其涉及一种碳化硅外延生长设备。
技术介绍
1、碳化硅材料是第三代半导体材料的典型代表，在防辐射、抗高压、抗高温、导热性、热稳定性等方面具有绝对的优势。而碳化硅器件必须在外延薄膜上进行加工，因此碳化硅外延工艺在整个产业链中格外重要。目前的外延生产方式中，化学气相沉积法(cvd)得到了广泛应用，化学气相沉积法使用的主流外延设备为热壁水平式反应炉，如图1所示，其整个反应腔室处于石英腔体内，因为是水平式进气方式，在热场的上游及上发热体上容易沉积一层碳化硅物质，从而导致生长后期产品质量受影响。因此需要定期进行反应炉维护，维护时，则需要先将反应炉与晶圆传输端分离，把整个热场取出进行清理，清理后再把热场组装起来放回石英腔内，而热场由二十多件石墨件组成，维护操作繁琐；将热场放回时，热场在腔室内的放置位置，也存在人为因素的影响，存在位置偏差，因此维护时需要进行机械手位置校准。
技术实现思路
1、专利技术目的：针对现有反应炉维护操作繁琐的缺点，本专利技术提供一种碳化硅外延生长设备。<...
【技术保护点】
1.一种碳化硅外延生长设备，其特征在于，包括反应腔体(1)、与反应腔体(1)连通的进气端(2)及排气端(3)，所述反应腔体(1)内设有加热线圈(11)及晶圆托盘(12)，所述反应腔体(1)顶端铰接有上盖板(4)，所述上盖板(4)为翻盖式，上盖板(4)靠近反应腔体(1)的一面上设有石墨盖板(5)，所述石墨盖板(5)上设有若干进气孔(51)和若干出气孔(52)，所述进气孔(51)与外部连通，进气孔(51)还与出气孔(52)连通，所述出气孔(52)设置于石墨盖板(5)靠近反应腔体(1)的一面上。
2.如权利要求1所述的碳化硅外延生长设备，其特征在于，所述上盖板(...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅外延生长设备，其特征在于，包括反应腔体(1)、与反应腔体(1)连通的进气端(2)及排气端(3)，所述反应腔体(1)内设有加热线圈(11)及晶圆托盘(12)，所述反应腔体(1)顶端铰接有上盖板(4)，所述上盖板(4)为翻盖式，上盖板(4)靠近反应腔体(1)的一面上设有石墨盖板(5)，所述石墨盖板(5)上设有若干进气孔(51)和若干出气孔(52)，所述进气孔(51)与外部连通，进气孔(51)还与出气孔(52)连通，所述出气孔(52)设置于石墨盖板(5)靠近反应腔体(1)的一面上。
2.如权利要求1所述的碳化硅外延生长设备，其特征在于，所述上盖板(4)上开有连通反应腔体(1)内部的观察孔(41)，所述观察孔(41)位置位于晶圆托盘(12)上方。
3.如权利要求1所述的碳化硅外延生长设备，其特征在于，所述上盖板(4)内设有用于冷却水循环流通的循环水路(42)。
4.如权利要求1所述的碳化硅外延生长设备，其特征在于，所述上盖板(4)与石墨盖板(...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛瑞川，李辉，丁柏松，陆友峰，孙国峰，
申请(专利权)人：南京晶升装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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