【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光刻胶材料，具体涉及一种亚硒酸根配位的零维有机锡氧簇合物及其应用。
技术介绍
1、随着半导体行业的发展，集成电路对分辨率的要求不断提高。但传统聚合物光刻胶受制于分子量大且分布不均匀，难以满足高分辨光刻领域的要求。为了获得更高的分辨率和低边缘粗糙度，小分子光刻胶体系，尤其是团簇材料由于具有精确可调的结构、均匀的分子尺寸，溶解性好等优点，从而可满足极紫外(euv)光刻的要求。
2、有机锡氧簇化合物具有精确可知的结构和多组分可调的特点，例如，通过异金属掺杂可合成异金属有机锡氧簇化合物，使得有机锡氧簇化合物不仅具有丰富的结构，也使得其具有新的化学性质。因此，有机锡氧簇化合物非常适合作为基体材料来研究其在催化、光电、半导体材料等方面的应用，其中作为光刻胶材料的潜在应用渐渐成为人们研究的热点，急需一种性能优异的有机锡氧簇合物。
技术实现思路
1、为解决上述问题，本专利技术提供了一种亚硒酸根配位的零维有机锡氧簇合物及其应用，该亚硒酸根配位的零维有机锡氧簇合物可作为唯一组分直接应...
【技术保护点】
1.一种亚硒酸根配位的零维有机锡氧簇合物，其特征在于：所述亚硒酸根配位的零维有机锡氧簇合物为亚硒酸根配位的零维团簇，簇合物是进行掺杂形成的异金属有机锡氧簇合物；所述亚硒酸根配位的零维有机锡氧簇合物的化学式为[C96H204Fe18O108Se18Sn12]或[C48H108O40Se8Sn12]。
2.一种如权利要求1所述的亚硒酸根配位的零维有机锡氧簇合物的应用，其特征在于：所述亚硒酸根配位的零维有机锡氧簇合物作为唯一组分直接应用于光刻胶。
3.一种如权利要求1所述的亚硒酸根配位的零维有机锡氧簇合物的应用，其特征在于，应用所述亚硒酸根配位的零维...
【技术特征摘要】
1.一种亚硒酸根配位的零维有机锡氧簇合物，其特征在于：所述亚硒酸根配位的零维有机锡氧簇合物为亚硒酸根配位的零维团簇，簇合物是进行掺杂形成的异金属有机锡氧簇合物；所述亚硒酸根配位的零维有机锡氧簇合物的化学式为[c96h204fe18o108se18sn12]或[c48h108o40se8sn12]。
2.一种如权利要求1所述的亚硒酸根配位的零维有机锡氧簇合物的应用，其特征在于：所述亚硒酸根配位的零维有机锡氧簇合物作为唯一组分直接应用于光刻胶。
3.一种如权利要求1所述的亚硒酸根配位的零维有机锡氧簇合物的应用，其特征在于，应用所述亚硒酸根配位的零维有机锡氧簇合物制备光刻胶组合物；所述光刻胶组合物按重量份数由以下组分组成：
4.如权利要求3所述的亚硒酸根配位的零维有机锡氧簇合物的应用，其特征在于：所述有机溶剂为四氢呋喃、1,4-二氧六环、苯、甲苯、对二甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、均三甲苯、氯苯、氟苯、丙二醇单甲醚醋酸酯、丙二醇乙醚、丙二醇单醋酸酯、乙二醇甲醚醋酸酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、氯仿及二氯甲烷、甲醇、乙醇、2-乙氧基乙醇、1,2二氯乙烷、n,n-二甲基甲酰胺、n,n-二...
【专利技术属性】
技术研发人员：林启普，张健，王娟，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。