具有高散热性的发光二极管封装结构制造技术

一种具有高散热性的发光二极管封装结构，包含承载基板、多个发光单元，及散热单元。所述发光单元设置于所述承载基板上，且各自具有发光磊晶结构，及形成于所述发光磊晶结构上，供用于对外电连接的电极组。所述散热单元披覆于所述承载基板的至少部分表面，而与所述发光单元位于同侧，且所述散热单元是以原子层沉积方式形成，总厚度不大于1μm，可致密且完整地披覆于所述承载基板与所述发光单元表面，用于将所述发光单元作动时产生的热对外逸散，同时不影响出光。影响出光。影响出光。

【技术实现步骤摘要】
具有高散热性的发光二极管封装结构


[0001]本技术涉及一种发光二极管封装结构，特别是涉及一种具有高散热性的发光二极管封装结构。

技术介绍

[0002]微发光二极管元件的技术发展已日臻成熟，且逐渐朝高功率的方向发展，以追求更高的发光效率。
[0003]微发光二极管元件在运作时，其发光层会产生大量的热，业界通常利用在所述微发光二极管元件的磊晶基板底面再设置散热基板/鳍片或是涂布散热膏，以协助将所述微发光二极管元件运作时产生的热经由底面排出。而随着所述微发光二极管元件功率提升，伴随着更多的热产生，供用于磊晶成长用的磊晶基板因本身的散热性不佳，或是所述导热膏含有热阻抗成分且与基板间容易出现空隙，容易使热量累积而无法有效地散出，令所述微发光二极管元件因散热不佳而导致发光效能降低，元件寿命缩短。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种具有高散热性的发光二极管封装结构，以提高发光二极管的散热效率。
[0005]本技术具有高散热性的发光二极管封装结构，包含承载基板、多个发光单元，及散热单元。
[0006]所述发光单元设置于所述承载基板上，每一发光单元具有发光磊晶结构，及形成于所述发光磊晶结构上，供用于对外电连接的电极组。
[0007]所述散热单元披覆于所述承载基板的至少部分表面，而与所述发光单元位于同侧，所述散热单元以原子层沉积方式形成，且总厚度不大于1μm。
[0008]较佳地，本技术所述的具有高散热性的发光二极管封装结构，其中，所述散热单元具有可透光性，披覆于所述发光单元及自所述发光单元间露出的所述承载基板表面，且令所述发光单元的电极组对外裸露。
[0009]较佳地，本技术所述的具有高散热性的发光二极管封装结构，其中，所述散热单元至少具有导热层，及热辐射层，且所述热辐射层位于最外侧而对外露出。
[0010]较佳地，本技术所述的具有高散热性的发光二极管封装结构，其中，所述散热单元还具有介电绝缘层，所述介电绝缘位于所述散热单元的最内侧。
[0011]较佳地，本技术所述的具有高散热性的发光二极管封装结构，其中，所述散热单元的总厚度介于0.1nm至300nm。
[0012]较佳地，本技术所述的具有高散热性的发光二极管封装结构，其中，所述承载基板选自磊晶基板或具有线路结构的电路板。
[0013]较佳地，本技术所述的具有高散热性的发光二极管封装结构，其中，所述承载基板选自可透光的磊晶基板，所述发光二极管封装结构还包含电路板，具有多个位于表面
的电端口，所述电路板设置于所述发光单元反向所述承载基板的一侧，且所述电端口分别对应连接于所述发光单元的电极组。
[0014]较佳地，本技术所述的具有高散热性的发光二极管封装结构，其中，所述发光单元选自微发光二极管或次毫米发光二极管。
[0015]本技术的有益效果在于：利用原子层沉积方式将所述散热单元的总厚度控制在不大于1μm，而具有透光性，因此可与所述发光单元位于同侧，将所述发光单元作动时产生的热向外逸散，以提升所述发光二极管结构的散热能力，同时不影响出光。
附图说明
[0016]图1是流程图，说明本技术具有高散热性的发光二极管封装结构的制作方法的实施例；
[0017]图2是剖视示意图，说明所述实施例所制得的具有高散热性的发光二极管封装结构；
[0018]图3是局部示意图，辅助说明图2中A的放大图，说明所述实施例的散热单元的结构；
[0019]图4是剖视示意图，说明所述实施例配置有电路板的实施方式；
[0020]图5是剖视示意图，说明所述发光二极管封装结构的另一实施方式；
[0021]图6是剖视示意图，说明所述实施例的承载基板为电路板的实施方式；
