一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法制造方法及图纸

本申请公开了一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法，属于晶体生长技术领域。一种晶体生长气泡消除装置，包括晶体生长槽、载晶架、电机、连接轴和旋转式扇叶；所述载晶架在晶体生长槽内；所述电机在晶体生长槽外；所述载晶架具有空心轴；所述连接轴穿过空心轴；所述连接轴和旋转式扇叶铰接；所述电机通过连接轴驱动旋转式扇叶旋转。本发明专利技术在不影响溶液稳定性的情况下达到消除载晶架表面气泡的目的，节省晶体生长前的准备时间，有效提高晶体生长的成功率。高晶体生长的成功率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法


[0001]本专利技术属于晶体生长
，具体涉及一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法。

技术介绍

[0002]KDP/DKDP晶体是一类具有广泛用途的多功能晶体材料，可应用于激光变频、参量震荡、电光调制、高速Q开关和压电换能器等领域，大尺寸的KDP/DKDP晶体在惯性约束核聚变装置中被用来制作普克尔斯盒和激光倍频器件。随着激光核聚变技术的发展，工程应用对KDP类晶体的光学质量、数量和尺寸的需求不断提高。这也要求我们对KDP/DKDP晶体生长及加工技术的研究不断取得进步。
[0003]在KDP/DKDP晶体快速生长的过程中，当热的生长溶液抽入到装有载晶架的生长槽时，晶体生长槽内往往会产生大量的气泡，这些气泡吸附于晶体生长槽内壁、载晶架上，特别是当载晶架的表面有气泡附着时，通过搅拌电机带动载晶架旋转的方式往往不能完全消除气泡或者消除气泡所需要的时间过长，耽误晶体的生长。快速生长由于过饱和大，这些载晶架平台上的气泡会被包裹，生长到晶体内部，造成晶体畸形、白纹、添晶等缺陷，所以如何在不影响溶液稳定的情况下快速消除气泡，是需要解决的问题。

