【技术实现步骤摘要】
LED芯片封装结构及LED显示装置
[0001]本技术涉及显示
,特别是涉及一种LED芯片封装结构及LED显示装置。
技术介绍
[0002]发光二极管(英文简称LED),是一种固体半导体发光装置。现有的全倒装LED显示装置普遍采用倒装蓝光LED、倒装绿光LED和倒装红光LED,以获得优异的显示效果,但由于倒装红光LED为AlInGaP四元发光系,技术不够成熟,良率低,倒装红光LED成本非常高。
技术实现思路
[0003]为解决上述问题,本技术提供一种LED芯片封装结构及LED显示装置,其结构简单,设计合理,发光亮度好。
[0004]本技术采用的技术方案是:
[0005]一种LED芯片封装结构,包括:
[0006]基板,包括相对的两面,所述相对的两面分别设有第一电路与第二电路,所述第一电路与所述第二电路通过所述基板上的通孔连接;
[0007]芯片阵列,设置在所述基板上,所述芯片阵列包括一个或多个蓝光芯片、绿光芯片和红光芯片,所述红光芯片包括发光芯片和覆盖在所述发光芯片上的色转换 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种LED芯片封装结构,其特征在于,包括:基板,包括相对的两面,所述相对的两面分别设有第一电路与第二电路,所述第一电路与所述第二电路通过所述基板上的通孔连接;芯片阵列,设置在所述基板上,所述芯片阵列包括一个或多个蓝光芯片、绿光芯片和红光芯片,所述红光芯片包括发光芯片和覆盖在所述发光芯片上的色转换层,所述色转换层用于将所述发光芯片发出的光转换为红光;封装层,覆盖在所述芯片阵列上,以将所述芯片阵列进行封装。2.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构,其特征在于,所述色转换层在所述发光芯片的各侧面的厚度与所述色转换层在所述发光芯片的顶面的厚度相同。3.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构,其特征在于,所述发光芯片与所述蓝光芯片之间的距离,大于所述蓝光芯片与所述绿光芯片之间的距离;所述发光芯片与所述绿光芯片之间的距离,大于所述蓝光芯片与所述绿光芯片之间的距离。4.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构,其特征在于,所述发光芯片为紫外发光芯片,所述紫外发光芯片发光波长为100
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450nm;或所述发光芯片为蓝光芯片,所述蓝光芯片发光波长为450
【专利技术属性】
技术研发人员:庄文荣,
申请(专利权)人:东莞市中麒光电技术有限公司,
类型:新型
国别省市:
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