[0022]图7是流程图，说明本技术具有高散热性的发光二极管封装结构的制作方法的另一实施顺序。
具体实施方式
[0023]在本技术被详细描述前，应当注意在以下的说明内容中，类似的元件是以相同的编号来表示。
[0024]参阅图2与图3，说明本技术具有高散热性的发光二极管封装结构的实施例，包含承载基板2、多个发光单元3，及散热单元4。
[0025]所述承载基板2的其中一面上定义出多个彼此间隔排列的晶粒设置区21。所述承载基板2可选自磊晶基板或电路板，图2中是以所述承载基板2为可透光的磊晶基板为例。
[0026]所述发光单元3分别对应设置于所述晶粒设置区21，且每一发光单元3具有形成于所述承载基板2表面的发光磊晶结构31，及形成于所述发光磊晶结构31上，供用于对外电连接的电极组32。所述发光单元3可以选自发光二极管结构、微发光二极管结构或是次毫米发光二极管结构，且依需求可以设计为水平式结构或垂直式结构，此外，所述发光单元3也可再视需求而具有共电极(如共阴极)的电连接结构。在本实施例中，是以所述发光单元3为水平式的微发光二极管结构，且每个发光单元3为各自独立为例作说明，所述发光磊晶结构31具有多层磊晶积层，例如所述发光磊晶结构31可具有自所述承载基板2的表面依序向上的未参杂磊晶层、n型磊晶层、形成于所述n型磊晶层的部份表面的多重量子井发光层、设置于所述多重量子井发光层上的p型磊晶层，及形成于所述p型磊晶层上的电流扩散层。所述电极组32形成于相应的发光磊晶结构31上，并具有形成于所述n型磊晶层裸露的表面的N型电极321，及形成于所述电流扩散层上的P型电极322。要说明的是，所述发光磊晶结构31的磊
晶积层、电极组32的设置位置或材料等具体结构细节为本
者所知悉，且可依需求设计而有不同方式，因此，不以前述或本案图式为限制。
[0027]所述散热单元4披覆所述发光单元3及自所述发光单元3间露出的所述承载基板2表面，而与所述发光单元3位于同侧，且令所述发光单元3的电极组32对外裸露，供用于对外电连接。
[0028]详细的说，所述散热单元4是以原子层沉积方式(Atomic Layer Deposition，ALD)形成，而可以将厚度控制在极薄(其总厚度不大于1μm)。较佳地，所述散热单元4的总厚度介于0.3nm至300nm，更进一步地，所述散热单元4的总厚度介于0.1nm至300nm。配合参阅图3，所述散热单元4具有位于最内侧的介电绝缘层41、导热层42，及位于最外侧而对外露出的热辐射层43，且所述介电绝缘层41、所述导热层42与所述热辐射层43的厚度分别介于0.1nm至100nm。所述介电绝缘层41由介电绝缘材料构成，且至少披覆于所述发光磊晶结构31上，以确保所述发光单元3彼此电性独立。所述导热层42由导热材料构成，用于将所述发光单元3运作时所产生的热向外传导。所述热辐射层43覆盖于所述导热层42上，且由热辐射材料构成，用于将来自所述导热层42的热量对外逸散。要说明的是，当所述散热单元4披覆于所述发光单元3时，所述散热单元4视与所述发光单元3的出光方向的相关位置而可具有透光性，以不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有高散热性的发光二极管封装结构，其特征在于：包含：承载基板；多个发光单元，设置于所述承载基板上，每一发光单元具有发光磊晶结构，及形成于所述发光磊晶结构上，供用于对外电连接的电极组；及散热单元，披覆于所述承载基板的至少部分表面，而与所述发光单元位于同侧，所述散热单元以原子层沉积方式形成，且总厚度不大于1μm。2.根据权利要求1所述的具有高散热性的发光二极管封装结构，其特征在于：所述散热单元具有可透光性，披覆于所述发光单元及自所述发光单元间露出的所述承载基板表面，且令所述发光单元的电极组对外裸露。3.根据权利要求1所述的具有高散热性的发光二极管封装结构，其特征在于：所述散热单元至少具有一热层，及热辐射层，且所述热辐射层位于最外侧而对外露出。4.根据权利要求3所述的具有高散热性的发光二极管封装结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁肇诚，李裕安，林谕贤，
申请(专利权)人：抱朴科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：