一种非易失存储的存储控制器及控制方法技术

本发明专利技术公开了一种非易失存储的存储控制器及控制方法，针对应用场景及外界环境恶劣等场景通过应用非易失MRAM存储改善系统的可靠性、能效性和干抗扰性。微存储控制器的内部具有存储，主要存储当前小容量MRAM的空闲存储余量的地址信息和已存储容量的标记信息。当CPU通过控制线、地址线和数据线与微存储控制器交互读/写命令。微存储控制器再根据内部存储信息唤醒需要读/写的MRAM存储。当需要读取信息时将从MRAM中读取的数据进行重组传输给CPU。当需要写入信息时将数据分组写在不同的MRAM存储块内完成信息写入工作。该方式可以解决小容量非易失存储MRAM使用的管理问题。同时提升系统的可靠性、能效性和抗干扰性的问题。能效性和抗干扰性的问题。能效性和抗干扰性的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种非易失存储的存储控制器及控制方法


[0001]本专利技术涉及到不规则控制器的
，尤其涉及到一种非易失存储的存储控制器及控制方法。

技术介绍

[0002]新型非易失存储器MRAM面临着工艺结点、MTJ结材料和模拟及数字电路设计多种原因限制。芯片制造商在晶圆设备上面临着如何改进现有生产设备，将其升级到28nm或22nm甚至更新的纳米制程中。同时由于MRAM与传统CMOS制造不同，主要使用BEOL工艺制造。MRAM的存储单元MTJ结由30层组成，由于MRAM的组成材料多为金属材料，因此需要保持MTJ结的参考层方向不受外部磁场影响。另外MRAM的存储单元MTJ结需要满足外部磁场或电流的翻转需求值。这将要求外部电路具有能够的电压和电流，同时需要存储控制器设置。以上这些因素都导致MRAM的存储面积不满足大容量存储条件。
[0003]新型非易失存储MRAM具有SRAM的读写速度能力、Flash的非易失性以及抗辐照等特性。在众多应用中对MRAM具有大容量需求，这个需求满足系统对MRAM的应用。由于现阶段工艺及电路面临着MRAM大容量集成难的问本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失存储的存储控制器的控制方法，其特征在于，包括：系统完成初始化，启动微存储控制模块；所述微存储控制模块接收来自处理模块的命令，并判断所述命令是数据写入还是数据读取；所述微存储控制模块解析并执行所述命令；完成存储单元的唤醒后，开始进行写入/读取工作；所述微存储控制模块完成小容量非易失存储器的写入/读取工作。2.如权利要求1所述的一种非易失存储的存储控制器的控制方法，其特征在于，所述系统完成初始化包括所述微控制模块确认当前空闲存储空间。3.如权利要求1所述的一种非易失存储的存储控制器的控制方法，其特征在于，所述微存储控制模块通过数据线、地址线和控制线接收来自所述处理模块的命令。4.如权利要求3所述的一种非易失存储的存储控制器的控制方法，其特征在于，判断所述命令是数据写入还是数据读取包括：若是数据读取，当所述控制线发送读取命令后，所述数据线会发出需要读取的标记；若是数据写入，当所述控制线发送读取命令后，所述数据线会发出需要写入的标记。5.如权利要求4所述的一种非易失存储的存储控制器的控制方法，其特征在于，所述微存储控制模块解析并执行所述命令包括：若是数据读取，则所述微存储控制模块查询内部存储的标记地址，给各个存储单元上电并等待读取数据；若是数据写入，则所述微存储控制模块根据内部存储查看哪些存储单元具有空闲地址，给各个存储单元上电并等待写入数据。6.如权利要求4所述的一种非易失存储的存储控制器的控制方法，其特征在于，所述进行写入/读取工作包括：当数据写入过程中，将数据进行标记；当数据读取时，所述微存储控制模块以所述标记为中心进行数据查找，将所述数据重组传输给所述处理模块。7.如权利要求6所述的一种非易失存储的存储控制器的控制方法，其特征在于，所述数据写入包括当一个存储块空间不够，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李月婷，曹凯华，王昭昊，赵巍胜，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：