【技术实现步骤摘要】
加热承载盘及基板处理装置
[0001]本申请涉及半导体加工
,尤其涉及一种加热承载盘及基板处理装置。
技术介绍
[0002]在基板的加工过程中,通常需要经过不同的工艺,最为常见的工艺为:氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)蒸镀、ITO溅镀、电子枪蒸镀、热蒸镀等物理气相沉积,或者等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)等化学气相沉积,又或者原子层沉积(Atomic layer deposition,ALD)等薄膜工艺。基板在经过这些加工工艺之后会在基板上生成各种不同热膨胀系数的材料,当基板再经过升温加热工艺时,由于基板上各种材料之间的热膨胀系数不同,会使得基板在受热后会产生形变,导致基板跟下方的加热承载盘之间无法完全贴合,从而造成基板在加热过程中会受热不均,影响产品特性(例如外观、电性等)的不均匀。
[0003]因此,如何解决基板上各种材料之间的热膨胀系数不同使得基板在受热后会产生形变进而导致基板在加热过程中会受热 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种加热承载盘,用于承载至少一个基板,其特征在于,所述加热承载盘包括至少一个承载单元,至少一个所述承载单元用于承载所述基板,每个所述承载单元包括一承载面,所述基板具有一贴合面,所述承载面的翘曲度与加热后的所述基板的贴合面的翘曲度相同使得所述贴合面与所述承载面完全贴合。2.根据权利要求1所述的加热承载盘,其特征在于,所述加热承载盘包括多个承载单元,多个所述承载单元呈阵列状排列设置。3.根据权利要求1所述的加热承载盘,其特征在于,所述加热承载盘为矩形板状结构。4.根据权利要求1所述的加热承载盘,其特征在于,所述承载单元为矩形、圆形或菱形板状结构。5.根据权利要求1所述的加热承载盘,其特征在于,所述基板为晶圆。6.根据权利要求1
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5任意一项所述的加热承载盘,其特征在于,所述加热承载盘的翘曲度值为0
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5mm。7.一种基板...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨然翔,苏财钰,伍凯义,
申请(专利权)人:重庆康佳光电技术研究院有限公司,
类型:新型
国别省市:
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