技术实现思路

[0004]针对上述不足本专利技术提供一种晶体生长气泡消除装置及应用，所述装置在不影响溶液稳定性的情况下达到消除载晶架表面气泡的目的，节省晶体生长前的准备时间，有效提高晶体生长的成功率。
[0005]本专利技术一方面保护一种晶体生长气泡消除装置，所述晶体生长气泡消除装置包括晶体生长槽、载晶架、电机、连接轴和旋转式扇叶；所述载晶架在晶体生长槽内；所述电机在生长槽外；所述载晶架具有空心轴；所述连接轴穿过空心轴；所述连接轴和旋转式扇叶铰接；所述电机通过连接轴驱动旋转式扇叶旋转；所述空心轴的直径与晶体生长槽直径的比例为1：10。
[0006]可选地，所述旋转式扇叶用于所述载晶架的平台表面气泡的消除。
[0007]可选地，旋转式扇叶一端与连接轴铰接，扇叶可收缩至与地面垂直状态或展开至与水平面水平状态。所述旋转式扇叶进入所述载晶架的空心轴时处于收缩垂直状态，所述旋转式扇叶的顶部接触所述载晶架的平台后处于张开水平状态。
[0008]可选地，所述旋转式扇叶为圆弧状。
[0009]可选地，所述旋转式扇叶为聚四氟乙烯材质。
[0010]可选地，所述旋转式扇叶为至少2片。
[0011]可选地，所述载晶架可以为矩形框架、圆形框架、三角形框架、菱形框架、梯形框架或椭圆形框架。
[0012]本专利技术的另一方面保护一种消除晶体生长气泡的方法，采用上述任一种所述的晶
体生长气泡消除装置，方法包括将旋转式扇叶伸入载晶架的空心轴中直至旋转式扇叶接触到载晶架的平台表面，向下按压，使旋转式扇叶处于张开水平状态，电机通过连接轴驱动旋转式扇叶旋转，消除载晶架的平台表面上的气泡。
[0013]可选地，所述旋转式扇叶旋转的速度为60r/mim。
[0014]可选地，消除结束后，旋转式扇叶的上表面与载晶架的上表面相接触，使得旋转式扇叶恢复收缩垂直状态，以顺利取出。
[0015]可选地，所述晶体为KDP晶体或DKDP晶体。
[0016]有益效果：
[0017]本专利技术所提供的晶体生长气泡消除装置，适用于晶体生长前的准备阶段。当气泡吸附于载晶架表面时，可通过旋转式扇叶进行消除，由于载晶架空心轴的内径偏小，在不影响溶液稳定性的情况下，本晶体生长气泡消除装置的旋转式扇叶收缩呈垂直状态，随后将消泡模块伸入载晶架的空心轴中，通过空心轴后，旋转式扇叶的顶部与载晶架的下表面接触，随后向下按压连接轴，旋转式扇叶在力的作用下张开，呈水平状态，旋转面积变大，在搅拌电机的带动下进行旋转，即可达到消除载晶架表面气泡的目的，气泡去除以后，抽出晶体气泡消除装置时，旋转式扇叶上表面与载晶架上表面相碰撞，使得旋转式扇叶恢复收缩垂直状态，以便顺利取出。
[0018]本专利技术在不影响溶液稳定性的情况下达到消除载晶架表面气泡的目的，节省晶体生长前的准备时间，有效提高晶体生长的成功率。
附图说明
[0019]图1为本专利技术中实施例1的装置结构示意图。
[0020]如图，1晶体生长槽，2载晶架，3旋转式扇叶，4连接轴，5电机。
具体实施方式
[0021]下面结合实施例详述本申请，但本申请并不局限于这些实施例。
[0022]实施例1
[0023]本实施例保护一种气泡消除装置，包括晶体生长槽1、载晶架2、旋转式扇叶3、连接轴4和电机5。载晶架2在晶体生长槽1内；电机5在晶体生长槽外；载晶架2具有空心轴；连接轴4穿过空心轴；连接轴4和旋转式扇叶3铰接；电机5通过连接轴4驱动旋转式扇叶3旋转；旋转式扇叶3为2片、圆弧状、聚四氟乙烯材质。所述载晶架为矩形框架。旋转式扇叶3一端与连接轴4铰接，扇叶3可收缩至与地面垂直状态或展开至与水平面水平状态。旋转式扇叶为圆弧状聚四氟乙烯材质。本实施例中的旋转式扇叶3可通过所述连接轴4的中心进行旋转；当连接轴4进入空心轴时，此时所述旋转式扇叶3处于收缩垂直状态，当所述旋转式扇叶3的接触载晶架2平台以后，向下按压连接轴4，则旋转式扇叶3在力的作用下张开，呈水平状态，在电机5的带动下达到消除载晶架2表面气泡的目的，气泡去除以后，旋转式扇叶3上表面与所述载晶架2上表面相碰撞，使得旋转式扇叶3恢复收缩垂直状态，以便顺利取出。
[0024]实施例2
[0025]采用实施例1的晶体生长气泡消除装置消除晶体生长气泡的方法，包括：将旋转式扇叶伸入载晶架的空心轴中直至旋转式扇叶接触到载晶架的平台表面，向下按压，使旋转
式扇叶处于张开水平状态，电机通过连接轴驱动旋转式扇叶旋转，消除载晶架的平台表面上的气泡。旋转式扇叶旋转的速度为60r/min。消除结束后，旋转式扇叶的上表面与载晶架的上表面相接触，使得旋转式扇叶恢复收缩垂直状态，以顺利取出。晶体为KDP晶体或DKDP晶体。
[0026]以上所述，仅是本申请的几个实施例，并非对本申请做任何形式的限制，虽然本申请以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限制本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案的范围内，利用上述揭示的
技术实现思路
做出些许的变动或修饰均等同于等效实施案例，均属于技术方案范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长气泡消除装置，其特征在于，所述晶体生长气泡消除装置包括晶体生长槽、载晶架、电机、连接轴和旋转式扇叶；所述载晶架在晶体生长槽内；所述电机在晶体生长槽外；所述载晶架具有空心轴；所述连接轴穿过空心轴；所述连接轴和旋转式扇叶铰接；所述电机通过连接轴驱动旋转式扇叶旋转；所述空心轴的直径与晶体生长槽直径的比例为1：10。2.根据权利要求1述的晶体生长气泡消除装置，其特征在于，所述旋转式扇叶用于所述载晶架的平台表面气泡的消除。3.根据权利要求1述的晶体生长气泡消除装置，其特征在于，所述旋转式扇叶进入所述载晶架的空心轴时处于收缩垂直状态，所述旋转式扇叶的顶部接触所述载晶架的平台后处于张开水平状态。4.根据权利要求1述的晶体生长气泡消除装置，其特征在于，所述旋转式扇叶(3)为圆弧状。5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑国宗，胡子钰，林秀钦，李静雯，李鹏飞，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：